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最新专利技术
  • APCVD背面污迹工艺的优化方法
    APCVD背面污迹工艺的优化方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511730212.X
    本发明涉及一种APCVD背面污迹工艺的优化方法，所属半导体硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：使用去离子水、清洗剂，同时采用超声波清洗或IPA擦拭对硅片进行表面洁净。第二步：温度参数的精确控制。第三步：压力参数的优化调整。第四步：气...
    2026-05-07
  • 一种原子气室内壁原子层沉积镀膜装置及方法
    一种原子气室内壁原子层沉积镀膜装置及方法_中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所_202511965734.8
    本申请提供一种原子气室内壁原子层沉积镀膜装置及方法, 包括进气口、第一气相前驱体储罐、反应腔等；进气口将惰性气体依次通过第一进气活塞、第二进气活塞、第三进气活塞送入气室玻璃管路；第一气相前驱体储罐用于储存水蒸气，通过控制系统精确控制第一进气...
    2026-05-07
  • 工艺腔室及半导体器件的加工设备
    工艺腔室及半导体器件的加工设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511970025.9
    本发明提供了一种工艺腔室及一种半导体器件的加工设备。该工艺腔室包括进气组件、加热盘组件和抽气组件。该进气组件用于将气体传输到工艺腔室的第一侧，其中，进气组件的边缘设有至少一圈第一凹凸部。该加热盘组件位于进气组件的下方，并与进气组件的下表面保...
    2026-05-07
  • 半导体结构的成膜反应装置及其控制方法
    半导体结构的成膜反应装置及其控制方法_上海集成电路制造创新中心有限公司_202512029303.7
    本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种半导体结构的成膜反应装置及其控制方法，该成膜反应装置包括：反应腔、加热器、电极、空心绝缘柱、喷淋器和等离子体发生电源；空心绝缘柱连接于加热器的内部；电极连接于空心绝缘柱的内部；喷淋器用于向第一表面喷淋前...
    2026-05-07
  • 一种氦气辅助的低温薄膜沉积方法和装置
    一种氦气辅助的低温薄膜沉积方法和装置_嘉际环控(西安)科技有限公司_202610218405.5
    本申请公开了一种氦气辅助的低温薄膜沉积方法和装置，属于薄膜沉积技术领域。该方法主要包括：在向已装载待沉积基底的沉积腔体内通入反应气体时，同时向沉积腔体内通入预定流量的氦气；通过射频电场激发氦气和反应气体产生混合等离子体，并在混合等离子体的沉...
    2026-05-07
  • 气相生长装置
    气相生长装置_株式会社东芝_202510132219.5
    提供一种气相生长装置，能够提高在晶片表面形成的膜的厚度的均匀性。实施方式的气相生长装置具有：基座，载置晶片；驱动部，使基座旋转；以及晶片引导件，为包围晶片的外缘的环状，安装于基座。晶片引导件的朝向上侧的面位于比从晶片的朝向上侧的面向上侧0....
    2026-05-07
  • 成膜方法、晶片支承结构以及气相生长装置
    成膜方法、晶片支承结构以及气相生长装置_株式会社东芝_202510132223.1
    提供能够抑制成膜特性的恶化的成膜方法、晶片支承结构以及气相生长装置。实施方式的成膜方法是使用气相生长装置在晶片的面上形成膜的成膜方法。实施方式的成膜方法包括在所述晶片的面上形成膜的成膜处理。所述气相生长装置具有基座和多个晶片引导部。所述基座...
    2026-05-07
  • 基座及气相生长装置
    基座及气相生长装置_株式会社东芝_202510132227.X
    提供能够提高在晶圆表面成膜的膜的厚度的均匀性的基座及气相生长装置。实施方式的基座是设置于气相生长装置并供晶圆载置的基座。具有从下侧对晶圆的朝向下侧的面进行支撑的支撑面。在支撑面设置有与晶圆所具有的晶圆卡合部卡合的基座卡合部。
    2026-05-07
  • 一种基片台系统及MPCVD设备
    一种基片台系统及MPCVD设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511938401.6
    本申请提供了一种基片台系统MPCVD设备，包括：层叠设置的微波反射台和大钼台；基片台，设置在所述大钼台远离所述微波反射台的一侧；其中，所述大钼台远离所述微波反射台的一侧设置有环形凸起，所述环形凸起与所述基片台同轴，并环绕在所述基片台的外周。...
    2026-05-07
  • 一种基片台系统及MPCVD设备
    一种基片台系统及MPCVD设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511938410.5
    本申请提供了一种基片台系统MPCVD设备，包括：层叠设置的微波反射台和大钼台；基片台，设置在所述大钼台远离所述微波反射台的一侧；其中，所述大钼台远离所述微波反射台的一侧设置有环形凸起，所述环形凸起与所述基片台同轴，并环绕在所述基片台的外周。...
    2026-05-07
  • 一种分区控温系统及其控温方法
    一种分区控温系统及其控温方法_盛吉盛半导体科技(无锡)有限公司_202511957565.3
    本发明公开了一种分区控温系统及其控温方法，涉及半导体技术领域。该分区控温系统包括静电吸盘、第一流道、第二流道、第一控温组件和第二控温组件。静电吸盘设置有第一区域和第二区域，第一流道和第二流道均安装于静电吸盘内，其中，第一流道设置于第一区域，...
    2026-05-07
  • 基于12寸APCVD托盘的三次降温系统及积载清洗方法
    基于12寸APCVD托盘的三次降温系统及积载清洗方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511681610.7
    本发明公开了基于12寸APCVD托盘的三次降温系统及积载清洗方法，涉及托盘处理技术领域。该12寸APCVD托盘的三次降温系统，包括：移出反应腔后托盘依次经过第一冷却盒、冷却板、第二冷却盒并完成三个阶段的降温，固定旋转装置用于带着清洗后的托盘...
    2026-05-07
  • 一种基于介质环的MPCVD腔内场分布调控装置及方法
    一种基于介质环的MPCVD腔内场分布调控装置及方法_四川大学_202511805129.4
    本发明属于微波等离子体化学气相沉积设备技术领域，特别涉及一种基于介质环的MPCVD腔内场分布调控装置及方法。其技术方案为：一种基于介质环的MPCVD腔内场分布调控装置，包括反应腔室，反应腔室内安装有水冷台和托台，托台位于水冷台上，反应腔室设...
    2026-05-07
  • 一种多源多端口馈电的MPCVD装置及等离子体调控方法
    一种多源多端口馈电的MPCVD装置及等离子体调控方法_宁波晶钻科技股份有限公司_202511939858.9
    本发明提供一种多源多端口馈电的MPCVD装置及等离子体调控方法，涉及微波等离子体化学气相沉积技术领域。通过每个馈电端口对应的固态微波源单独调控微波幅值和相位，直接改变反应腔内局部电场分布，解决了传统工艺参数调控仅能实现整体调控的局限，实现等...
    2026-05-07
  • 一种动态调控流场与温度场均匀性的高温超导带材镀膜装置
    一种动态调控流场与温度场均匀性的高温超导带材镀膜装置_深创超导(深圳)科技有限公司_202512022866.3
    本发明公开了一种动态调控流场与温度场均匀性的高温超导带材镀膜装置，涉及超导材料制备设备技术领域。通过多区环形喷淋头与垂直喷淋组件的协同作用，通过动态调节系统，支持梯度温度调控，改善基板表面温度均匀性，降低热响应时间；同时适配掺杂工艺、动态调...
    2026-05-07
  • 一种TiO2/Mn-VO2/SiO2复合薄膜及其制备方法和应用
    一种TiO2/Mn-VO2/SiO2复合薄膜及其制备方法和应用_佛山大学_202511887243.6
    本发明属于热致变色薄膜技术领域，公开了一种TiO2/Mn‑VO2/SiO2复合薄膜及其制备方法和应用，TiO2/Mn‑VO2/SiO2复合薄膜，依次包括缓冲层、第一功能层和第二功能层；其中，缓冲层由SiO2形成；第一功能层由第一材料形成，第...
    2026-05-07
  • 一种金属锂负极用铜箔集流体表面飞秒激光增材制造亲锂微结构方法
    一种金属锂负极用铜箔集流体表面飞秒激光增材制造亲锂微结构方法_中国科学院金属研究所_202511730519.X
    本发明涉及电池材料技术领域，具体涉及一种金属锂负极用铜箔集流体表面飞秒激光增材制造亲锂微结构方法。基于飞秒激光超短脉冲、超高峰值功率与高精度特性，将飞秒激光聚焦于涂有金属盐溶液的铜箔集流体表面，调控飞秒激光功率和重复频率，使金属盐分解成纳米...
    2026-05-07
  • 一种铝铜复合合金材料化学沉镍磷合金前处理工艺
    一种铝铜复合合金材料化学沉镍磷合金前处理工艺_杭州东方表面技术有限公司_202511859491.X
    本申请属于铝铜复合材料镀前处理技术领域，具体提供一种铝铜复合合金材料化学沉镍磷合金前处理工艺，包括如下步骤：中性除油、水洗、碱蚀、水洗、酸蚀、水洗、沉锌、水洗、化学镀镍磷合金、水洗、烘干；所述酸蚀是采用酸蚀溶液进行处理，所述酸蚀溶液包括磷酸...
    2026-05-07
  • 一种管路表面一体化镀铜装置及方法
    一种管路表面一体化镀铜装置及方法_科腾环保科技(嘉兴)股份有限公司_202511974810.1
    本发明公开了一种管路表面一体化镀铜装置及方法，涉及镀铜装置技术领域，包括底板，所述底板上固定设置有导向杆，所述导向杆上活动套设有旋转架，所述底板的顶面安装有除油筒、酸洗筒、清洗筒与镀铜筒。本发明当旋转架带动旋转式悬挂架浸没在镀铜筒内部时，控...
    2026-05-07
  • 一种储氢阀体用Ni-W-P-石墨烯化学镀层及其制备方法
    一种储氢阀体用Ni-W-P-石墨烯化学镀层及其制备方法_厦门双瑞船舶涂料有限公司_202512022500.6
    本发明提供一种70 MPa储氢阀体用Ni‑W‑P‑石墨烯梯度化学镀层及其制备方法，镀层总厚度15‑25μm，采用“里层高P区+外层低P高W区+梯度过渡区”的连续梯度结构：里层含P 8‑15 wt%、W 1‑5 wt%；外层含P 3‑7 wt...
    2026-05-07
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