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一种耐手汗的铝合金硬质阳极氧化处理方法
本发明属于阳极氧化处理技术领域,涉及一种耐手汗的铝合金硬质阳极氧化处理方法,具体包括(1)脱脂处理、(2)碱蚀处理、(3)出光处理、(4)硬质阳极氧化、(5)封闭处理。本发明结合特定的处理工艺,使得铝合金硬质阳极氧化后的阳极膜孔隙率低、膜层...
一种铝及铝合金封孔剂及其表面封孔工艺
本发明涉及表面处理技术领域,尤其涉及一种铝及铝合金封孔剂及其表面封孔工艺,按重量份数计包括以下组分的原料:主成膜物质3‑5份、第一溶剂10‑12份、去离子水80‑85份、络合剂1‑1.5份、表面活性剂0.1‑0.3份、pH缓冲剂1‑1.5份...
一种难熔金属表面高温抗氧化金属基氧化物陶瓷涂层及其制备方法
本发明公开了一种难熔金属表面高温抗氧化金属基氧化物陶瓷涂层的制备方法,通过超声波分散微弧氧化电解液中高熔点纳米粒子,并调控微弧放电的电场能量密度,在难熔金属表面原位生长金属基氧化物陶瓷涂层结构,提高其高温抗氧化防护;本发明还公开了一种难熔金...
一种烟框表面电泳喷涂复合工艺
本发明涉及金属喷涂技术领域,公开了一种烟框表面电泳喷涂复合工艺,包括以下步骤:S1、表面前处理:对待处理的金属烟框进行脱脂、酸洗、表调和磷化处理;S2、游浸式电泳:对金属烟框冲洗后,进行电泳处理;S3、清洗与固化:对金属烟框冲洗后,烘干,形...
电镀金刚线及其制备方法
本发明涉及一种电镀金刚线及其制备方法,所述电镀金刚线的制备方法,采用悬浮上砂工艺,在上砂之前,对母线表面进行改性处理,所述改性处理包括如下步骤:在母线经过阴极辊的同时,采用改性喷淋液对母线进行喷淋,所述改性喷淋液中包括添加剂,所述添加剂选自...
一种双脉冲金银合金电镀系统
本发明公开了一种双脉冲金银合金电镀系统,包括环形EIS传感器模块、双通道异相脉冲电源模块、模糊PID动态控制模块和微量注射补偿模块。环形EIS传感器模块沿电镀槽内壁环形分布,包括阻抗谱检测电极与离子选择膜,用于Au2+/Ag+浓度实时监测及...
一种电沉积PEDOT的装置
本发明公开了一种电沉积PEDOT的装置。它包括流通有电解液的反应釜,反应釜内设置有用于工作电极、用于对电极以及参比电极;反应釜内还设置有原位光谱监测组件和微流控混合模块,原位光谱监测组件用于获取电沉积过程中PEDOT结构与浓度变化数据,微流...
铜箔表面碱性镀铬装置
本申请提出一种铜箔表面碱性镀铬装置,属于铜箔表面镀铬技术领域。该装置包括镀液储罐、电镀槽、三价铬电解槽和PLC系统。镀液储罐通过第一管道与电镀槽连通,电镀槽通过第二管道与三价铬电解槽连通,以形成第一循环回路。通过该第一循环回路可实现镀液回用...
一种基于BTA刀具的深孔加工装置
本发明涉及BTA刀具加工技术领域,尤其涉及一种基于BTA刀具的深孔加工装置,包括电镀槽、阀门和机架,电镀槽内腔存放有防氧化溶液,阀门安装在电镀槽左侧壁底部,机架固定连接在电镀槽顶部,基于BTA刀具的深孔加工装置还包括气缸、蠕动机构、支架、夹...
一种半导体晶圆水平电镀设备
本发明涉及电镀设备技术领域,公开了一种半导体晶圆水平电镀设备,包括设备主体、电镀槽、清洗槽、吹干风机、导轨结构、升降结构、安装架、防护罩、驱动电机、主动风机结构、夹取结构包括夹持块、电动蜗杆、弧齿架和夹持爪,用于夹持和调整晶圆片姿态,涡流喷...
电沉积反应装置、核壳结构催化剂的制备方法
本申请涉及一种电沉积反应装置、核壳结构催化剂的制备方法。上述电沉积反应装置通过设置密闭连接的第一罐体、第一搅拌部件以及电化学部件,有效提高了第一罐体对外界氧气的阻隔能力;并通过第一进气口向第一罐体中持续通入惰性气体,采用第一氧传感器实时监测...
用于湿法化学半导体处理的清洁工件装载器和边缘保护固持器
描述了一种用于湿法化学半导体处理的易碎柔性工件的装载和运输装置。装载器将工件对准框架,同时保持最小的物理接触。固持器精确定位所述工件的至少两个边缘,同时对其余两个边缘提供工件边缘保护和矫直。所述固持器允许对所述工件的两个面进行流体处理,同时...
基于电镀生产线的防脱式振动器悬挂吊架
本发明涉及电镀悬挂技术领域,具体是基于电镀生产线的防脱式振动器悬挂吊架,包括安装在厂房机架内壁顶部且用于进行长距离输送电镀工件的电动链板、安装在厂房机架内侧壁用于辅助电镀工件进行输送的两条长直轨道,电动链板的底部固定连接有承载架,承载架的下...
一种锂电池极片轧辊的镜面抛光工艺
本发明涉及一种锂电池极片轧辊的镜面抛光工艺,其包括:步骤1:清洗去除轧辊表面氧化物和油污;步骤2:磁场辅助电解抛光,电解液中含有18‑22%磷酸、9‑11%醋酸、9‑11%硝酸铈、余量为乙二醇;步骤3:用激光系统对轧辊表面进行激光微熔整形;...
一种表面处理槽和表面处理系统
本申请涉及一种表面处理槽和表面处理系统,属于碳纤维生产技术领域;表面处理槽包括槽本体和进液口,进液口设于槽本体的一侧壁,槽本体的槽底部设有第一槽底段,第一槽底段设于远离进液口一端,且第一槽底段由靠近进液口一端至远离进液口一端逐渐升高;通过在...
锑化铝单晶生长方法
本发明提供了一种锑化铝单晶生长方法,包括:将装有铝和锑的氮化硼舟置于石英管中,并对石英管抽真空后封管;将封管后的石英管置于水平合成炉中,基于预设的反应参数控制铝和锑进行反应,合成锑化铝多晶;对锑化铝多晶进行表面处理以去除氧化物;将表面处理后...
一种单晶炉自动熔接系统及控制方法
本发明涉及单晶炉熔接方法技术领域,具体涉及一种单晶炉自动熔接系统及控制方法,包括传感模块、数据处理单元和执行机构,传感模块包括测温传感器和识别传感器,测温传感器和识别传感器均与数据处理单元电性连接,数据处理单元与执行机构电性连接,本发明为了...
一种单晶炉用副炉室拉晶装置
本发明涉及单晶炉拉晶技术领域,具体涉及一种单晶炉用副炉室拉晶装置,包括副炉室本体以及提升组件,副炉室本体的内部安装有多个滑轨,副炉室本体的内侧滑动安装有限位组件,包括导向环,导向环的顶端转动安装有拉晶组件,副炉室本体的内侧转动安装有多个传动...
一种用于半埚料单晶硅的拉晶方法
本发明公开了一种用于半埚料单晶硅的拉晶方法,所述半埚料为坩埚内硅料装填量≤500kg,所述拉晶方法在晶体生长的初始阶段(熔接、引晶、放肩),将埚转设置为0rpm/min;提高炉压至1.5kPa;提前启动转肩点至230~240mm。减少了硅熔...
一种单晶炉用加料筒稳料装置及其稳料方法
本发明公开了一种单晶炉用加料筒稳料装置及其稳料方法,包括内部容纳加料筒的副室,所述副室的底部设置若干可拆卸式连接的安装管,所述安装管内设置与外部氩气源连通的氩气管路,所述氩气管路的水平延伸线垂直于加料筒的外壁;邻近加料筒的安装管端面设置接近...
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