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  • 本发明公开一种非均匀宽度通道和流量自适应调节液冷板结构,包括换热板,换热板上加工有工质进口、渐变流道,工质出口,工质从工质进口流入,至渐变流道,最终工质从工质出口流出;渐变流道在垂直于工质流动方向的截面上呈梯度变径分布,用于实现基础流量与热...
  • 本发明公开了一种硅基SIP微流道散热架构及其制备方法。所述架构采用多层堆叠设计,包括上层功能层、下层功能层、散热层及馈电板。创新性地通过散热层盖层倒扣于下层衬底形成微流道腔体,结合散热层硅通孔实现冷却液循环;散热层垫层通过特定厚度设计与BG...
  • 本申请提供了一种封装结构及封装方法、电子设备。封装结构包括:载板,包括多个第一孔,第一孔沿载板厚度方向贯穿载板;第一导电柱,填充第一孔;第一线路层,位于载板的第一侧,第一线路层与第一导电柱电连接;第二线路层,位于载板的第二侧,第二线路层与第...
  • 本发明提供基于双层铝基板的复合叠层散热装置及其散热控制方法,采用双层铝基板与相变材料流动散热相结合形成复合散热结构,降低功率器件的峰值温度;双层铝基板布局与垂直互联能够降低电流密度,提升电磁兼容性,使得热应力分布均匀,增强结构可靠性和降低焊...
  • 本发明提供了一种石墨烯表面改性的SiC高导热基板的制备方法。方法:一、选择高纯度SiC与石墨烯材料支撑体。其中SiC和石墨烯均为尺寸5mm*5mm*5mm的小正方体,对SiC和钎料的接触面进行机械打磨,打磨后的表面粗糙度Ra值应在0.2‑0...
  • 本发明涉及热传导片材以及具备热传导片材的装置。一个实施方式涉及一种热传导片材,其含有包含选自鳞片状粒子、椭圆体状粒子、以及棒状粒子中的至少1种的石墨粒子(A),所述石墨粒子(A)在厚度方向上取向,厚度的压缩率在温度150℃以及压缩应力0.1...
  • 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种三相半控整流桥复合封装及制备方法。包括:散热基板,包括固定设置在陶瓷层上、下两侧的金属层;所述上金属层包括间隔依次设置的V连接岛、第一基岛、第二基岛和第三基岛;所述V连接岛包括对称设置的V+连接岛和V‑...
  • 本申请实施例提供的一种封装结构及其制备方法,封装结构包括基板、走线层、芯片及散热层,基板具有贯穿于自身的通孔;走线层设置于基板的一侧,基板在通孔位置处与走线层围合形成容纳槽;芯片设置于容纳槽中并与走线层连接;散热层设置于基板背离走线层的一侧...
  • 本发明提供一种能够在功率半导体元件发生故障之前提示用户更换部件的功率半导体元件的故障防止装置。一种功率半导体元件的故障防止装置,所述功率半导体元件通过焊接而安装于绝缘基板,并通过冷却水进行冷却,其特征在于,所述故障防止装置具有:水温测定机构...
  • 本申请公开了静电保护电路、芯片及设备,属于电子技术领域。静电保护电路包括泄放单元和第一场效应管;泄放单元的一端连接电源正极,泄放单元的另一端连接第一场效应管的漏极,第一场效应管的源极和栅极连接电源负极;泄放单元,用于在电源正极存在静电电流的...
  • 本公开针对包含跨电感器电压调节器的竖直电力递送模块。一种电力模块(110)包含衬底(320),衬底具有第一和第二表面以及第一、第二和第三金属互连件。第一表面上的半导体裸片(310)耦合到第一金属互连件。包封材料(338)具有第三表面和相对的...
  • 本申请公开了一种隔离电容结构、制备方法及芯片,属于集成电路技术领域。隔离电容结构包括:下极板、上极板和位于下极板和上极板之间的绝缘叠层;上极板屏蔽环,与上极板同层布置;第一钝化层,位于上极板和上极板屏蔽环之间,第一钝化层设有沟槽结构,沟槽结...
  • 本发明公开了一种用于控制TGV晶圆孔洞凹陷深度的磨抛方法,包括如下步骤:S1:提供TGV晶圆,其表面依次形成有金属种子层和位于金属种子层上的铜层;S2:采用第一研磨液对铜层进行第一次磨抛以快速去除大部分铜层;S3:采用第二研磨液对剩余的铜层...
  • 本申请涉及一种IC载板嵌入式多芯片互连桥接凹槽加工方法,属于载板加工技术领域,包括如下步骤:S01、基板预处理;S02、铜面粗化与有机皮膜制备;S03、层压;S04、铜层黑化;S05、凹槽加工。本申请通过激光烧蚀进行凹槽加工,异物少,无毛刺...
  • 本申请提供一种转接板的制备方法、转接板及封装结构,转接板的制备方法包括去除金属块的部分,形成多个间隔设置的金属柱在金属柱背离承载板的一侧涂覆液态绝缘材料;对液态绝缘材料进行固化。本申请在金属柱背离承载板的一侧涂覆液态绝缘材料,而非在基板上打...
  • 本申请提供一种转接板的制备方法、转接板及芯片封装结构,该转接板的制备方法包括:在基板的第一表面上形成至少一个孔;在第一表面上沉积导电浆料,使得导电浆料覆盖孔,导电浆料包括纳米金属;将基板置于电场或磁场中,使得导电浆料在电场或磁场作用下移动以...
  • 本申请提供了一种转接板的制备方法、转接板及封装结构,本申请通过在至少一个衬底基板的表面的种子层上形成阻挡层,避免在通孔内填充导电材料时,在衬底基板表面上的种子层背离衬底基板的一侧沉积大量导电材料,在制备金属走线时无需使用化学机械抛光工艺去除...
  • 本申请提供了一种封装载板及其制作方法和封装结构。封装载板的制作方法包括:在基材的一侧制备牺牲层;开设贯穿牺牲层的至少一个开口,并对基材进行改性得到至少一个改性区域,开口在基材上的正投影至少部分覆盖改性区域;获取牺牲层中开口的位置,识别牺牲层...
  • 本发明公开一种DPC陶瓷基板及其制备方法,涉及半导体技术领域。该制备方法包括以下步骤:S1.在陶瓷基板表面通过磁控溅射依次沉积Ti层与Cu层,形成复合种子层;S2.在复合种子层上沉积Sn层;S3.将铜箔压覆于Sn层表面,制得覆有铜箔的陶瓷基...
  • 本发明属于芯片封装技术领域,具体涉及一种引线键合的扇出型封装结构的制备方法。在临时载体的表面制备临时键合胶层,在临时键合胶层上制备重布线层,将整体切割成条状结构,在每个条状结构的重布线层表面贴装和堆叠存储芯片形成芯片组,对芯片组打线,用塑封...
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