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  • 本发明属于粉末渗锌技术领域,具体公开了一种提升电力金具粉末渗锌过程温度均匀性的装置,包括底座,底座的上壁设有下安装板,下安装板的上壁铰接设有上安装板,上安装板的上部贯穿设有旋转管,旋转管的端部固定设有外旋转壳体,旋转轴贯穿外旋转壳体和旋转管...
  • 本公开涉及用于沉积的掩模以及显示系统。用于沉积的掩模包括沉积区域和非沉积区域,该掩模包括:晶片衬底,包括彼此间隔开的多个第一开口;无机层,设置在晶片衬底上并且包括多个第二开口,该多个第二开口各自在平面图中与多个第一开口中的相应一个重叠;图案...
  • 本公开涉及掩模组件和制造掩模组件的方法。方法包括:提供晶圆;在晶圆上形成第一无机层;在第一无机层上形成第二无机层;蚀刻晶圆以形成单元开口;在第一无机层的通过单元开口暴露的后表面上形成光敏层;蚀刻光敏层以形成多个光敏开口;各向同性蚀刻第一无机...
  • 本发明属于超级电容器电极材料技术领域,具体涉及一种Zn掺杂氮化钼薄膜及其制备方法和应用。本发明采用钼靶和锌钯作为靶材,氮气作为反应气体进行磁控溅射,在衬底表面得到初始Zn掺杂氮化钼薄膜,所述初始Zn掺杂氮化钼薄膜中Zn元素的掺杂量为0.5~...
  • 本申请公开了一种基于界面应力调控的PZT多层压电薄膜制备方法,属于薄膜制备技术领域。包括:S1提供衬底;S2对衬底进行预处理,得到处理好的衬底;S3将处理好的衬底固定在磁控溅射腔室内PZT靶材的上方,关闭腔室,将腔室内的气压抽至第一压力值,...
  • 本发明涉及一种用于碳化硅单晶的耐高温增透膜及其制备方法。所述用于碳化硅单晶的耐高温增透膜的结构包括:碳化硅基底,所述碳化硅基底包括相背的第一表面和第二表面;沉积于所述第一表面的第一镀膜膜层;以及,沉积于所述第二表面的第二镀膜膜层。
  • 本发明公开了旋转阴极靶端头表面处理工艺,包括以下步骤:S1、设计加工:设计旋转阴极靶端头并进行相应的机械加工;S2、去毛刺:在S1中的机械加工完成的旋转阴极靶端头上去毛刺并进行倒角;S3、一次清洗:利用酒精对S2中完成去毛刺和倒角的旋转阴极...
  • 本发明公开了一种镁合金结构件及其加工方法,涉及镁合金表面处理技术领域,其中,镁合金结构件包括结构件基体、设置在结构件基体表面的石墨烯涂层,石墨烯涂层包括石墨烯、粘结剂和硅烷偶联剂,其中,石墨烯、粘结剂及硅烷偶联剂的质量比为(2‑25):(3...
  • 本发明涉及金属化薄膜生产技术领域,具体为一种提高金属化薄膜加厚区居中性的生产方法,包括以下步骤:S1、屏蔽层的涂覆:向金属化薄膜表面喷涂液态临时屏蔽层,经冷却固化形成固态屏蔽层;S2、加厚区的对中:通过检测设备实时监测加厚区位置,并在固态屏...
  • 本申请涉及可见光‑短波红外镀膜技术领域,实施例具体公开了一种适用480‑1970nm波段超宽带减反膜及其制备方法,包括:从下至上依次设置的基底层和空气层,以及设置于所述基底层和空气层之间的膜层结构;所述基底层的材料为H‑QK3、H‑LaF1...
  • 本发明涉及刀具表面处理技术领域,且公开了一种刀具用PVD涂层的制备工艺,该工艺包括刀具基体预处理、涂层沉积设备调试、基体等离子体清洗、过渡层沉积、纳米多层涂层沉积及后处理步骤。本发明制备的涂层与基体结合力强,纳米硬度可达35‑40GPa,摩...
  • 本申请公开了一种金属件、镀膜方法及电子设备,所述金属件包括金属基材、打底层、过渡层以及干涉层,所述打底层覆盖于所述金属基材的表面,所述过渡层覆盖于所述打底层背离所述金属基材的表面;以及所述干涉层覆盖于所述过渡层背离所述打底层的表面,所述干涉...
  • 本发明涉及真空处理技术领域,公开了一种支撑机构及真空处理设备。支撑机构包括旋转支撑机构和/或顶升支撑机构;旋转支撑机构包括第一腔体座、动力组件、传动组件和旋转平台,第一腔体座设于真空腔室;动力组件设于第一腔体座,旋转平台的一端转动设于第一腔...
  • 本发明涉及磁控溅射靶材领域,尤其涉及一种钼硅靶材及其制备方法。所述制备方法包括:1)将高纯Mo粉和高纯Si粉混合后进行真空热处理,得到钼硅合金坯料;所述高纯Mo粉和高纯Si粉的原子比为9 : 3~5 : 3,真空热处理的温度≤1100℃;2...
  • 本发明提供了一种用于改性镀硅的磁控溅射镀膜控制方法及设备,其中方法包括步骤S1‑S4, 其中通过复合控制策略,实现了对沉积速率的主动补偿,将大面积基片的膜厚不均匀性从传统工艺的±8‑12%稳定控制在±2%以内,其次通过霍尔源分段束流密度控制...
  • 本发明公开了一种具有双层结构的高耐蚀钽薄膜及其制备方法,涉及半导体制造及表面工程领域,该薄膜沉积于基底上,从下至上依次包括与基底接触的非晶钽结合层及位于非晶钽结合层之上的(α+β)钽混合相耐蚀层,非晶钽结合层厚度为5nm‑100nm,可掺入...
  • 本发明涉及硬质合金技术领域,特别涉及一种硬质合金刃口处理方法及其制备的刀具;在本发明内,先对硬质合金刀具的刃口进行表面清洁预处理,再对预处理后的所述刃口进行离子注入,以在刃口表层形成强化层,然后对离子注入后的所述刃口进行微弧氧化处理,以在所...
  • 本申请公开了一种高硬度与高耐蚀性能的钢材及其制备方法,属于金属材料表面改性,制备方法包括对钢材进行磨削、清洗和干燥后,进行渗碳处理;对渗碳处理后的钢材进行热处理;将Cr为靶材,对热处理后的钢材进行离子注入,得到成品钢材。本申请创造性地将离子...
  • 本发明公开了一种行星盘增加单次做片量结构,能够放置在蒸镀机台中,包括:行星盘;以及布置于所述行星盘中的载盘;支架具有多个支撑体,多个所述支撑体均连接于所述行星盘,并均布在所述载盘的外圆周。本发明的一种行星盘增加单次做片量结构,设置了载盘结构...
  • 本发明属于半导体技术领域,具体的说是一种半导体芯片镀膜设备,包括工作台,所述工作台的上端面转动设置有镀膜盘,所述镀膜盘的上端面固定安装有多个呈圆周阵列设计的支撑架,每个所述支撑架的内侧均设置有吸附管,每个所述支撑架的上方均设置有芯片本体,所...
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