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最新专利技术
  • 晶体生长方法及其装置
    晶体生长方法及其装置_厦门钨业股份有限公司_202511996097.0
    本发明属于晶体制备技术领域，公开了一种晶体生长方法及其装置，晶体生长在控温内胆的腔体中进行。腔体内自上而下分别设有独立控温的上温区、梯度区和下温区，上温区的温度可设定为第一预设温度，且第一预设温度高于梯度区的温度，梯度区自上而下按照预设降温...
    2026-03-11
  • 一种单晶炉
    一种单晶炉_青海晶科能源有限公司_202511725704.X
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种单晶炉，单晶炉中主加热器与坩埚的埚邦固定连接，通过第一脚板和第二脚板与第一导轨和第二导轨滑动连接，实现坩埚转动时主加热器同步转动，同时通过第一电极柱和第二电极柱供电。在使用过程中，主加热器紧贴埚邦外壁，由埚...
    2026-03-11
  • 一种长晶温度场改善方法及装置
    一种长晶温度场改善方法及装置_哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司_202511730550.3
    本发明涉及长晶温度场技术领域，且公开了一种长晶温度场改善方法及装置包括制晶炉装置，所述制晶炉装置包括：制晶炉外壳和液压杆，所述制晶炉外壳的侧面与液压杆的侧面固定连接，所述制晶炉外壳的顶部固定连接有红外测温仪，所述制晶炉装置的顶部活动套接有制...
    2026-03-11
  • 一种用于单晶炉自动挂料取料的对接装置与对接系统
    一种用于单晶炉自动挂料取料的对接装置与对接系统_南京晶能半导体科技有限公司_202511748507.X
    本发明公开了一种用于单晶炉自动挂料取料的对接装置与对接系统，包括锁紧套、导向套、弹性装置、驱动装置和限位球，限位球定位于锁紧套的通孔内且自由移动和转动；初始时，驱动装置驱动导向套靠近锁紧套，弹性装置压缩变形，直至限位球部分位于导向套槽内，在...
    2026-03-11
  • 一种降低红外锗单晶原生坑洞的方法
    一种降低红外锗单晶原生坑洞的方法_南京伟创电子有限公司_202511959069.1
    本发明公开了一种降低红外锗单晶原生坑洞的方法，属于红外人工晶体技术领域，包括如下步骤：1)将一定量的清洗干净的区熔锗锭和质量为M的锑投入单晶炉并封炉，锑的掺杂量比计划掺杂量M多1%～20%；2)第一次抽真空，真空度10mtorr～50mto...
    2026-03-11
  • 一种去除锗熔体表面浮渣的方法
    一种去除锗熔体表面浮渣的方法_南京伟创电子有限公司_202511959071.9
    本发明公开了一种去除锗熔体表面浮渣的方法，属于晶体生长技术领域，包括如下步骤：1)将一定量的区熔锗锭投入洗料釜，然后向洗料釜注入去离子水覆盖住锗锭；2)加热直至70℃～100℃，向洗料釜加入氨水或胺类化合物中的任意一种或多种，浓度5%～25...
    2026-03-11
  • 一种基于智能匹配的连续直拉单晶用多规格掺杂装置及方法
    一种基于智能匹配的连续直拉单晶用多规格掺杂装置及方法_包头美科硅能源有限公司_202511528562.8
    本发明涉及光伏硅片制造技术领域，具体是涉及一种基于智能匹配的连续直拉单晶用多规格掺杂装置及方法，包括多通道切换组件，多通道切换组件包括阀体、阀芯和驱动机构，阀体上开设有单料进气道、双料进气道和三个冲刷通道，阀芯上开设有单料连接道和双料连接道...
    2026-03-11
  • 一种连续直拉单晶炉及多根单晶硅棒同步连续直拉方法
    一种连续直拉单晶炉及多根单晶硅棒同步连续直拉方法_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610055583.0
    本发明涉及光伏太阳能电池领域，具体公开了一种连续直拉单晶炉，包括炉体、底加热器、环加热器、坩埚、分流盘、隔板和提拉总成，所述底加热器设于所述炉体的底部，所述坩埚设于所述底加热器上方，所述环加热器环绕所述坩埚设置；若干所述分流盘设于所述坩埚中...
    2026-03-11
  • 加热器、单晶硅拉制方法及单晶硅
    加热器、单晶硅拉制方法及单晶硅_宇泽新能源(昆明)有限公司_202511712208.0
    本发明涉及单晶硅制备技术领域，公开了加热器、单晶硅拉制方法及单晶硅。加热器包括环形加热部，环形加热部相对两端为高位端和低位端，加热器的高度为H，厚度为D；加热器由高电阻区和低电阻区构成；高电阻区在经过加热器轴线的截面上的形状为楔形，楔形的小...
    2026-03-11
  • 单晶炉用底加热器的制备方法、底加热器及单晶炉
    单晶炉用底加热器的制备方法、底加热器及单晶炉_湖南金博碳素股份有限公司_202511791727.0
    本申请涉及一种单晶炉用底加热器的制备方法、底加热器及单晶炉，涉及加热器技术领域。制备方法包括：获取具有环形凸台的坯料；图形化处理所述坯料，形成加热部及安装部；在所述安装部加工安装孔，去除所述加热部边缘的所有凸台及所述安装部的部分凸台，所述安...
    2026-03-11
  • 单晶硅晶棒的冷却方法
    单晶硅晶棒的冷却方法_上海超硅半导体股份有限公司_202511687356.1
    本发明涉及一种单晶硅晶棒的冷却方法。所述单晶硅晶棒的冷却方法包括如下步骤：提供一结束生长的单晶硅晶棒，单晶硅晶棒位于单晶炉内；同步实施降低单晶炉内的炉压至冷却炉压、增大传输至单晶炉内的保护气体的流量至冷却流量以及提高单晶硅晶棒的提拉速度至冷...
    2026-03-11
  • 一种碳化硅长晶炉内籽晶精准定位与防偏移结构
    一种碳化硅长晶炉内籽晶精准定位与防偏移结构_郑州榕芯电子科技有限公司_202511893453.6
    本发明涉及碳化硅长晶炉技术领域，且公开了一种碳化硅长晶炉内籽晶精准定位与防偏移结构，包括安装在碳化硅长晶炉石墨坩埚顶内壁上的安装柱，安装柱的下表面固定连接有籽晶托板，本发明通过设置辅助机构，推动组件沿空心套轴线方向向下推动空心滑杆、移动架和...
    2026-03-11
  • 一种图形化外延异质结构及其制备方法
    一种图形化外延异质结构及其制备方法_西安交通大学_202511636706.1
    本发明公开了一种图形化外延异质结构及其制备方法，包括步骤：1)在单晶衬底上形成图形化的硬掩模层；2)在衬底图形化的硬掩模表面，高温外延沉积一异质结构，异质结构选择性地生长在由硬掩模暴露出的衬底窗口区域；异质结构包括依次生长的外延牺牲层和外延...
    2026-03-11
  • 一种具有忆阻器功能的V3O5晶体的大尺寸生长方法
    一种具有忆阻器功能的V3O5晶体的大尺寸生长方法_青岛理工大学_202511459805.7
    本发明公开了一种具备忆阻器功能特性的V33O55晶体的大尺寸生长方法。本发明采用化学气相输运法结合双温区控制，成功实现了大尺寸V33O55晶体的生长，所得V33O55晶体呈块状，长度尺寸可达0.6 cm。所得晶体在8 V驱动电压下呈现绝缘体...
    2026-03-11
  • 半导体材料外延生长用石墨托盘
    半导体材料外延生长用石墨托盘_中科汇珠(广州)半导体有限公司_202511484908.9
    本申请公开了一种半导体材料外延生长用石墨托盘。半导体材料外延生长用石墨托盘包括托盘本体，所述托盘本体包括相对设置的第一表面与第二表面，所述第一表面开设有用于容置半导体晶圆的容置内槽，所述容置内槽整体上呈圆形槽，所述容置内槽的圆心与所述第一表...
    2026-03-11
  • 在含自然氧化层的半导体表面直接生长硅外延层的方法
    在含自然氧化层的半导体表面直接生长硅外延层的方法_浙江大学杭州国际科创中心_202411077362.0
    本发明公开了一种在含自然氧化物的半导体表面直接生长硅外延层的方法，包括以下步骤：提供具有半导体表面层的材料作为衬底，所述衬底表面具有氧化层；将衬底放入反应室中，衬底表面暴露于氟化气体和惰性气体产生的射频等离子体下，导致所述氧化层的剥离，并在...
    2026-03-11
  • 通过温度调控获得不同晶面取向单晶锂金属的方法
    通过温度调控获得不同晶面取向单晶锂金属的方法_郑州大学_202511610376.9
    本发明属于材料技术领域，涉及一种通过温度调控获得不同晶面取向单晶锂金属的方法。在惰性气体保护下，将锂片进行退火，制备得到单晶(110)锂金属，退火条件为200℃下保温10min；或者在惰性气体保护下，将锂片进行退火，然后进行一次双轴碾压即可...
    2026-03-11
  • 一种高纯度多晶硅定向可控生长方法
    一种高纯度多晶硅定向可控生长方法_苏州鑫晶人工智能技术研发有限公司_202511565831.8
    本发明公开了一种高纯度多晶硅定向可控生长方法，涉及材料科学与工程技术领域，包括：通过四阶协同工艺实现杂质原子级控制，无接触熔炼，工业硅料在惰性涂层坩埚中电磁悬浮熔融(1420–1450℃, ≤)，熔体脱离坩埚内壁，彻底阻断氧碳污染源；等离子...
    2026-03-11
  • 铸锭炉
    铸锭炉_江苏协鑫硅材料科技发展有限公司_202511780846.6
    本发明公开了一种铸锭炉，所述铸锭炉包括：保温装置，围合出封闭的保温腔，保温装置包括底部保温板，DS块，设于保温腔内，且位于底部保温件的上方，并与底部保温板间隔排布；支撑柱，竖向设置，支撑柱的上端穿过底部保温板与DS块固定，支撑柱为碳碳复合材...
    2026-03-11
  • 一种纯固体投料制备多晶硒化锌的装置及生长方法
    一种纯固体投料制备多晶硒化锌的装置及生长方法_安徽光智科技有限公司_202511942748.8
    本发明公开的属于红外光学材料制备技术领域，具体为一种纯固体投料制备多晶硒化锌的装置及生长方法，包括炉体、主收尘系统以及次收尘系统；所述炉体、主收尘系统与次收尘系统通过导气管依次串联连通，导气管上间隔设置气动球阀与蝶阀；所述炉体包括水冷炉体、...
    2026-03-11
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