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最新专利技术
  • 基于双层沟道p-GaNAlGaNn-GaN结构光子能量探测器及方法
    基于双层沟道p-GaNAlGaNn-GaN结构光子能量探测器及方法_西安交通大学_202511041964.5
    本发明公开了一种基于双层沟道p‑GaNAlGaNn‑GaN结构光子能量探测器及方法，包括第一阳极、第二阳极、第一阴极、第二阴极、二氧化硅钝化层、p型GaN层、势垒层、n型GaN层、GaN缓冲层以及绝缘衬底，其中，x表示材料中Al的摩尔组分，...
    2025-11-23
  • 一种全介质超表面增强宽波段光电响应雪崩光电探测器
    一种全介质超表面增强宽波段光电响应雪崩光电探测器_北京时代民芯科技有限公司_202510924972.8
    本发明提供一种全介质超表面增强宽波段光电响应雪崩光电探测器，包括增透膜、上/下电极、氧化层、光敏面、保护环、截止环、倍增层、本征吸收层以及接触层。所述全介质超表面分别位于增透膜层和接触层。本发明依靠材料的结构设计来改善雪崩光电探测器的光电响...
    2025-11-23
  • 单光子雪崩二极管及其制造方法
    单光子雪崩二极管及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511002264.5
    本发明提供一种单光子雪崩二极管及其制造方法。该单光子雪崩二极管包括：一衬底，具有第一表面和第二表面；一形成于衬底内的雪崩区；以及至少一个光捕获结构。所述光捕获结构形成于衬底的第一表面和/或第二表面上，且包括至少一个倒置的类金字塔凹陷。该光捕...
    2025-11-23
  • 金刚石基氧化镓异质结雪崩光电探测器及其制备方法
    金刚石基氧化镓异质结雪崩光电探测器及其制备方法_西安电子科技大学杭州研究院_202511438908.5
    本发明涉及一种金刚石基氧化镓异质结雪崩光电探测器及其制备方法，采用p+金刚石衬底，依次外延p‑金刚石倍增层、n‑Ga2O3电荷层、i‑Ga2O3吸收层及n+Ga2O3接触层，形成分离吸收倍增Ⅱ型异质结台面结构；通过ICP刻蚀暴露衬底，并利用...
    2025-11-23
  • 一种基于SiC的PNPN垂直结构半导体核辐射探测器及方法
    一种基于SiC的PNPN垂直结构半导体核辐射探测器及方法_西安交通大学_202511041927.4
    本发明公开了一种基于SiC的PNPN垂直结构半导体核辐射探测器及方法，涉及辐射探测器领域，包括衬底、在衬底下表面形成的阴极电极、以及在衬底上表面由下至上依次形成的P3区、P2区、N1区、P1区和P1区上的阳极电极；所述P1区为P型重掺杂；所...
    2025-11-23
  • 一种量子点薄膜与表面带通孔的读出电路的集成方法
    一种量子点薄膜与表面带通孔的读出电路的集成方法_绍芯实验室_202510901592.2
    本申请涉及一种量子点薄膜与表面带通孔的读出电路的集成方法，包括五个关键步骤：首先对带通孔的CMOS读出电路进行表面预处理，其次将经配体交换处理的CdSe/ZnS核壳结构量子点分散于高沸点有机溶剂中制备墨水，浓度控制在100‑300 mg/m...
    2025-11-23
  • 基于离散超原子的红外探测器、制备方法及光谱重构方法
    基于离散超原子的红外探测器、制备方法及光谱重构方法_北京信息科技大学_202511023171.0
    本发明涉红外探测技术领域，提供了一种基于离散超原子的红外探测器、制备方法及光谱重构方法，包括多个探测器像元，所述探测器像元包括设置在衬底正面的二类超晶格红外探测器像元和设置在衬底背面的离散超原子超表面单元；所述离散超原子超表面单元由周期性排...
    2025-11-23
  • 影像感测器
    影像感测器_采钰科技股份有限公司_202411467680.8
    一种影像感测器，包含第一像素、第二像素、第三像素、及第四像素。第一像素、第二像素、第三像素、及第四像素各自包含感测层、第一超颖表面层，其具有第一超颖柱体且设置于感测层上方、以及第二超颖表面层，其具有第二超颖柱体且设置于第一超颖表面层上方。第...
    2025-11-23
  • 具有改进的泄漏特性的半导体器件及其制造方法
    具有改进的泄漏特性的半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510269562.4
    本公开涉及具有改进的泄漏特性的半导体器件及其制造方法。一种被配置为ISP的晶片，包括第一区域和第二区域。晶片在第一区域中包括第一栅极结构，该第一栅极结构围绕第一有源区域的第一边缘和第二有源区域的第二边缘设置，第一有源区域和第二有源区域沿着第...
    2025-11-23
  • 具有用于减小的电压降的金属垫片的堆叠式半导体装置
    具有用于减小的电压降的金属垫片的堆叠式半导体装置_豪威科技股份有限公司_202510281607.X
    本公开涉及一种具有用于减小的电压降的金属垫片的堆叠式半导体装置。描述一种堆叠式半导体装置，其包括：第一裸片，其包含第一半导体衬底及第一互连件；第二裸片，其包含第二半导体衬底及第二互连件；多个第一键合垫片，其安置于所述第一互连堆叠内；多个第二...
    2025-11-23
  • 一种阵列型多通道光纤单光子探测器
    一种阵列型多通道光纤单光子探测器_桂林电子科技大学_202511116471.3
    本发明提供的是一种阵列型多通道光纤单光子探测器。其特征是：它是由SPAD阵列感应探测器1、烧球光纤2、光纤石英V型槽3、V槽盖板4、封装底座5、封装盖板6、导电连接线7、管脚8与橡胶尾管9组成。本发明可用于多通道光信号并行探测转换为电信号，...
    2025-11-23
  • 一种双面钝化TOPCon太阳能电池的制备方法及其制备得到的TOPCon太阳能电池
    一种双面钝化TOPCon太阳能电池的制备方法及其制备得到的TOPCon太阳能电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202411095358.7
    本发明提供了一种双面钝化TOPCon太阳能电池的制备方法及其制备得到的TOPCon太阳能电池，涉及太阳能电池制造技术领域。所述制备方法包括以下步骤：通过电镀在电池前体的a‑Si层的表面沉积镍金属层；通过恒压电解对沉积有镍金属层的电池前体进行...
    2025-11-23
  • 基于直立式二维纳米片同质结阵列的光电探测器及其制备方法
    基于直立式二维纳米片同质结阵列的光电探测器及其制备方法_中国科学院深圳先进技术研究院_202510903847.9
    本申请提供了基于直立式二维纳米片同质结阵列的光电探测器及其制备方法。制备方法包括：在支撑衬底上制备得到直立式的SnSez纳米片阵列；对所述SnSez纳米片阵列进行热退火硫化处理，得到SnSexS2‑x/SnSeyS2‑y同质结阵列，其中，x...
    2025-11-23
  • 一种量子点薄膜及其制备方法
    一种量子点薄膜及其制备方法_苏州仿生材料科学与工程中心_202510993860.8
    本发明公开了一种量子点薄膜的制备方法。其中，该制备方法包括：步骤1、制备具有一定间距的阵列硅柱模板；步骤2、对阵列硅柱模板和硅柱衬底分别进行浸润性修饰，得到疏水阵列硅柱模板和亲水衬底硅片；步骤3、将一定浓度的量子点溶液滴加在硅柱衬底上，盖上...
    2025-11-23
  • 封边修复装置的适配方法
    封边修复装置的适配方法_江苏祥环科技有限公司_202511020621.0
    本发明关于一种封边修复装置的适配方法，涉及光伏制造领域。待封边的太阳能电池硅片和封边修复装置沿第一方向作相对移动；当封边轮处于旋转状态时，在挡料块的作用下，绝缘材料被均匀的被涂布在封边轮的外侧；太阳能电池硅片接触在封边轮外侧的绝缘材料后，或...
    2025-11-23
  • 太阳能电池硅片的封边修复固化方法
    太阳能电池硅片的封边修复固化方法_江苏祥环科技有限公司_202511020622.5
    本发明关于一种太阳能电池硅片的封边修复固化方法，涉及光伏制造领域。本技术方案中，待封边的太阳能电池硅片由输送机构沿第一方向输送至封边机构，其两相对侧边与封边轮外侧面上的绝缘材料相接触，封边轮旋转出料将绝缘材料施加于侧边部填满密封其凹凸结构，...
    2025-11-23
  • 背接触电池的制绒添加剂、制绒液及制绒方法
    背接触电池的制绒添加剂、制绒液及制绒方法_合肥中聚和成光电材料股份有限公司_202511031541.5
    本发明属于太阳电池技术领域，具体公开了一种背接触电池的制绒添加剂。一种背接触电池的制绒添加剂，包括以下质量百分比组分：木质素磺酸钠0.1%‑1%、植酸0.01‑0.2%、乙酰化化合物0.1‑0.5%、硅烷偶联剂0.001‑0.1%、表面活性...
    2025-11-23
  • 一种减少太阳能电池制程中水分残留的方法及处理装置
    一种减少太阳能电池制程中水分残留的方法及处理装置_泰州中来光电科技有限公司_202511069498.1
    本发明涉及太阳能技术领域，公开了一种减少太阳能电池制程中水分残留的方法及处理装置。该方法包括：将水洗后的硅基体(表面为绒面)浸至溶液区的醇类溶液中，边浸泡边超声清洗，使硅基体表面的水与醇类互溶；溶液区上方的蒸汽区产生第一温度的醇类蒸汽，通入...
    2025-11-23
  • X射线传感器面板的制备方法、X射线传感器面板及X射线探测器
    X射线传感器面板的制备方法、X射线传感器面板及X射线探测器_惠科股份有限公司_202511071875.5
    本申请公开了一种X射线传感器面板的制备方法、X射线传感器面板及X射线探测器，涉及半导体技术领域，该制备方法包括：在基板上形成第一导电层，以利用第一导电层作为X射线传感器面板的薄膜晶体管栅极；基板包括面板图像探测区和金属跨线区；在第一导电层上...
    2025-11-23
  • 一种双导片大电流自动生产线的后端点胶合盖装置及方法
    一种双导片大电流自动生产线的后端点胶合盖装置及方法_广州大成电子有限公司_202511076598.7
    本发明公开了一种双导片大电流自动生产线的后端点胶合盖装置，包括有用于将双导片托盘向前输送的输送机构，及设置于输送机构一侧的、用于对输送机构上的双导片托盘进行点胶的点胶机构，及设置于输送机构一侧的、用于对输送机构上的双导片托盘进行合盖的合盖机...
    2025-11-23
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