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最新专利技术
  • 用于等离子体加工的方法和系统
    用于等离子体加工的方法和系统_东京毅力科创株式会社_202480024508.7
    一种用于等离子体加工工具的谐振器天线系统包括：谐振器天线，该谐振器天线在该谐振器天线上的第一点处耦合到RF源；电流平衡电路，该电流平衡电路在该谐振器天线上的第二点处耦合到该谐振器天线；第一电流传感器，该第一电流传感器耦合在该RF源与该谐振器...
    2025-12-12
  • 具有新型法拉第屏蔽的电感耦合等离子体装置
    具有新型法拉第屏蔽的电感耦合等离子体装置_应用材料股份有限公司_202480026751.2
    本发明提供一种天线总成。所述天线总成可包括具有回路结构的天线及相邻于天线的介电窗口。天线总成亦可包括设置于天线与介电窗口之间的法拉第屏蔽总成，其中法拉第屏蔽总成至少部分地围绕天线设置。法拉第屏蔽总成可包括彼此电性隔离开的多个金属区段，其中所...
    2025-12-12
  • 磁控管中的磁棒的在线调整
    磁控管中的磁棒的在线调整_梭莱先进镀膜工业公司_202480030178.2
    公开了一种用于控制磁控管溅射装置的磁结构(111)的控制组件(100)、包括所述组件的直列式溅射涂覆装置(400)以及相关的涂覆方法(500)。组件(100)包括细长支撑结构(150)，以及与其耦合的至少一个控制单元(130)、至少一个存储...
    2025-12-12
  • 半导体装置的制造方法及切割晶粒接合一体型膜
    半导体装置的制造方法及切割晶粒接合一体型膜_株式会社力森诺科_202480026792.1
    本发明公开一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括如下工序：准备具备切割晶粒接合一体型膜及多个半导体芯片的层叠体，所述切割晶粒接合一体型膜具备：切割膜(膜A)，其具有基材膜及设置于基材膜上的压敏胶黏剂层、及晶粒接合膜(膜B)，其...
    2025-12-12
  • 基片处理装置和基片处理方法
    基片处理装置和基片处理方法_东京毅力科创株式会社_202480030428.2
    本发明的一个方式的基片处理装置使用超临界状态的处理流体对基片进行处理，所述基片处理装置包括：处理容器，其具有所述基片的送入送出口，在内部形成能够利用所述处理流体对所述基片进行处理的处理空间；盖体，其用于将所述送入送出口开闭；内侧密封部件，其...
    2025-12-12
  • 半导体装置的制造方法及半导体装置
    半导体装置的制造方法及半导体装置_株式会社力森诺科_202380097622.8
    在本发明的半导体装置的制造方法中，首先，准备具有支撑基板(11A)、设置于支撑基板(11A)上的导电部(12A)及聚酰亚胺膜(13A)的基板(10A)。然后，通过飞切法切削聚酰亚胺膜(13A)的表面侧的部分(132)。在该半导体装置的制造方...
    2025-12-12
  • 安装装置
    安装装置_株式会社大桥制作所_202580002009.2
    本发明提供一种安装装置，通过从与加热器所包括的温度传感器不同的观点确认在生产中工件被热压接的状况，能够提高安装的可靠性。安装装置(1)的控制器(7)包括：施加信息取得部(11)，取得加压部利用安装工具(5)对工件(100)进行加压的时机以及...
    2025-12-12
  • 基板处理装置及基板处理方法
    基板处理装置及基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480028436.3
    本发明的课题在于提供一种使基板处理严格相同，并且干燥处理的性能及产能较高的基板处理装置。将通过姿势转换机构23转换为铅垂姿势的规定片数的基板W按序浸渍于药液处理槽CHB、液处理槽ONB中，将规定时间的液处理结束后的铅垂姿势的规定片数的基板W...
    2025-12-12
  • 基座支柱冷却系统
    基座支柱冷却系统_朗姆研究公司_202480030345.3
    本发明提供了一种用于在基座温度可能超过600℃的情况下有效冷却基座支柱的基座支柱冷却系统。该系统包括：基座，其具有被配置成在半导体处理操作期间支撑半导体晶圆的第一侧、以及与该第一侧相反的第二侧；支柱，其具有与该基座连接的第一端、以及定位成比...
    2025-12-12
  • 使用前侧照射之制造装置的变形控制
    使用前侧照射之制造装置的变形控制_应用材料公司_202480026984.2
    所揭露的系统及技术针对半导体制造的改良。在一个所揭露的实施例中，所揭露的系统及技术包括：在基板的前表面上沉积一个或多个膜；在该一个或多个所沉积的膜上形成应力补偿层(SCL)，该SCL致使该基板中的应力改变；使该SCL经受应力减缓射束以减小该...
    2025-12-12
  • 用于高深宽比装置图案化的硬掩模中的金属导入
    用于高深宽比装置图案化的硬掩模中的金属导入_应用材料公司_202480027643.7
    一种用于使含硼硬掩模图案化的方法包括使在含硼硬掩模上形成的氧化物硬掩模图案化；及使用此图案化氧化物硬掩模使此含硼硬掩模图案化，其中此氧化物硬掩模包含氧化硅(SiO2)，此含硼硬掩模掺杂有一或多种金属元素，且此含硼硬掩模的此图案化包含使用包含...
    2025-12-12
  • 先进半导体封装制造中增强混合黏接良率的整合检测
    先进半导体封装制造中增强混合黏接良率的整合检测_应用材料公司_202480027258.2
    本文提供利用检测的混合黏接的方法及设备。在一些实施例中，一种利用检测的混合黏接的方法包括：经由第一清洁腔室清洁基板，及经由第二清洁腔室清洁具有多个小芯片的带框；经由第一计量系统在第一计量腔室中检测基板的黏接前缺陷，及在第二计量腔室中检测带框...
    2025-12-12
  • 具有各自具有多个接触区域的凸块互连件的集成电路(IC)芯片、相关IC封装和制造方法
    具有各自具有多个接触区域的凸块互连件的集成电路(IC)芯片、相关IC封装和制造方法_高通股份有限公司_202480030204.1
    电路封装中的底部填充物和凸块互连件在热回流工艺期间以不同速率膨胀，在凸块互连件的被耦接到金属焊盘的一端处产生应力。在导电柱与金属焊盘之间具有多个隔离的接触区域而不是单个较大连续接触区域的凸块互连件可以使应力的集中分散以降低峰值应力，这减少了...
    2025-12-12
  • 绝缘膜形成材料、绝缘膜形成材料试剂盒、半导体装置的制造方法及半导体装置
    绝缘膜形成材料、绝缘膜形成材料试剂盒、半导体装置的制造方法及半导体装置_艾曲迪微系统股份有限公司_202480029305.7
    一种绝缘膜形成材料，其包含第一成分和第二成分，所述第一成分为聚酰亚胺前体和聚酰亚胺树脂中的至少一者，且固化后的线膨胀系数为1ppm/K～25ppm/K，所述聚酰亚胺前体为选自由聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚酰胺酸盐和聚酰胺酸酰胺组成的组中的至少1...
    2025-12-12
  • 液状压缩模制材料、电子部件、半导体装置以及电子部件的制造方法
    液状压缩模制材料、电子部件、半导体装置以及电子部件的制造方法_纳美仕有限公司_202480030506.9
    抑制压缩成型时的溢料的发生。一种液状压缩模制材料、使用其制造的电子部件和半导体装置、以及使用其的电子部件的制造方法，其中，所述液状压缩模制材料包含：(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)无机填充材料、以及(D)乙烯基系聚合物。
    2025-12-12
  • 热调节半导体装置
    热调节半导体装置_美光科技公司_202480023313.0
    提供一种半导体装置组合件。所述半导体装置组合件可包含衬底及一或多个半导体裸片。所述半导体装置组合件可进一步包含能够消散来自所述半导体装置组合件的热的导热材料(例如，碳纳米管、石墨烯)。如此一来，可组装热调节半导体装置。
    2025-12-12
  • 在封装基板的芯中具有嵌入式电子组件的封装基板
    在封装基板的芯中具有嵌入式电子组件的封装基板_高通股份有限公司_202480026451.4
    在一方面，公开了一种电子设备，包括：芯，该芯具有上平面表面和内部平面表面；腔，该腔至少部分地穿过芯的上平面表面延伸至该芯的内部平面表面；电子组件，该电子组件搭载在腔中，该电子组件包括具有一个或多个电子组件端子的上平面表面，其中该电子组件由芯...
    2025-12-12
  • 具有使用塞孔油墨安装在芯的腔中的电子组件的基板及用于制造该基板的方法
    具有使用塞孔油墨安装在芯的腔中的电子组件的基板及用于制造该基板的方法_高通股份有限公司_202480028476.8
    在一方面，公开了一种电子器件，该电子器件包括基板，该基板包括具有上平面表面和下平面表面的芯，其中该芯包括在芯的上平面表面与芯的下平面表面之间延伸的腔；电子组件，其至少部分地被布置在腔中，其中该电子组件被经固化塞孔油墨至少部分地包围在腔中，该...
    2025-12-12
  • 石墨烯后端工艺集成互连结构
    石墨烯后端工艺集成互连结构_目的地2D公司_202480030076.0
    一种互连结构，包括：第一BEOL(后端工艺)层级，其包括第一MLG(多层石墨烯)层，第一MLG层包括至少一个MLG材料第一线结构；以及第一隔离层，其包括电绝缘材料并设置在所述至少一个MLG材料第一线结构的上方和旁边；第二BEOL层级，其包括...
    2025-12-12
  • 正极活性材料、正极及锂二次电池
    正极活性材料、正极及锂二次电池_株式会社LG化学_202480026151.6
    本发明涉及一种正极活性材料以及包含该正极活性材料的正极和锂二次电池，所述正极活性材料能够同时解决常规二次颗粒和单颗粒的问题，其中，所述正极活性材料包括二次颗粒，所述二次颗粒包含与常规单颗粒相同的颗粒作为一次颗粒并通过聚集多个一次颗粒而形成，...
    2025-12-12
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