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  • 本发明的实施方式涉及热辅助磁记录再现装置及其调整方法。在实施方式的热辅助磁记录再现装置的调整方法中,维持热辅助磁记录再现装置的热辅助磁记录头在轨,针对热辅助磁记录头,将进行数据记录的记录电流维持为小于阈值,对光源施加进行发光的光源驱动电流。
  • 本申请公开了一种信号传输模式的切换系统、方法、装置、设备及介质,涉及信号传输技术领域,系统包括:服务器和固态硬盘。服务器通过第一控制信号控制固态硬盘断电;服务器通过第二控制信号控制固态硬盘利用电平控制组件将预设管脚的电平状态调整为目标电平状...
  • 本申请公开了一种电压范围的确定方法及电子设备,涉及数据处理技术领域,包括:针对与同一位数据关联的K个初始电压范围,根据多个存储单元各自在当前时刻的电压值,可以通过对K个初始电压范围进行更新,得到K个初始电压范围对应的K个更新电压范围。因此,...
  • 本发明公开了一种基于FeRAM 2T2C结构的存内计算单元,属于存内计算领域。本文设计了一种基于FeRAM 2T2C结构的存内计算单元,包括MOS管M1‑MOS管M10、电容C1、电容CN1、电容C2、电容CN2、灵敏放大器SA。本发明利用...
  • 一种写入均衡系统以及存储装置。该写入均衡系统包含有一分频器、一信号处理电路以及一数据控制电路。分频器用以对一时钟信号进行一分频操作以产生多个分频后时钟信号。信号处理电路用以对一数据选通信号进行数据处理以产生多个处理后数据选通信号。数据控制电...
  • 一种信号恢复系统以及存储装置。该信号恢复系统包含有多个分频器、多个信号恢复电路以及一数据信号产生电路。多个分频器用以分别对一时钟信号与一数据选通信号进行一分频操作,以产生一组分频后时钟信号与一组分频后数据选通信号。多个信号恢复电路用以分别对...
  • 本发明提供一种解决单粒子反转的电路结构以及解决单粒子反转的方法。该电路结构包括由第一六晶体管静态存储器单元改造而成的三组二输入与非门,以及由至少一个第二六晶体管静态存储器单元改造而成的一个三输入或非门。三组与非门的输出连接至或非门的输入,以...
  • 本公开提供一种数据存储装置及其操作方法。根据本技术的具有提高的使用寿命的数据存储装置可以包括:存储器装置,包括多个存储器单元和电压生成器,多个存储器单元设置在字线和位线之间,电压生成器被配置为生成操作电压并将操作电压提供给多个存储器单元;以...
  • 本发明提供了一种面向边缘人工智能推理的RRAM存内计算电路装置,涉及RRAM存内计算电路设计技术领域。该装置包括:电源控制与输入驱动模块,用于输入边缘场景下人工智能推理任务的输入数据和权重数据;RRAM计算阵列,包括k×j个RRAM计算单元...
  • 本发明公开了一种非易失性两端存储器读取方法及相关产品,涉及半导体技术领域。非易失性两端存储器包括至少一个非易失性两端存储部,非易失性两端存储部至少包括开关单元和非易失性两端存储单元,该读取电路包括:预充电模块,其配置为对位线进行预充电,以产...
  • 本公开的实施例涉及用于内容可寻址存储器(CAM)单元的设备、系统及方法。每一CAM单元可包含存储信息位的锁存器部分。每一CAM单元还可包含将外部位与所述经存储位进行比较的比较器部分。CAM单元群组可被组织成CAM寄存器,其中每一CAM单元共...
  • 实施方式提高存储器系统的通信频带。实施方式的存储器系统(1)具备第1芯片(MC)和与第1芯片贴合的第2芯片(CC)。实施方式的存储器系统(1)具备半导体存储装置(4)和存储器控制器(3)。半导体存储装置(4)具备存储单元阵列(15)、控制存...
  • 本申请涉及数据突发的休闲节奏。可以为数据选通信号实施休闲节奏。例如,控制器可以在预热时段的一或多个预热循环期间根据第一速率或休闲节奏驱动数据选通信号。在所述预热时段结束之后,第二数据选通速率可以用于使用数据通道来传送用于读取操作或写入操作的...
  • 本申请提供了一种存储器的操作方法、存储器及存储器系统,涉及半导体芯片技术领域。操作方法包括在第一读取阶段,基于第一读取电压对多个存储单元执行感测操作,对多个存储单元执行感测操作的感测发展时长不小于第一发展时长。基于不同的感测发展时长,在第一...
  • 本申请各实施例提供一种存储器装置及其操作方法、存储器系统。其中,存储器装置包括:存储单元阵列,包括多个存储单元,预设个数的存储单元形成一个码字;外围电路,与存储单元阵列耦接且被配置为:响应于第一命令,获取至少一个码字在第K读取电压下对应的第...
  • 本发明提供了一种预测性读取阈值校准方法,其中使用专用硬件模块进行读取阈值校准。该硬件模块使用基于树的推理模型来生成基于多个读取阈值产生相应的推理结果的树。通过对这些树的这些推理结果求和来获得推理的读取阈值,并且使用该推理的读取阈值来对该存储...
  • 本发明提供一种芯片、芯片的制备方法以及电子设备,本发明提供的芯片包括:功能单元和可编程存储单元;所述可编程存储单元包括至少2个存储位,所述至少2个存储位被配置为表征所述功能单元的第一工作模式的功能码,且所述功能码中至少一个存储位处于可修改状...
  • 本申请公开了一种存储组件的读干扰计数方法及电子设备,涉及固态硬盘技术领域,包括识别当前读取的块和上次读取的块是否相同,相同则根据该块中字线的读干扰计数更新该块的第一读干扰数组的读干扰计数,根据更新后的第一读干扰数组更新该块的第二读干扰数组的...
  • 本申请属于动态随机存取存储器芯片领域,具体公开了一种三维2T0C‑DRAM存储阵列、损坏单元替换方法和存储器。通过本申请,快速地对故障2T0C‑DRAM存储单元进行检测,并且基于三维存储阵列的堆叠方式和替换写字线、替换读字线、替换写位线、替...
  • 本公开实施例公开了一种存储器及其操作方法、存储器系统、电子设备,该存储器包括:存储单元阵列,存储单元阵列包括主阵列和冗余阵列;其中,主阵列包括多个存储块,每个存储块耦接多条位线;冗余阵列耦接多条冗余位线,多条冗余位线中的修复位线被配置为修复...
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