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最新专利技术
  • 一种提升砷化镓器件栅极击穿电压的制备方法
    一种提升砷化镓器件栅极击穿电压的制备方法_福建省福联集成电路有限公司_202511845406.4
    本发明涉及砷化镓半导体器件制造技术领域，具体涉及一种提升砷化镓器件栅极击穿电压的制备方法，制备方法为：在源极的金属和漏极的金属上涂布第一光阻层，所述第一光阻层的材质为LOR剥离胶；涂布第二光阻层，所述第二光阻层为正光阻，经i‑line或电子...
    2026-04-23
  • 提高材料表面亲水性的方法、HKMG结构的制备工艺
    提高材料表面亲水性的方法、HKMG结构的制备工艺_重庆芯联微电子有限公司_202511887897.9
    本发明公开了一种提高材料表面亲水性的方法、HKMG结构的制备工艺，所述提高材料表面亲水性的方法，包括提供一氧化硅层或氮氧化硅层，在所述氧化硅层或氮氧化硅层表面进行以下两步处理：第一步、在所述氧化硅层或氮氧化硅层表面施加第一处理液，所述第一处...
    2026-04-23
  • 改善SONOS器件中氮化硅层与顶氧化层界面的方法及SONOS器件
    改善SONOS器件中氮化硅层与顶氧化层界面的方法及SONOS器件_普冉半导体(上海)股份有限公司_202512007085.7
    一种改善SONOS器件中氮化硅层与顶氧化层界面的方法及SONOS器件。该方法在半导体衬底上限定控制栅区域与非控制栅区域，形成底氧化层后依次形成氮化硅层与顶氧化层。与现有工艺在分区光刻前提前去除顶氧化层不同，本发明在形成光刻胶图形、对顶氧化层...
    2026-04-23
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202610007694.4
    本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，依次形成栅氧化材料层、栅极材料层与图形化的硬掩膜层；以图形化的硬掩膜层为掩膜进行第一次干法刻蚀，在栅极材料层底部形成基脚；进行第一次湿法清洗；进行第二次干法刻蚀形成栅极与栅氧化层...
    2026-04-23
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202610007763.1
    本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成栅极材料层与图形化的硬掩膜层；以图形化的硬掩膜层为掩膜，对栅极材料层进行干法刻蚀，栅极材料层的截面宽度大于目标截面宽度；进行化学氧化在栅极材料层侧壁上形成化学氧化层，...
    2026-04-23
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202610007806.6
    本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底上依次形成栅极材料层与硬掩膜层；形成图形化的硬掩膜层；在图形化的硬掩膜层的侧壁形成侧墙；对栅极材料层进行干法刻蚀至暴露出衬底，形成栅极；进行湿法清洗以去除干法刻蚀中产生的聚...
    2026-04-23
  • 半导体器件
    半导体器件_英飞凌科技奥地利有限公司_202511343090.9
    根据一些实施例，提供一种器件。所述器件包括具有栅极电极的晶体管、连接到栅极电极的第一栅极焊盘、连接到栅极电极的第二栅极焊盘、以及连接第一栅极焊盘和第二栅极焊盘的第一栅极环。
    2026-04-23
  • 功率模块及其封装方法
    功率模块及其封装方法_瑞能微恩半导体(上海)有限公司_202511881576.8
    本申请公开了一种功率模块及其封装方法，功率模块包括功率组件与驱动组件，功率组件包括衬底与功率器件，功率器件布置于衬底沿厚度方向的一侧；驱动组件包括至少两个基板与控制电路，至少两个基板间隔设置于衬底布置有功率器件的一侧，控制电路包括分设于至少...
    2026-04-23
  • MOSFET器件、用于MOSFET器件的制备方法
    MOSFET器件、用于MOSFET器件的制备方法_紫光同芯微电子有限公司_202511847567.7
    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种MOSFET器件、用于MOSFET器件的制备方法。MOSFET器件包括：N+衬底；N型外延层，设置于N+衬底的上表面；浮空P型体区，设置于N型外延层上方；P型柱，P型柱上表面与浮空P型体区的下表面连接，且...
    2026-04-23
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511785783.3
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，其中，制备方法包括：提供一半导体衬底，包括低压区、中压区和高压区，低压区上形成有第一栅极，中压区上形成有第二栅极，高压区上形成有第三栅极，依次形成第一侧墙材料层和第二侧墙材料层，采用第一掩膜板进行第一...
    2026-04-23
  • 一种BCD中制备不同开启电压的IO器件的方法及BCD器件
    一种BCD中制备不同开启电压的IO器件的方法及BCD器件_重庆芯联微电子有限公司_202511706499.2
    本发明提供一种BCD中制备不同开启电压的IO器件的方法及BCD器件，方法包括：在衬底中形成隔离结构，定义第一区、第二区和第三区，第一区/第二区用于形成具有第一开启电压/第二开启电压的IO器件，第三区用于形成LDMOS器件；在第一阱区和第二阱...
    2026-04-23
  • 一种BCD平台和HV平台的集成方法及半导体集成器件
    一种BCD平台和HV平台的集成方法及半导体集成器件_重庆芯联微电子有限公司_202511728929.0
    本发明提供一种BCD平台和HV平台的集成方法及半导体集成器件，方法包括：在衬底中形成第一隔离结构和第二隔离结构，第一隔离结构定义用于形成LDMOS器件/HVMOS器件/CMOS器件的第一区/第二区/第三区，第二隔离结构在第二区中；通过局部热...
    2026-04-23
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_重庆芯联微电子有限公司_202511732284.8
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，先形成第一介质层，第一介质层填充于第一栅极与第二栅极之间并延伸覆盖第一硬掩膜层，第二栅极上的第一介质层的顶表面高于第一栅极上的第一介质层的顶表面；对第二栅极上的第一介质层进行刻蚀，以去除第二栅极上的第一介...
    2026-04-23
  • 一种栅极高度调整方法及半导体结构
    一种栅极高度调整方法及半导体结构_重庆芯联微电子有限公司_202511901688.5
    本发明公开了一种栅极高度调整方法及半导体结构，所述方法包括，提供一沉积有PMOS栅极结构以及NMOS栅极结构的基底；所述PMOS栅极区域以及所述NMOS栅极区域沉积有硬掩膜层；所述硬掩膜层由厚度不同的硬掩膜层A以及硬掩膜层B两个部分组成；去...
    2026-04-23
  • 一种半导体结构的制备方法及半导体器件
    一种半导体结构的制备方法及半导体器件_无锡沧海云帆电子科技有限公司_202512013011.4
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体结构的制备方法及半导体器件，包括：提供基底层以及在基底层上形成外延层；外延层包括第一器件区域和第二器件区域；在外延层上形成第一多晶硅层；第一多晶硅层同时覆盖第一器件区域和第二器件区域；在第一多晶硅层...
    2026-04-23
  • 半导体器件及其制备方法和电子设备
    半导体器件及其制备方法和电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202512061508.3
    本公开涉及一种半导体器件及其制备方法和电子设备，包括在第一半导体结构上形成由第一介质层延伸至第一衬底的第一孔洞结构；在第一孔洞结构内形成材料成分由第一半导体材料渐变至第二半导体材料延柱结构；在第一介质层上方制备第二半导体结构，第二半导体结构...
    2026-04-23
  • N型衬底BCD工艺全隔离器件结构及其制作方法
    N型衬底BCD工艺全隔离器件结构及其制作方法_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202610000822.2
    本发明公开了一种N型衬底BCD工艺全隔离器件结构及其制作方法，所述制作方法包括以下步骤：提供N型衬底，在所述衬底上形成外延层并在所述外延层中形成全隔离结构；在所述外延层上形成有源区和浅沟槽隔离；在所述外延层上形成双阱区；在所述外延层上形成栅...
    2026-04-23
  • 基于P型掺杂台面结构的碳化硅CMOS器件及制作方法
    基于P型掺杂台面结构的碳化硅CMOS器件及制作方法_山东大学_202610028291.8
    本发明属于电子技术领域，涉及基于P型掺杂台面结构的碳化硅CMOS器件及制作方法，该制作方法包括对碳化硅P型轻掺杂外延层进行刻蚀形成P型掺杂台面结构，并暴露出下方掩埋的碳化硅N型轻掺杂外延层，使用牺牲氧化层方法修复刻蚀损伤；进行两次低能量离子...
    2026-04-23
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202411378219.5
    本发明提供一种电子装置，包括：基板；第一晶体管，设置于基板上，具有第一操作电压；以及第二晶体管，设置于基板上，具有第二操作电压。第一晶体管包括第一半导体层、第一栅极、以及第一绝缘结构，第一绝缘结构设置于第一半导体层与第一栅极之间。第二晶体管...
    2026-04-23
  • 包括堆叠晶体管的集成电路器件及其制造方法
    包括堆叠晶体管的集成电路器件及其制造方法_三星电子株式会社_202510994881.1
    提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括：衬底；在衬底的上表面上的绝缘体；在衬底和绝缘体之间的晶体管，晶体管包括：沟道层，在垂直于衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开；以及在沟道层和绝缘体上的栅极结构，其中绝缘体在与衬底的上表面平...
    2026-04-23
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