Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 离轴照明光刻掩模及其制备方法、光刻系统
    离轴照明光刻掩模及其制备方法、光刻系统_中国科学院光电技术研究所_202511866350.0
    本公开提供了一种离轴照明光刻掩模及其制备方法、光刻系统，可应用于微纳加工与先进光刻技术领域，该光刻掩模包括：掩模基底，包括相对设置的第一表面和第二表面；光刻掩模图形结构，位于掩模基底的第二表面；入光部，位于掩模基底的第一表面，入光部包括多个...
    2026-05-14
  • 反射型光掩模坯料和制造反射型光掩模的方法
    反射型光掩模坯料和制造反射型光掩模的方法_信越化学工业株式会社_202510969186.X
    提供包括基板、多层反射膜、保护膜和具有相移功能的吸光膜的反射型掩模坯料。吸光膜含有钌、钽和氮并且不含氧，且钌含量为80至90原子％、钽含量为5至15量％、氮含量为不大于10原子％，具有38至50nm的厚度和对于为在极紫外范围内的光的曝光光为...
    2026-05-14
  • 相移掩膜版图形成方法、装置、计算机设备、存储介质
    相移掩膜版图形成方法、装置、计算机设备、存储介质_北京超弦存储器研究院_202410954704.6
    本申请涉及一种相移掩膜版图形成方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取初始的掩膜版图，掩膜版图包括位于透光区的主图形；基于初始的掩膜版图进行曝光模拟，获取出现旁瓣图形的旁瓣位置区；根据旁瓣位置区，在主图形中确定目...
    2026-05-14
  • 相移掩模及其制备方法
    相移掩模及其制备方法_中国科学院光电技术研究所_202511910350.6
    本公开提供了一种相移掩模及其制备方法，属于掩模制备技术领域。相移掩模包括：掩模基底，包括第一表面；相移结构，嵌设于掩模基底内；其中，相移结构的暴露表面与掩模基底的第一表面共面；以及掩模图形，覆盖相移结构的暴露表面的预设区域以及掩模基底的第一...
    2026-05-14
  • OPC修正方法、版图及半导体器件
    OPC修正方法、版图及半导体器件_重庆芯联微电子有限公司_202511654793.3
    本发明提供了一种OPC修正方法、版图及半导体器件，属于半导体领域。该OPC修正方法包括提供一版图，所述版图包括若干原始图形。在所述第一凹角转角处朝向所述凸角转角的方向内挖，形成凹槽，以获取修正图形，所述凹槽在所述第一边沿第一方向延伸的第一长...
    2026-05-14
  • 一种掩模版检测卡盘
    一种掩模版检测卡盘_北京电子量检测装备有限责任公司_202511774192.6
    本发明涉及一种掩模版检测卡盘，涉及掩模版检测装置技术领域, 包括基板和至少两个用于挤压掩模版的夹持组件，所述基板的一侧开设有置物槽，所述置物槽具有四个槽壁，且其中相互垂直的两个槽壁分别为第一夹持面和第二夹持面，所述基板还开设有多个均连通所述...
    2026-05-14
  • 一种复制模具结构、纳米压印结构制备方法
    一种复制模具结构、纳米压印结构制备方法_苏州光越微纳科技有限公司_202511782991.8
    本发明提供一种纳米压印结构制备方法，采用本发明提供的复制模具结构；所述方法包括：制备得到复制模具；在产品基底表面涂覆产品胶形成所述产品胶层；将所述复制模具压合于所述产品胶层上，使产品胶填充所述模具胶层的纳米结构并经固化形成复合结构；将所述模...
    2026-05-14
  • 正型感光性树脂组合物、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜和抗蚀剂永久膜
    正型感光性树脂组合物、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜和抗蚀剂永久膜_DIC株式会社_202510538758.9
    本发明提供正型感光性树脂组合物、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜和抗蚀剂永久膜。本发明提供一种正型感光性树脂组合物，其可得到显影性和耐热性优异的抗蚀剂膜、且保存稳定性和厚膜制膜性良好。一种正型感光性树脂组合物，其含有下述成分(A)～(C)，(A)由间...
    2026-05-14
  • 一种柔性树脂版用感光弹性体组合物及含有该感光弹性体组合物的柔性树脂版
    一种柔性树脂版用感光弹性体组合物及含有该感光弹性体组合物的柔性树脂版_乐凯华光印刷科技有限公司_202511551861.3
    本发明提供一种柔性树脂版用感光弹性体组合物及含有该感光弹性体组合物的柔性树脂版，采用高效肟酯引发剂能提高感光层的感度，还能减少版面发粘现象；同时为了防止引发剂过度所产生的感光弹性体发脆问题，在柔性树脂版用感光弹性体中引入高分子液态环己烷‑1...
    2026-05-14
  • 一种高亮度、高对比的光刻胶及其制备方法
    一种高亮度、高对比的光刻胶及其制备方法_光卓新材料(江苏)有限公司_202511896199.5
    本申请涉及光刻胶制备技术领域，特别涉及一种高亮度、高对比的光刻胶及其制备方法，按照质量份数计，所述高亮度、高对比的光刻胶包括改性树脂溶液35~40份，光敏组分8~10份，颜料4~5份，添加剂4~5份，溶剂45~50份；所述改性树脂溶液的制备...
    2026-05-14
  • 抗蚀剂膜成膜方法、抗蚀剂膜成膜装置以及存储介质
    抗蚀剂膜成膜方法、抗蚀剂膜成膜装置以及存储介质_东京毅力科创株式会社_202510954037.6
    本公开涉及一种抗蚀剂膜成膜方法、抗蚀剂膜成膜装置以及存储介质，在通过气体处理在基板形成抗蚀剂膜时提高处理效率。本公开的抗蚀剂膜成膜方法包括以下工序：成膜工序，将包括保存基板的处理容器内的处理空间的调整区域设为第二气氛，向所述第二气氛的所述处...
    2026-05-14
  • 套刻对准标记和套刻误差的测量方法
    套刻对准标记和套刻误差的测量方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410942016.8
    一种套刻对准标记和套刻误差的测量方法，套刻对准标记包括：前层标记，在平行于前层标记表面的方向上，前层标记具有第一几何中心；当层标记，位于前层标记的上方，在平行于当层标记表面的方向上，当层标记具有第二几何中心，且在同一投影面上，当层标记的投影...
    2026-05-14
  • 套刻误差的测量方法及系统、装置、程序产品和存储介质
    套刻误差的测量方法及系统、装置、程序产品和存储介质_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410942024.2
    一种套刻误差的测量方法及系统、装置、程序产品和存储介质，套刻误差的测量方法包括：获取第一状态下的产品晶圆和参考晶圆的第一参考套刻误差，第一参考套刻误差为产品晶圆上的第一前层套刻标记与参考晶圆上的第二前层套刻标记之间的套刻误差；获取第二状态下...
    2026-05-14
  • 一种光刻机垂向参数补偿方法及系统
    一种光刻机垂向参数补偿方法及系统_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410954385.9
    本申请公开了一种光刻机垂向参数补偿方法及系统，属于半导体领域，该方法包括：在对产品各个曝光场进行曝光前，获取各个曝光场的垂向面型；对各个曝光场的垂向面型进行拟合，得到各个曝光场的垂向参数实际值；垂向参数实际值包括Z向高度实际值、绕X向倾斜实...
    2026-05-14
  • 电子装置的制造方法
    电子装置的制造方法_群创光电股份有限公司_202510257101.5
    本揭露提供一种电子装置的制造方法。电子装置的制造方法包括以下步骤：提供具有容置空间的透明载板，其中透明载板具有第一记号；设置样品于透明载板的容置空间中，其中样品具有第二记号；根据第一记号、第二记号以及标准值计算样品的偏移量；以及根据偏移量，...
    2026-05-14
  • 一种高数值孔径极紫外光刻系统及光刻方法
    一种高数值孔径极紫外光刻系统及光刻方法_广州市君盘实业股份有限公司_202511345207.7
    本发明提供一种高数值孔径极紫外光刻系统及光刻方法。该系统通过双光瞳分次曝光的通带限域结构，以余弦权重融合晶圆曝光剂量，叠加物理耗散装置选择性耦合光瞳面奇对称模式，避免杂散能量回灌成像通道；并引入双通道暗端口干涉结构实时监测并校正晶圆倾斜与离...
    2026-05-14
  • 一种高效浸没式超分辨光刻方法及光刻晶圆
    一种高效浸没式超分辨光刻方法及光刻晶圆_中国科学院光电技术研究所_202511365161.5
    本发明涉及超分辨成像技术领域，特别涉及一种高效浸没式超分辨光刻方法及光刻晶圆。制备方法包括如下步骤：在裸晶圆或结构晶圆上依次制备第一金属层、感光膜层和第二金属层，形成待曝光晶圆；在所述待曝光晶圆表面进行整片浸没液喷涂，利用掩模版对整片浸没液...
    2026-05-14
  • 一种利用光刻曝光参数补偿基于AIMS的掩膜误差的方法
    一种利用光刻曝光参数补偿基于AIMS的掩膜误差的方法_兴华芯(绍兴)半导体科技有限公司_202511602511.5
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种利用光刻曝光参数补偿基于AIMS的掩膜误差的方法，包括以下步骤：S10，获取AIMS检测阶段的误差信息，所述误差信息包括误差参数及其对应的误差量及缺陷位置；S40，根据所述误差量确定所述缺陷位置的...
    2026-05-14
  • 一种基于接近式光刻的柔性凹角超疏表面加工方法
    一种基于接近式光刻的柔性凹角超疏表面加工方法_安徽大学_202511627780.7
    本发明涉及新材料技术领域，具体涉及一种基于接近式光刻的柔性凹角超疏表面加工方法，通过一次近距离短时间曝光一个下垂沿，然后通过一次远距离长时间曝光将同心圆孔和圆环原本不透光的部分固化，即可得到双凹角微结构，无需多次正反面对准曝光即可使用接近式...
    2026-05-14
  • 一种立式CTS光刻设备
    一种立式CTS光刻设备_三卿光学(深圳)有限公司_202511634906.3
    本发明涉及一种立式CTS光刻设备，包括机架，机架上设置有用于对网框进行夹持的夹持机构和对夹持的网框背面进行曝光的曝光机构，所述曝光机构包括设置在机架上且能够横向和竖向移动的曝光移动结构，曝光移动结构上设置有点激光组件和曝光调节电机，曝光调节...
    2026-05-14
首页 上一页 10 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证