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最新专利技术
  • 一种半导体芯片镀膜设备
    一种半导体芯片镀膜设备_南通优睿半导体有限公司_202610100523.6
    本发明属于半导体技术领域，具体的说是一种半导体芯片镀膜设备，包括工作台，所述工作台的上端面转动设置有镀膜盘，所述镀膜盘的上端面固定安装有多个呈圆周阵列设计的支撑架，每个所述支撑架的内侧均设置有吸附管，每个所述支撑架的上方均设置有芯片本体，所...
    2026-05-08
  • 相向交错生长碳纳米管形成的低热阻热界面结构及方法
    相向交错生长碳纳米管形成的低热阻热界面结构及方法_香港科技大学深港协同创新研究院(深圳福田)_202411449463.6
    本发明公开了一种相向交错生长碳纳米管形成的低热阻热界面结构及方法，通过在氧化硅‑氧化硅键合形成的微通道内相向交错生长碳纳米管，实现了纳米管之间的缠绕结构，有效增加了接触面积并减少了接触距离，显著降低了界面热阻至1mm2K/W以下，低于压合法...
    2026-05-08
  • 一种耐氢刻蚀的极紫外光刻掩模版用单壁碳纳米管复合防护膜的制备方法
    一种耐氢刻蚀的极紫外光刻掩模版用单壁碳纳米管复合防护膜的制备方法_中国科学院金属研究所_202511847217.0
    本发明涉及极紫外光刻掩模版防护膜制备领域，具体为一种耐氢刻蚀的极紫外光刻掩模版用单壁碳纳米管复合防护膜的制备方法。利用浮动催化剂化学气相沉积法生长单壁碳纳米管并采用气相过滤沉积方法制备组装单壁碳纳米管薄膜；在由单壁碳纳米管/管束构成的薄膜表...
    2026-05-08
  • 一种金刚石膜的制备方法及高品质金刚石膜
    一种金刚石膜的制备方法及高品质金刚石膜_北京安泰钢研超硬材料制品有限责任公司_202511886841.1
    本申请涉及金刚石膜制备技术领域，具体公开了一种金刚石膜的制备方法，包括以下步骤：衬底预处理、形核处理、CVD生长金刚石膜、后处理；所述形核处理的方法包括激光打标形核，具体步骤为：采用激光器在预处理后的衬底表面进行图形化处理；所述图形化处理所...
    2026-05-08
  • 基于光谱诊断的金刚石生长分布式偏压调控方法及系统
    基于光谱诊断的金刚石生长分布式偏压调控方法及系统_宁波晶钻科技股份有限公司_202610087343.9
    本发明提供一种基于光谱诊断的金刚石生长分布式偏压调控方法及系统，涉及微波等离子体化学气相沉积金刚石制备技术领域。通过发射光谱实时捕捉关键前驱物质光谱分布，实现偏压的“按需分配”，将大尺寸衬底(直径≥50mm)各区域生长速率差缩小至1μm/h...
    2026-05-08
  • 一种铝粉催化CVD生长MoSe2/WSe2横向异质结纳米片的方法
    一种铝粉催化CVD生长MoSe2/WSe2横向异质结纳米片的方法_华南师范大学_202610025479.7
    本发明公开了一种铝粉催化CVD生长MoSe2/WSe2横向异质结纳米片的方法，包括如下步骤：S1：使用SiO2/Si片预处理后，作为生长基底；S2：旋涂含有钼源和钨源的前驱体溶液至生长基底表面；S3：将S2中得到的生长基底与铝粉、硒粉共同置...
    2026-05-08
  • SiC化学气相沉积装置
    SiC化学气相沉积装置_株式会社力森诺科_202610149108.X
    本发明提供一种SiC化学气相沉积装置，上述SiC化学气相沉积装置具有：炉体，其在内部构成沉积空间；和载置台，其位于上述沉积空间内，且在载置面载置SiC晶片，上述炉体具有：第1孔，其位于与上述载置面对置的上部，向上述沉积空间内导入原料气体；第...
    2026-05-08
  • 提高蒙烯材料面电阻均匀性的化学气相沉积装置
    提高蒙烯材料面电阻均匀性的化学气相沉积装置_北京石墨烯研究院_202411463537.1
    本发明涉及一种提高蒙烯材料面电阻均匀性的化学气相沉积装置，包括反应腔、进气装置、出气装置，进气装置、出气装置分别设置于反应腔的两侧，所述反应腔内设置用于放置衬底材料的置物板，在置物板的两端设置有阻挡组件，该阻挡组件包括第一阻挡组件和第二阻挡...
    2026-05-08
  • 一种用于清洁LPCVD设备的控温刻蚀方法
    一种用于清洁LPCVD设备的控温刻蚀方法_浙江晶盛光子科技有限公司_202411470418.9
    本发明提供了一种用于清洁LPCVD设备的控温刻蚀方法，包括：将清洁气体传输至炉管内，所述清洁气体与炉管内壁上的多晶硅发生化学反应；其中，炉尾的温度高于炉管内其他位置的温度。本发明通过限定炉尾的温度高于炉管内其他位置的温度，有效提高了炉尾处的...
    2026-05-08
  • MOCVD反应室及其控制方法
    MOCVD反应室及其控制方法_南昌大学_202610080896.1
    本发明提供一种MOCVD反应室及其控制方法，反应室包括真空腔壳体、喷淋头、衬底承载组件、加热组件、旋转组件以及尾气集排装置；旋转组件包括旋转组件基座，旋转组件基座通过气‑磁联合作用实现悬浮支撑，并由气体喷射驱动旋转；旋转组件基座与衬底承载组...
    2026-05-08
  • 一种金刚石基氮化硼薄膜及其制备方法
    一种金刚石基氮化硼薄膜及其制备方法_西安电子科技大学_202610089107.0
    本发明公开了一种金刚石基氮化硼薄膜及其制备方法，涉及半导体外延材料技术领域，该制备方法包括对单晶金刚石衬底依次进行抛光和清洗预处理；对腔体进行起辉清洗处理，将腔体内的温度升温至生长温度；对预处理后的单晶金刚石衬底的表面进行起辉活化处理；对起...
    2026-05-08
  • 一种制备硅碳负极材料的装置系统及方法
    一种制备硅碳负极材料的装置系统及方法_万华化学集团股份有限公司_202411470082.6
    本发明涉及一种制备硅碳负极材料的装置系统及方法，所述装置系统包括沿物料流向依次连接的流化床反应器、中间料仓、回转窑以及出料料仓；所述流化床反应器的顶部分别连接有进料料仓与尾气处理装置，底部分别连接有原料气预混装置与所述中间料仓；所述进料料仓...
    2026-05-08
  • 半导体处理装置
    半导体处理装置_ASMIP私人控股有限公司_202511471156.2
    公开了一种半导体处理装置。半导体处理装置包括：处理室，其配置成接收多个衬底；与处理室流体连通的蓄积器容器，其配置成储存气体形式的前体；以及至少两个固态前体储存容器，每个配置成接收气体形式的前体，以使所述接收的气体形式前体在相应的固态前体储存...
    2026-05-08
  • 半导体处理装置
    半导体处理装置_ASMIP私人控股有限公司_202511471631.6
    公开了一种半导体处理装置。半导体处理装置包括：处理室，其配置成接收多个衬底；与处理室流体连通的至少一个蓄积器容器，其配置成储存气体形式的前体；以及至少两个固态前体储存容器，每个配置成接收气体形式的前体，以使所述接收的气体形式前体在相应的固态...
    2026-05-08
  • 一种原子层沉积腔室
    一种原子层沉积腔室_中国科学院微电子研究所_202511221050.7
    本发明公开一种原子层沉积腔室，涉及原子层沉积技术领域，包括：下腔室槽；上腔室盖，封盖于下腔室槽上；样品台，设置于下腔室槽中，样品台用于放置衬底；加热装置，设置于上腔室盖，且加热装置位于样品台的上方以对衬底加热。本发明提供的原子层沉积腔室中，...
    2026-05-08
  • 形成金属-铌氧化物膜的方法和系统
    形成金属-铌氧化物膜的方法和系统_ASMIP私人控股有限公司_202511468436.8
    一种使用沉积方法在衬底上沉积金属‑铌氧化物膜的过程可以包括多个完整沉积循环。每个完整沉积循环可以包括执行金属‑氧化剂子循环，然后执行铌子循环。金属‑氧化剂子循环可以包括使衬底与金属前体和第一氧前体接触。铌子循环可以包括使衬底与至少铌前体接触...
    2026-05-08
  • 反应腔室及半导体沉积设备
    反应腔室及半导体沉积设备_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511789711.6
    本公开提供了一种反应腔室及半导体沉积设备，属于半导体制备技术领域。该反应腔室，包括：腔体和腔盖；腔体具有开口；腔盖与腔体活动相连，以封盖腔体的开口，腔盖朝向腔体的一面具有输气管道和输气盘，输气管道的一端与输气盘相连，输气管道的另一端与腔盖相...
    2026-05-08
  • 基于预臭氧工艺的ALD沉积设备
    基于预臭氧工艺的ALD沉积设备_中润新能源(徐州)有限公司_202610373334.6
    本发明公开了一种基于预臭氧工艺的ALD沉积设备，包括ALD机台主体和等离子体沉积炉，所述等离子体沉积炉包括等离子体沉积炉气体连接口，所述ALD机台主体的一侧端面连接有臭氧输送机构和供给装置，所述臭氧输送机构包括臭氧发生器、烃类过滤器和臭氧输...
    2026-05-08
  • MOCVD真空腔室压力动态平衡控制方法及系统
    MOCVD真空腔室压力动态平衡控制方法及系统_西安唐晶量子科技有限公司_202610363688.2
    本发明属于半导体气相沉积技术领域，具体涉及一种MOCVD真空腔室压力动态平衡控制方法及系统，其方法包括：采集并预处理多维状态数据；基于实时数据计算等效流导，并结合参考基准构建流导衰减指数以表征管路堵塞程度；构建增益调度的扩张状态观测器，利用...
    2026-05-08
  • 一种自动连续换片与多重安全联锁控制CVD装置及控制方法
    一种自动连续换片与多重安全联锁控制CVD装置及控制方法_上海交通大学_202610077782.1
    本发明公开了一种自动连续换片与多重安全联锁控制CVD装置及控制方法，涉及化学气相沉积领域，包括气源、多路气体流量传感器MFC、石英管、加热炉阵列、置样腔室、送样杆模块、换片模块、挡板模块和上位机控制系统，气源提供气体供应，MFC控制和读取气...
    2026-05-08
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