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最新专利技术
  • 一种基于半导体纳米线阵列的电调制双色探测器、制作方法及应用
    一种基于半导体纳米线阵列的电调制双色探测器、制作方法及应用_中国科学院上海技术物理研究所_202512022021.4
    本发明公开了一种基于半导体纳米线阵列的电调制双色探测器、制作方法及应用，在GaAs衬底上外延生长一层重掺杂的n型GaAs缓冲层，在缓冲层表面沉积一层金薄膜并做退火处理，然后在样品上生长垂直的GaAs纳米线阵列。使用BCB聚合物填充在垂直排列...
    2026-04-17
  • 一种波导型锗硅雪崩光电二极管及其制备方法
    一种波导型锗硅雪崩光电二极管及其制备方法_希烽光电科技(南京)有限公司_202512017472.9
    本发明公开了一种波导型锗硅雪崩光电二极管及其制备方法，波导型锗硅雪崩光电二极管包括衬底、光传输区和谐振探测区，光传输区和谐振探测区均位于衬底的顶部硅Si层上；光传输区包括入射波导结构、入射层间转换结构、谐振硅Si波导结构、出射层间转换结构和...
    2026-04-17
  • 一种复合膜层结构的宽禁带半导体极紫外探测器
    一种复合膜层结构的宽禁带半导体极紫外探测器_苏州镓敏光电科技有限公司_202511977543.3
    本发明提供了一种复合膜层结构的宽禁带半导体极紫外探测器，属于半导体紫外光电探测器件技术领域。包括自下而上设置的欧姆接触电极、宽禁带半导体衬底层、n型4H‑SiC重掺杂层和低掺杂4H‑SiC光子吸收层，所述低掺杂4H‑SiC光子吸收层上设置有...
    2026-04-17
  • 固态微波功率器件的光电协同调控系统及方法
    固态微波功率器件的光电协同调控系统及方法_乾元国家实验室_202610243442.1
    本发明提供了一种固态微波功率器件的光电协同调控系统及方法，涉及微电子技术领域，氮化镓高电子迁移率晶体管芯片用于在栅极电场调制下产生微波信号；紫外光源用于为向氮化镓高电子迁移率晶体管芯片发射紫外光，发射的光子能量小于势垒层的禁带宽度，且大于或...
    2026-04-17
  • 一种氧化镓基鳍式日盲紫外光电晶体管及其制备方法
    一种氧化镓基鳍式日盲紫外光电晶体管及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511756530.3
    本发明涉及半导体光电子器件技术领域，尤其涉及一种氧化镓基鳍式日盲紫外光电晶体管及其制备方法。包括：衬底；设置于衬底上的Ga2O3薄膜；周期性鳍式沟道结构位于Ga2O3薄膜的区域内，由刻蚀工艺形成，单个鳍宽度与相邻鳍之间的间隔相同，鳍高度等于...
    2026-04-17
  • 一种双向响应率可调的自驱动光电探测器及其制备方法
    一种双向响应率可调的自驱动光电探测器及其制备方法_深圳大学_202511950547.2
    本发明的一种双向响应率可调的自驱动光电探测器及其制备方法，光电探测器包括从下至上依次设置的衬底、背栅、第一介电层、下层二维双极性材料层、中间隔离层、上层二维双极性材料层、第二介电层以及顶栅，下层二维双极性材料层、中间隔离层以及上层二维双极性...
    2026-04-17
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510686390.0
    图像传感器可包括：基底；虚设隔离图案；以及布线层，在基底上。基底可包括具有像素的像素区域、在像素区域外部的电源区域、在基底中并且与像素对应的光电转换器、以及在电源区域中并且由虚设隔离图案围绕的接地部。接地部可通过虚设隔离图案与光电转换器电绝...
    2026-04-17
  • 图像传感器和包括该图像传感器的电子设备
    图像传感器和包括该图像传感器的电子设备_三星电子株式会社_202511379006.9
    公开了图像传感器和包括该图像传感器的电子设备。该图像传感器包括传感器基板和纳米光学透镜阵列，传感器基板包括多个光敏元件，纳米光学透镜阵列包括多个纳米结构。所述多个光敏元件包括感测第一波长带的光并在第一对角线方向上彼此相邻排布的第一主光敏元件...
    2026-04-17
  • 制造包括掺杂硅的电接触元件的电子设备的方法
    制造包括掺杂硅的电接触元件的电子设备的方法_意法半导体国际公司_202511386635.4
    本公开涉及制造包括掺杂硅的电接触元件的电子设备的方法。一种制造电子设备的方法包括以下步骤：a)在半导体衬底中，形成第一类型的第一掺杂区和第二类型的第二掺杂区；b)在衬底的上表面上沉积电介质层；c)在步骤b)之后，在电介质层中形成第一开口和第...
    2026-04-17
  • 像元结构及其制备方法、红外探测器
    像元结构及其制备方法、红外探测器_安徽晶微科技有限公司_202511991388.0
    本发明公开了一种像元结构及其制备方法、红外探测器，涉及半导体器件技术领域；本发明提出的像元结构包括微桥结构，微桥结构的桥腿包括导电层、第一钝化层和第二钝化层，导电层位于第一钝化层上，第二钝化层覆盖于导电层上，以使第一钝化层和第二钝化层对导电...
    2026-04-17
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510461308.4
    一种图像传感器，包括：第一光电探测器(PD)，在衬底中，第一PD吸收可见光线；间隔层，在衬底上；纳米棱镜，在间隔层上；以及第二PD结构，在纳米棱镜上，第二PD结构吸收红外光线。纳米棱镜将入射光按颜色分成多束光，并且间隔层将多束光中的每束光聚...
    2026-04-17
  • 芯片模组、自测试方法、接收芯片的制备方法及激光雷达
    芯片模组、自测试方法、接收芯片的制备方法及激光雷达_深圳市速腾聚创科技有限公司_202510151820.9
    本申请实施例涉及激光雷达领域，公开了一种芯片模组、自测试方法、接收芯片的制备方法及激光雷达。该芯片模组包括封装基板；系统级芯片，设置于封装基板表面；激光发射芯片，设置于系统级芯片表面，用于发射激光信号；至少两个接收芯片包括第一接收芯片和第二...
    2026-04-17
  • 芯片模组、自测试方法、接收芯片的制备方法及激光雷达
    芯片模组、自测试方法、接收芯片的制备方法及激光雷达_深圳市速腾聚创科技有限公司_202510151821.3
    本申请实施例涉及激光雷达领域，公开了一种芯片模组、自测试方法、接收芯片的制备方法及激光雷达。该芯片模组包括封装基板；系统级芯片，设置于封装基板表面；激光发射芯片，设置于封装基板表面，用于发射激光信号；至少两个接收芯片包括第一接收芯片和第二接...
    2026-04-17
  • 光检测器集成电路及其制作方法
    光检测器集成电路及其制作方法_原相科技股份有限公司_202510699056.9
    一种包含硅接合垫、光源晶粒以及光电二极管的光检测器集成电路。所述硅接合垫上通过非接触式点胶形成传导性环氧树脂。所述传导性环氧树脂用于固定所述光源晶粒于所述硅接合垫。所述光源晶粒用于朝向编码媒体发射光以产生调变反射光传递至所述光电二极管。
    2026-04-17
  • 工装横移装置、电池片成串设备及成串方法
    工装横移装置、电池片成串设备及成串方法_无锡奥特维科技股份有限公司_202411351623.3
    本申请提供了一种工装横移装置、电池片成串设备及成串方法，其中的工装横移装置包括安装座、横移机构、升降机构及抬升机构，其中：横移机构设置在安装座的底部；升降机构连接在横移机构的活动部件上；横移机构和升降机构被配置为配合驱动抬升机构横移及升降，...
    2026-04-17
  • 一种焊带处理设备及焊带处理方法
    一种焊带处理设备及焊带处理方法_无锡奥特维科技股份有限公司_202411352204.1
    本申请公开了一种焊带处理设备及焊带处理方法，涉及电池生产技术领域，焊带处理设备包括移动模组、焊带牵引装置、压焊带装置和输送装置；焊带牵引装置包括驱动机构和夹紧机构，夹紧机构上设置有用于夹持焊带的延伸段，驱动机构被配置为驱动延伸段夹紧及释放待...
    2026-04-17
  • 光电二极管及其制备方法
    光电二极管及其制备方法_武汉敏芯半导体股份有限公司_202511642319.9
    本申请实施例公开了一种光电二极管及其制备方法，包括：在芯片基体的欧姆接触层上沉积阻挡膜，芯片基体包括衬底和依次堆叠于衬底上的N型接触层、本征吸收层、扩散窗口层和欧姆接触层；在阻挡膜上开设扩散窗口，令对应扩散窗口的部分欧姆接触层外露；对扩散窗...
    2026-04-17
  • 一种光伏电池制备中的B/PSG层去除方法及设备
    一种光伏电池制备中的B/PSG层去除方法及设备_博海新能源(合肥)有限公司_202511651450.1
    本发明涉及光伏电池制造技术领域，具体公开了一种基于热水膜保护与加热的光伏电池制备方法及设备。该方法在于：将链式B/PSG去除设备中用于形成保护水膜的去离子水加热至一预设温度(30℃‑80℃)，从而在硅片第一面形成热水保护膜。该热水膜不仅利用...
    2026-04-17
  • 一种单光子雪崩二极管探测器及其制备方法
    一种单光子雪崩二极管探测器及其制备方法_南京芯视界微电子科技有限公司_202511719864.3
    本申请涉及一种单光子雪崩二极管探测器及其制备方法。该方法包括：在刻蚀完所述单光子雪崩二极管单元阵列的每个相邻的单光子雪崩二极管单元之间的深沟槽后，在所述深沟槽表面依次生长第一缓冲层、氧化铪层、氧化铝层、氧化钽层、第二缓冲层、粘附层后，在所述...
    2026-04-17
  • 一种自动调整氧化层差值的N型TOPCon电池去PSG机
    一种自动调整氧化层差值的N型TOPCon电池去PSG机_正奇光能科技有限公司_202511750537.4
    本发明公开了一种自动调整氧化层差值的N型TOPCon电池去PSG机，属于TOPCon电池生产技术领域，包括去PSG机主体(1A)：所述去PSG机主体(A)的两侧分别设置有上料装置和下料装置，所述上料装置的出料端和下料装置的进料端分别设置有氧...
    2026-04-17
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