Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
最新专利技术
  • 本发明涉及一种基于里德堡原子直流斯塔克的可调谐激光稳频系统及方法,属于激光稳频技术领域。本发明调谐后的频率由原子态以及极板两端电压决定,可以通过理论模型计算得到,锁定后的激光频率具有高精度与长期稳定性,其精确度与长期稳定性在MHz以内。本发...
  • 本发明属于激光频率控制技术领域,提供了一种抑制频率突变对光学腔频率锁定影响的装置及方法,其特征在于包括激光驱动组件、光路组件、锁定回路调节组件和误差信号开关组件;所述光路组件包括依次连接的激光器、隔离器、第一反射镜、激光频率调谐器、第一聚焦...
  • 本发明公开了一种应用于激光稳频的跨波段激光连续稳频装置,包括参考激光、原子光谱稳频模块、电光调制器件、二向色反射镜、宽波段传递光学腔、频率锁定伺服模块及腔长锁定私服模块,其中宽波段传递光学腔为腔镜带有压电陶瓷的腔长可控的光学腔;还公开了其方...
  • 本发明提供一种大能量铥泵钬激光振荡放大器,属于固体激光器技术领域,大能量铥泵钬激光振荡放大器,包括:泵浦源,包括铥掺杂钇铝石榴石晶体,用于输出第一波长的泵浦激光;振荡器,包括钬掺杂钇铝石榴石晶体,用于以泵浦激光作为泵浦光产生第二波长的种子激...
  • 本发明公开了一种多波长半导体激光可变光斑的输出控制方法及系统,涉及激光器输出控制技术领域。该一种多波长半导体激光可变光斑的输出控制方法及系统,包括S1,采集激光参数数据进行预处理操作,并进行存储后构建多波长激光输出数据库;S2,通过对多波长...
  • 本申请涉及半导体器件的技术领域,尤其是涉及一种晶圆及其制备工艺、激光器件及其制备工艺,晶圆包括层叠设置的P面电极、衬底、金属反光层、外延层和N面电极;所述衬底采用CuSiC合金基板;所述外延层为去除原始衬底后的AlGaInP外延层,且键合于...
  • 本发明公开了一种基于抛物线凹面反射准直激光的BOX光源封装结构及方法,封装结构包括BOX壳体、TEC、散热块垫片、COC芯片、抛物线凹面反射镜以及透光斜窗,TEC设置在BOX壳体的底座内壁上,COC芯片通过散热块垫片封装在TEC的冷端表面,...
  • 本申请属于半导体激光器技术领域,公开了一种半导体激光器的水冷散热结构,包括水冷底座、水冷板、COS单元,水冷底座安装在水冷板上,水冷底座上具有多个COS焊接位,COS焊接位用于连接COS单元,水冷底座和水冷板之间具有用于容纳冷却液的腔室,水...
  • 本申请实施例涉及一种VCSEL激光芯片的切割方法及VCSEL激光芯片,该方法包括:提供一VCSEL激光芯片;于VCSEL激光芯片上旋涂一第一保护胶层;去除沟道内的部分第一保护胶层;于第一保护胶层上旋涂一第二保护胶层,得到中间VCSEL激光芯...
  • 本发明公开了一种薄膜钽酸锂外腔稳频扫频激光器及其制备与工作方法,属于集成激光器技术领域。该激光器采用半导体增益芯片与薄膜钽酸锂外腔芯片混合集成。钽酸锂芯片上单片集成了移相器、嵌入式混合光栅、光开关及相位调制器。其核心在于通过驱动器向移相器和...
  • 本发明公开了一种冷原子稳频激光器及其实现方法,属于激光技术领域。本发明为解决基于光学谐振腔的激光稳频中腔长热噪声大以及基于原子分子气室的稳频中存在多普勒展宽和碰撞展宽的问题,通过利用冷原子反冲共振谱线作为频率参考源,构建包括光学探测链路与电...
  • 本发明提供了一种异质结集成超宽带可调谐半导体激光器,包括有集成于CMOS兼容硅光子芯片上的III‑V/Si异质结增益模块、DBR‑微环复合调谐模块、相位控制模块、总线波导、可调耦合器模块及输出模块,各模块协同作用,既保障宽谱增益的高效激发,...
  • 本申请公开的一种环形微腔量子级联激光器,包括自下而上依次设置的衬底;环形微腔,设置于所述衬底上,环形微腔为带缺口的椭圆谐振器,环形微腔的中心区域设有凹槽;半绝缘InP : Fe填充层设置于环形微腔中心区域的凹槽中,半绝缘InP : Fe填充...
  • 本申请涉及光电子技术领域,公开了一种分布反馈激光器及其制备方法,分布反馈激光器包括衬底层、分离限制异质结构、耦合光栅层、电介质层、阳极和阴极。在耦合光栅层的脊形波导的侧壁沿腔长分段布置布拉格光栅,光栅至少包含两段耦合系数不同的光栅段,并在腔...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,特别是涉及一种猫眼式外腔半导体激光器及其使用方法。该激光器包括外壳和设置在外壳底部的半导体制冷器,所述半导体制冷器用于控制激光器的温度,以保证激光器输出波长与功率的稳定性;所述外壳内部设置有猫眼组件和滤光组件...
  • 公开了多结偏振受控的垂直腔面发射激光器及其制造方法。公开了一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)以及制造或形成VCSEL的方法,该VCSEL从VCSEL的底部到顶部包括半导体基板、底部分布式布拉格反射器(DBR)、包括至少一个有源子区域的半导...
  • 本申请公开一种垂直外腔表面发射激光器及激光设备,涉及半导体光源技术领域。该垂直外腔表面发射激光器,包括层叠设置的泵浦光源、泵浦透明反射层以及第一有源层,第一有源层远离泵浦透明反射层的一侧还设置有第一反射镜,第一反射镜与泵浦透明反射层形成谐振...
  • 本发明提供了一种具有垂直平面内倾斜腔面的半导体激光器及制造方法,该半导体激光器包括:层叠结构;主振荡器区、功率预放大器区和锥形功率放大器区,主振荡器区、功率预放大器区和锥形功率放大器区沿波导光路轴线的延伸方向依次集成于层叠结构上;衬底,层叠...
  • 本发明提供了一种可调谐激光器的超宽带增益谱外延材料结构及其应用。本发明中的外延材料结构包括由下至上依序设置的衬底、下包层、波导层、上限制层、上包层和接触层;所述波导层包括本征波导层及嵌入本征波导层内的铋化物量子点层,其通过能带反交叉效应拓宽...
  • 本发明属于光电子技术领域,具体公开一种半导体激光器件及其制备方法。该器件沿外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、过渡层、限制层、波导层、量子阱、波导层、电子阻挡层、限制层、过渡层以及帽层。过渡层的铝组分沿厚度方向呈渐变分布,波导层与量子阱之间形...
技术分类