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最新专利技术
  • 同时适配P-on-N和N-on-P读出电路的InAs-GaSb二类超晶格红外探测器材料
    同时适配P-on-N和N-on-P读出电路的InAs-GaSb二类超晶格红外探测器材料_浙江焜腾红外技术股份有限公司_202511228372.4
    本发明公开了同时适配P‑on‑N和N‑on‑P读出电路的InAs‑GaSb二类超晶格红外探测器材料，包括有pBπBp型InAs/GaSb超晶格材料或者nBπBn型InAs/GaSb超晶格材料。本发明的InAs‑GaSb二类超晶格红外探测器材...
    2025-12-30
  • 带AlSb/AlAsSb超晶格势垒的高工作温度中波红外探测器材料
    带AlSb/AlAsSb超晶格势垒的高工作温度中波红外探测器材料_浙江焜腾红外技术股份有限公司_202511228373.9
    本发明公开了带AlSb/AlAsSb超晶格势垒的高工作温度中波红外探测器材料，包括有从下往上依次设置的GaSb衬底、n+型InAsSb下接触层、非掺或低掺InAsSb吸收区、p型AlSb/AlAsSb超晶格势垒、p+型GaSb上接触层。本发...
    2025-12-30
  • 一种双极性响应自供电宽光谱光电探测器及其制备方法
    一种双极性响应自供电宽光谱光电探测器及其制备方法_中国科学院赣江创新研究院_202511256294.9
    本发明提供了一种双极性响应自供电宽光谱光电探测器及其制备方法。所述双极性响应自供电宽光谱光电探测器包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、n型半导体层和p型半导体层；所述p型半导体层远离n型半导体层的一侧表面设置有金属电极；所述n型半导体层的材质包...
    2025-12-30
  • 一种神经形态的光电器件及制备方法及电子设备
    一种神经形态的光电器件及制备方法及电子设备_复旦大学_202511283296.7
    本发明了一种神经形态的光电器件及制备方法及电子设备，包括依次层叠的衬底、底电极、第一氧化锌层、第二氧化锌层以及顶电极。由于第一氧化锌层的含氧浓度大于第二氧化锌层的含氧浓度，因此双层结构中会形成异质结和氧空位梯度，以使光电器件根据光刺激产生神...
    2025-12-30
  • 雪崩倍增光电探测器及制备方法
    雪崩倍增光电探测器及制备方法_国科大杭州高等研究院_202511678221.9
    本发明涉及光电探测技术领域，提供一种雪崩倍增光电探测器及制备方法，探测器包括超表面结构、第二掺杂层及依次层叠布置的第一掺杂层、倍增层、电荷层、吸收层和介质超表面层，超表面结构设置于介质超表面层，或设置于介质超表面层和吸收层靠近介质超表面层的...
    2025-12-30
  • 半导体器件及电子装置
    半导体器件及电子装置_清华大学_202511652971.9
    本申请公开了一种半导体器件及电子装置，半导体器件包括依次层叠设置的第一电极、有源区以及第二电极，有源区包括沿远离第一电极方向层叠设置的第一掺杂结构、第二掺杂结构及第三掺杂结构，第一掺杂结构与第三掺杂结构为第一导电类型掺杂，第二掺杂结构为第二...
    2025-12-30
  • 光电探测器及其制备方法、可见-红外双波段成像系统
    光电探测器及其制备方法、可见-红外双波段成像系统_西安电子科技大学_202511210004.7
    本发明公开一种光电探测器及其制备方法、可见—红外双波段成像系统，属于半导体光电子集成领域，该光电探测器包括：具有热释电特性的衬底；位于衬底上表面的绝缘层；垂直异质结，包括双极性半导体层和位于其上表面的沟道半导体层，双极性半导体层位于开口区域...
    2025-12-30
  • 一种耐高温智能光电传感器及其制备方法
    一种耐高温智能光电传感器及其制备方法_华中科技大学_202511444652.9
    本发明公开了一种耐高温智能光电传感器及其制备方法，属于光电传感器技术领域，包括基底层和设置在基底层上的源漏电极层和栅极电极层；栅极电极层上设有二维的二硫化钼；以及第一耐热层与第二耐热层，二硫化钼设置在第一耐热层与第二耐热层之间；二硫化钼分别...
    2025-12-30
  • 一种掺杂氧化镍掩埋型α粒子探测器及制备方法
    一种掺杂氧化镍掩埋型α粒子探测器及制备方法_江西省通讯终端产业技术研究院有限公司_202511173349.X
    本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种掺杂氧化镍掩埋型α粒子探测器及制备方法。该掺杂氧化镍掩埋型α粒子探测器，包括氧化铝单晶、锌掺杂弱P型氧化镍掩埋区域、强P型氧化镍掩埋区域、低阻氧化锌区域、绝缘层、收集电极和栅电极。本发明设计了掺杂氧...
    2025-12-30
  • 一种掺杂氧化镍掩埋型中子探测器及制备方法
    一种掺杂氧化镍掩埋型中子探测器及制备方法_江西省通讯终端产业技术研究院有限公司_202511173457.7
    本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种氧化镍掩埋型中子探测器及制备方法。该氧化镍掩埋型中子探测器包括氧化铝单晶、锌掺杂弱P型氧化镍掩埋区域、强P型氧化镍掩埋区域、低阻氧化锌区域、绝缘层、收集电极、栅电极和中子转换材料填充区域。本发明设计...
    2025-12-30
  • 一种耗尽型镍锌氧带电粒子探测器及制备方法
    一种耗尽型镍锌氧带电粒子探测器及制备方法_江西省通讯终端产业技术研究院有限公司_202511173550.8
    本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种耗尽型镍锌氧带电粒子探测器及制备方法。该耗尽型镍锌氧带电粒子探测器，包括氧化铝单晶、镍锌氧区域、低阻氧化锌区域、绝缘层和金属电极。本发明设计了耗尽型镍锌氧带电粒子探测器，对探测灵敏区的背底载流子浓...
    2025-12-30
  • 一种耗尽型镍锌氧中子探测器及制备方法
    一种耗尽型镍锌氧中子探测器及制备方法_江西省通讯终端产业技术研究院有限公司_202511173690.5
    本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种耗尽型镍锌氧中子探测器及制备方法。包括氧化铝单晶、镍锌氧区域、低阻氧化锌区域、绝缘层、收集电极、栅电极和中子转换材料填充区域。本发明设计了耗尽型镍锌氧中子探测器，对探测灵敏区的背底载流子浓度进行了...
    2025-12-30
  • 一种基于氧化锌/镁锌氧结构中子探测器及制备方法
    一种基于氧化锌/镁锌氧结构中子探测器及制备方法_江西省通讯终端产业技术研究院有限公司_202511173798.4
    本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种基于氧化锌/镁锌氧结构的半导体中子探测器及制备方法。该基于氧化锌/镁锌氧结构的半导体中子探测器包括氧化铝单晶、高阻镁锌氧区域、空穴导电氧化层区域、低阻氧化锌区域、绝缘层、收集电极、栅电极和中子转换...
    2025-12-30
  • 一种氧化锌/镁锌氧结构α粒子探测器及制备方法
    一种氧化锌/镁锌氧结构α粒子探测器及制备方法_江西省通讯终端产业技术研究院有限公司_202511174284.0
    本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种氧化锌/镁锌氧α粒子探测器及制备方法。该氧化锌/镁锌氧α粒子探测器包括氧化铝单晶、高阻镁锌氧区域、空穴导电氧化层区域、低阻氧化锌区域、绝缘层、收集电极和栅电极。本发明设计了氧化锌/镁锌氧结构α粒子...
    2025-12-30
  • 薄膜晶体管、光电二极管以及荧光探测器
    薄膜晶体管、光电二极管以及荧光探测器_惠科股份有限公司_202511073680.4
    本申请提供一种薄膜晶体管、光电二极管以及荧光探测器，薄膜晶体管包括基板、有源层、纳米薄膜层、源极、漏极以及栅极；有源层设置于基板的一侧；其中，有源层包括沟道区和位于沟道区两端的第一掺杂区和第二掺杂区；纳米薄膜层至少部分设置于有源层背离基板的...
    2025-12-30
  • 阵列光电转换器、光电转换设备及供电系统
    阵列光电转换器、光电转换设备及供电系统_艾科思电子科技(常州)有限公司_202511294250.5
    本发明公开了一种阵列光电转换器、光电转换设备及供电系统，属于光电转换器件的技术领域，该阵列光电转换器包括至少一组转换单元，所述转换单元的第一端接入公共阴极，所述转换单元的第二端接入公共阳极；其中，所述转换单元包括雪崩光电二极管、耦合电容和淬...
    2025-12-30
  • 图像传感器装置及其形成方法
    图像传感器装置及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511018220.1
    本发明提供一种图像传感器装置，图像传感器装置的半导体管芯包括半导体管芯衬底层中的掺杂井区。掺杂井区可能包括在延伸导电结构的相邻处，该延伸导电结构垂直穿过衬底层延伸到衬底层相对侧的内连线层中。掺杂井区在延伸导电结构和衬底层(可能由一种或多种半...
    2025-12-30
  • 用于图像传感器的半导体器件和制造用于图像传感器的半导体器件的方法
    用于图像传感器的半导体器件和制造用于图像传感器的半导体器件的方法_华为技术有限公司_202410733797.X
    本申请的实施例提供了一种用于图像传感器的半导体器件和相关方法。该半导体器件包括：半导体衬底、TG和FD；半导体衬底包括用于设置TG的上表面和与上表面相对的下表面，其中，上表面包括第一区域和第二区域；TG形成在第一区域上，其中，TG的至少一部...
    2025-12-30
  • 影像感测器
    影像感测器_采钰科技股份有限公司_202411276361.9
    本公开内容提供一种影像感测器。影像感测器包括单元。单元包括相位检测自动对焦像素、多个感测像素及遮光网格。相位检测自动对焦像素在基板上，其中相位检测自动对焦像素包括四个光电二极管及在四个光电二极管上的第一彩色滤光层。感测像素在基板上及围绕相位...
    2025-12-30
  • 图像传感器及其制造方法
    图像传感器及其制造方法_三星电子株式会社_202510199810.2
    提供了图像传感器及其制造方法。图像传感器包括基板、在基板中由隔离结构限定的像素区、在像素区上的第一浮动扩散区、在基板上的源极跟随器栅电极、以及在隔离结构上的第一掩埋线。第一掩埋线将第一浮动扩散区电连接到源极跟随器栅电极，并且第一掩埋线设置在...
    2025-12-30
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