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最新专利技术
  • 一种电池组件和光伏系统
    一种电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511534957.9
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种电池组件和光伏系统。电池组件包括：第一背接触电池片，包括若干第一主栅和若干第一连接栅，第一主栅沿第一方向排列并沿第二方向延伸，第一连接栅沿第一方向延伸，连接第一主栅；第二背接触电池片，包括若干第二主...
    2025-12-30
  • 太阳能电池片和太阳能电池串组
    太阳能电池片和太阳能电池串组_天合光能股份有限公司_202511595064.5
    本发明提供一种太阳能电池片和太阳能电池串组，其包括电池片主体和设置在电池片主体的第一表面的副栅结构，电池片主体的第一表面划分有常规区域和环绕在常规区域周围的加强区域；副栅结构包括相互平行的至少四个第一副栅线，第一副栅线的中心段和位于中心段两...
    2025-12-30
  • 一种背接触电池组件及光伏系统
    一种背接触电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511666237.8
    本发明公开了一种背接触电池组件及光伏系统，涉及光伏电池技术领域。背接触电池组件包括沿第一方向排布并电连接的多个电池串，每个电池串均包括沿第二方向排布并电连接的多个电池片；相邻的两个电池串之间局部交叠设置，单一电池片被相邻的电池串覆盖的区域为...
    2025-12-30
  • TOPcon电池及其制备方法
    TOPcon电池及其制备方法_正泰新能科技股份有限公司_202411961538.9
    本发明提供了一种TOPcon电池及其制备方法，包括：N型衬底，N型衬底具有相对设置的正面和背面；形成在正面表面的第一隧穿层；形成在第一隧穿层表面的氮磷双掺多晶硅层；形成在氮磷双掺多晶硅层表面的掺磷多晶硅层；形成在衬底正面的第一叠层钝化层；形...
    2025-12-30
  • 一种电池结构、电池组件及镀膜方法
    一种电池结构、电池组件及镀膜方法_正泰新能科技股份有限公司_202510397728.0
    本申请公开了一种电池结构、电池组件及镀膜方法，属于镀膜技术领域，该电池结构，包括：电池片；电池片具有至少一个切割面；切割面设置有第一钝化层；切割面包括激光切割面和应力切割面；在切割面的长度方向上，激光切割面位于切割面的两端，应力切割面位于两...
    2025-12-30
  • 一种太阳能电池及光伏组件
    一种太阳能电池及光伏组件_正泰新能科技股份有限公司_202510399132.4
    本申请公开了一种太阳能电池及光伏组件，属于光伏技术领域，该太阳能电池包括：电池片；电池片至少一侧侧面形成有切割面，除切割面外的电池片侧面是非切割面；非切割面设置有沿背离非切割面方向依次设置的第一钝化层和第二钝化层，第二钝化层是氢钝化层，且第...
    2025-12-30
  • 一种背接触电池及其制备方法、背接触叠层电池和光伏组件
    一种背接触电池及其制备方法、背接触叠层电池和光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511657373.0
    本申请涉及光伏技术领域，特别是一种背接触电池及其制备方法、背接触叠层电池和光伏组件。背接触电池包括基底和第一钝化结构，基底的第一表面层叠设置有第一氢化非晶氧化硅层、第二氢化非晶氧化硅层和P型掺杂层，其中，第一氢化非晶氧化硅层的氧掺比为X1，...
    2025-12-30
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511660461.6
    本申请涉及光伏技术领域，提供一种光伏组件，至少有利于提高光伏组件的美观度和效率。光伏组件包括：电池片，电池片包括相对的第一面和第二面；隔离膜，隔离膜覆盖多个电池片的第一面，隔离膜包括透光部和反光部，透光部位于第一面，反光部位于相邻的电池片之...
    2025-12-30
  • 透明膜带、光伏组件及光伏组件封装方法
    透明膜带、光伏组件及光伏组件封装方法_通威太阳能(合肥)有限公司_202511171435.7
    本申请涉及一种透明膜带、光伏组件及光伏组件封装方法，透明膜带包括第一透光层、第二透光层和反光微结构层，第二透光层和第一透光层沿厚度方向间隔设置，第二透光层用于与光伏组件的盖板的背面相连接，反光微结构层叠设于第一透光层和第二透光层之间，反光微...
    2025-12-30
  • 光伏组件
    光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511651777.9
    本申请涉及光伏组件，包括背接触电池主体和光存储层，背接触电池主体包括背接触电池和光转换层，光转换层设于背接触电池的受光面，光存储层通过合页结构与背接触电池主体连接，光存储层能够至少部分覆盖光转换层。光转换层可将晶硅难以吸收的紫外光、长波红外...
    2025-12-30
  • 一种太阳能电池及RCA清洗方法
    一种太阳能电池及RCA清洗方法_正泰新能科技股份有限公司_202510106465.3
    本申请公开了一种太阳能电池及RCA清洗方法，属于太阳能电池技术领域。本申请可以确保完全去除非栅线区域掺杂多晶硅层及底层衬底中掺杂离子，从而可以极大地降低寄生吸收，进而可以提高电池效率，同时有效避免了栅线区和非栅线区接触导致短路的情况；同时一...
    2025-12-30
  • 一种背接触电池、电池组件、光伏系统及其制造方法
    一种背接触电池、电池组件、光伏系统及其制造方法_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511272177.1
    本发明适用于光伏技术领域，提供了一种背接触电池、电池组件、光伏系统及其制造方法，该背接触电池包括：N型半导体基底，N型半导体基底具有相对设置的向光面和背光面，在背光面具有间隔设置的若干P型掺杂区域和N型掺杂区域；P型掺杂区域包括设置在背光面...
    2025-12-30
  • 一种太阳能电池以及光伏组件
    一种太阳能电池以及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511612306.7
    本发明涉及一种太阳能电池以及光伏组件，该太阳能电池中，太阳能电池包括硅基底、第一半导体层和导电层；第一半导体层设置在硅基底的至少一个表面；导电层设置在第一半导体层背离硅基底的一面；硅基底的至少部分表面区域具有金字塔结构，第一半导体层随形沉积...
    2025-12-30
  • 光伏电池及光伏电池的制备方法
    光伏电池及光伏电池的制备方法_晶科能源(海宁)有限公司_202511666210.9
    本申请涉及一种光伏电池及光伏电池的制备方法。光伏电池包括：基板，基板具有绒面，绒面包括多个第一金字塔和多个第二金字塔，多个第二金字塔布置于多个第一金字塔之间；第二金字塔的塔基尺寸大于第一金字塔的塔基尺寸，第二金字塔的塔高大于第一金字塔的塔高...
    2025-12-30
  • 具有微米孔的外延结构的制备方法及外延结构
    具有微米孔的外延结构的制备方法及外延结构_山西中科潞安紫外光电科技有限公司_202511332501.4
    本发明涉及一种具有微米孔的外延结构的制备方法及外延结构，属于外延片制作技术领域。包括：在衬底表面依次生长AlN缓冲层、含有纳米级别的空气隙的Si掺杂3D AlN层、高温AlN层、n型AlGaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN层...
    2025-12-30
  • 一种阶梯量子阱硅基绿光LED外延薄膜及其生长方法
    一种阶梯量子阱硅基绿光LED外延薄膜及其生长方法_南京盛鑫半导体材料有限公司_202511278283.0
    本发明公开了一种阶梯量子阱硅基绿光LED外延薄膜及其生长方法，所述外延薄膜包括渐变In组分多量子预阱层和渐变In组分多量子阱有源层，渐变In组分多量子预阱层包括第一GaN垒层、多组低In组分InGaN外延对，渐变In组分多量子阱有源层包括多...
    2025-12-30
  • 一种双异质结远UVC外延结构及其制备方法
    一种双异质结远UVC外延结构及其制备方法_武汉大学_202511162081.X
    本发明公开了一种双异质结远UVC外延结构及其制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明的外延结构由下至上依次包括：蓝宝石衬底、PVD AlN层、高温AlN层、AlN/AlGaN超晶格过渡层、Si掺杂的n型AlGaN层、双异质结AlGaN量子阱...
    2025-12-30
  • 基于AlInN空穴注入隧道结层的外延结构和深紫外光电器件
    基于AlInN空穴注入隧道结层的外延结构和深紫外光电器件_厦门大学_202511311853.1
    本申请涉及半导体领域，公开了一种基于AlInN空穴注入隧道结层的外延结构和深紫外光电器件，包括衬底，位于衬底的上表面并在远离衬底方向上依次层叠的缓冲层、超晶格层、n型半导体层、多量子阱层和隧道结层，隧道结层包括重掺杂的p型AlInN空穴注入...
    2025-12-30
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511321496.7
    本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，所述发光二极管包括：衬底；N型GaN层，位于衬底上；第一外延结构，位于N型GaN层上，所述第一外延结构包括有源层，所述第一外延结构的侧壁为GaN晶体的M面；第二外延结构，位于第一外延结构上，所述第二外...
    2025-12-30
  • 一种LED芯片及半导体发光装置
    一种LED芯片及半导体发光装置_天津三安光电有限公司_202511120012.2
    本发明提供一种LED芯片及半导体发光装置，LED芯片在半导体外延叠层的背面形成有介质层、反射层及金属层，该反射层包括布拉格反射层和界面层，所述布拉格反射层包括交替叠置高折射率材料层和低折射率材料层，所述界面层的折射率高于所述布拉格反射层中的...
    2025-12-30
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