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最新专利技术
  • 自旋轨道矩存储单元、其制备方法及磁性随机存储器
    自旋轨道矩存储单元、其制备方法及磁性随机存储器_浙江驰拓科技有限公司_202411169286.6
    本申请公开了一种自旋轨道矩存储单元、其制备方法及磁性随机存储器。该自旋轨道矩存储单元包括：磁性隧道结，具有第一外周表面；轨道层，位于磁性隧道结的一侧，轨道层具有与第一外周表面共面的第二外周表面，且轨道层的背离磁性隧道结的一侧表面为第一表面；...
    2026-03-16
  • 具有TMR传感器芯片的传感器封装
    具有TMR传感器芯片的传感器封装_英飞凌科技股份有限公司_202511132069.4
    本发明涉及具有TMR传感器芯片的传感器封装，其包括TMR传感器芯片(200)和缓冲层(402)，缓冲层具有在20℃的温度中小于1GPa的弹性模量。缓冲层(402)安置在TMR传感器芯片(200)的上方和/或下方。
    2026-03-16
  • 一种SFQ器件底层处理方法及由该方法制备的SFQ器件底层
    一种SFQ器件底层处理方法及由该方法制备的SFQ器件底层_量子科技长三角产业创新中心_202511743841.6
    本公开提供了一种SFQ器件底层处理方法，所述SFQ器件底层包括第一绝缘层和被包覆在所述第一绝缘层内部的超导层，包括如下步骤：基于掩膜在所述第一绝缘层的表面进行原子层刻蚀以去除所述超导层上的第一绝缘层以暴露部分所述超导层；对所述第一绝缘层进行...
    2026-03-16
  • 一种超导量子比特结构及其制备方法
    一种超导量子比特结构及其制备方法_浙江启真量子科技有限公司_202511758728.5
    本发明提供一种超导量子比特结构及其制备方法，该超导量子比特结构包括超导薄膜层，超导薄膜层的表面和侧壁覆盖有保护层。该制备方法包括：在衬底表面依次沉积超导层和涂覆光刻胶层；对光刻胶层进行图形化处理，再对暴露出的超导层进行刻蚀，并去除超导层表面...
    2026-03-16
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411219820.X
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作电阻式随机存取存储器的方法主要先形成一层间介电层于基底上，然后形成一接触插塞于层间介电层内，形成第一停止层于层间介电层上，形成一凹槽于该第一停止层内，形成一下电极于凹槽内，形成一金属氧化层于下电...
    2026-03-16
  • 双向阈值开关材料和包括其的垂直存储器件
    双向阈值开关材料和包括其的垂直存储器件_三星电子株式会社_202511097646.0
    提供双向阈值开关材料和包括其的垂直存储器件。所述双向阈值开关材料包括锗(Ge)、锑(Sb)和硒(Se)，其中Ge、Sb和Se中的Ge的比例为10原子%或更大且40原子%或更小，Ge、Sb和Se中的Sb的比例为10原子%或更大且40原子%或更...
    2026-03-16
  • 一种原位氧化二维异质结的忆阻器及其制备方法和应用
    一种原位氧化二维异质结的忆阻器及其制备方法和应用_复旦大学_202511768151.6
    本发明属于神经形态计算技术领域，具体涉及一种原位氧化二维异质结的忆阻器及其制备方法和应用，包括由底至顶依次设置的衬底、介电层、二维异质结和金属电极；二维异质结由p型二维材料层和n型二维材料层在介电层表面构筑形成；二维异质结的表面经过氧等离子...
    2026-03-16
  • 一种基于钙钛矿石墨炔异质结的自供电光电突触器件及其制备方法
    一种基于钙钛矿石墨炔异质结的自供电光电突触器件及其制备方法_南开大学_202411162672.2
    本发明为一种基于钙钛矿/石墨炔异质结的自供电光电突触器件及其制备方法。所述基于钙钛矿/石墨炔异质结的自供电光电突触器件包括衬底、底电极、石墨炔层、钙钛矿层、钝化保护层和金属顶电极。本发明通过钙钛矿/石墨炔异质结得到具有自供电功能的光电突触器...
    2026-03-16
  • 键合装置和复合衬底制备方法
    键合装置和复合衬底制备方法_深圳平湖实验室_202512004896.1
    本公开实施例提供一种键合装置和复合衬底制备方法，涉及半导体技术领域，用于提高两片翘曲衬底的键合质量。键合装置包括相对设置的第一压盘和第二压盘以及控制设备，第一压盘和/或第二压盘包括分体设置的多个子压盘；控制设备，与第一压盘和第二压盘连接；控...
    2026-03-16
  • 一种SiC基GaN外延结构及其制备方法、器件
    一种SiC基GaN外延结构及其制备方法、器件_嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司_202511741983.9
    本发明涉及一种SiC基GaN外延结构及其制备方法、器件，具体涉及半导体领域，所述SiC基GaN外延结构包括：依次设置于衬底上的GaN沟道层、AlN插入层和AlGaN势垒层；所述衬底包括：掺Fe‑SiC半绝缘衬底。本发明提供的SiC基GaN外...
    2026-03-16
  • 一种弧形半导体基板的制造方法
    一种弧形半导体基板的制造方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202411127479.5
    本发明公开了一种弧形半导体基板的制造方法，包括：在原始半导体基板上沉积半球形的硅层；对所述半球形的硅层进行氧化处理，以在所述半球形的硅层的表面上形成氧化硅层；在所述氧化硅层的表面上形成富掺杂的硅层，获得弧形半导体基板。采用本发明的技术方案通...
    2026-03-16
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_广州增芯科技有限公司_202511777941.0
    在本发明提供的一种半导体结构及其形成方法中，包括：提供衬底；采用类原子层沉积工艺，在衬底上形成钨种子层，包括：在衬底表面沉积若干层第一沉积层，以构成第一子种子层；在第一种子层表面沉积若干层第二沉积层，以构成第二子种子层，并且，在第一子种子层...
    2026-03-16
  • 一种半导体基片的制造方法
    一种半导体基片的制造方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202411142045.2
    本发明公开了一种半导体基片的制造方法，包括：将含有硅元素的固态材料置于真空环境下；通过激光或电子束对所述固态材料的表面进行照射，形成液态表面；在所述液态表面上沉积薄膜材料，形成初始薄膜；控制所述液态表面达到预设温度，使所述液态表面与所述初始...
    2026-03-16
  • 一种半导体表面的氧化膜的制备方法
    一种半导体表面的氧化膜的制备方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202411142380.2
    本发明公开了一种半导体表面的氧化膜的制备方法，包括：对半导体基片进行清洗处理；在清洗后的半导体基片的表面上沉积氧化硅层；在所述氧化硅层的表面上形成预备层；在所述预备层的表面上沉积硅基层；采用光刻和蚀刻技术，在所述硅基层的表面上形成氧化膜。采...
    2026-03-16
  • 用可流动层结构填充衬底上的凹陷特征的方法
    用可流动层结构填充衬底上的凹陷特征的方法_ASMIP私人控股有限公司_202511141706.4
    公开了用于填充衬底上的凹陷特征的方法。所公开的方法包括在衬底上沉积可流动层结构，并将可流动层结构加热至高于可流动层结构的玻璃化转变温度。用于沉积可流动层结构的方法包括采用原子层沉积过程沉积基于氧化铝的可流动层结构。
    2026-03-16
  • 一种半导体结构的氧化层掺杂方法
    一种半导体结构的氧化层掺杂方法_杭州富芯半导体有限公司_202511841622.1
    本申请公开了一种半导体结构的氧化层掺杂方法，包括提供半导体基体，所述半导体基体包括衬底和位于衬底上的功能氧化层；形成层叠于所述功能氧化层上的牺牲层；自所述牺牲层背离所述功能氧化层的一侧对所述功能氧化层进行离子注入，以在所述功能氧化层中掺杂氮...
    2026-03-16
  • 一种球形半导体的制造方法
    一种球形半导体的制造方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202411127304.4
    本发明公开了一种球形半导体的制造方法，包括：将原始半导体置于离子束刻蚀机的旋转平台上；对离子束的能量、入射角度和流量进行调整；在调整后的参数条件下，对所述原始半导体进行离子束刻蚀，获得球形半导体。采用本发明的技术方案能够通过离子束刻蚀技术制...
    2026-03-16
  • 切断结构的制造方法
    切断结构的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511784146.4
    本发明提供一种切断结构的制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有硬掩模层及芯轴结构；在芯轴结构表面形成隔离层；进行切断光刻及刻蚀，去除预定区域内的隔离层及芯轴结构，并在刻蚀中于芯轴侧壁及硬掩模层表面形成保护层；进行湿法清洗，其中中间步骤使用第...
    2026-03-16
  • 应用于半导体制作过程中的工艺方法
    应用于半导体制作过程中的工艺方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511784169.5
    本申请公开了一种应用于半导体制作过程中的工艺方法，包括：通过光刻工艺进行刻蚀，去除目标区域的第四缓冲层，目标区域位于期望曝光区域内，第四缓冲层形成于第三缓冲层上，第三缓冲层形成于第二缓冲层上，第二缓冲层形成于第一缓冲层上，第一缓冲层形成于薄...
    2026-03-16
  • 刻蚀方法及半导体工艺设备
    刻蚀方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511812726.X
    本发明提供了一种刻蚀方法及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，为解决采用相关技术提供的刻蚀工艺刻蚀得到的深槽结构，其侧壁粗糙度较大的问题而设计。该刻蚀方法包括提供衬底；于衬底进行光刻步和第一刻蚀步，以在衬底形成第一沟槽；常温氧化形成覆盖第一...
    2026-03-16
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