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  • 本发明公开了基于云计算的大数据漏洞监控及数据维护方法及系统,包括如下步骤:S1、构建时空联合特征集;S2、基于时空联合特征集构建动态信任图;S3、使用改进信任传播算法对动态信任图进行迭代更新;S4、采用自演化扩散Transformer模型,...
  • 本发明属于离心机技术领域,提供了一种基于大数据分析的离心机设备故障预测诊断方法,为了解决传统技术中离心机的故障预测诊断准确性较低的问题,本发明方法通过确定预设离心机的多模态大数据,多模态大数据包含不同的单模态大数据,根据单模态大数据基于相应...
  • 一种多品种小批量机械加工过程的工序识别方法,包括:进行多组离线加工实验,采集加工过程中的功率信号,结合工艺参数构建变点模板,运用变点检测方法将功率信号划分为工序片段,并利用递归分析将工序片段转换为递归图,将递归图使用迁移学习方法构建相似度计...
  • 本发明涉及光学全息检测技术领域,具体涉及一种基于余弦调制的双曝光法检测玻璃微形变的方法。该方法通过分别记录玻璃变形前的光场和变形后的光场;对玻璃变形前的光场和变形后的光场通过同一参考光分别进行干涉,获取玻璃变形前对应的第一全息图,以及玻璃变...
  • 本发明公开了一种柔性无铅锡基钙钛矿单晶薄膜及其制备方法,采用ECR等离子体辅助脉冲激光沉积法制备得到,由于等离子体提供的高能量可以替代部分热能,即使对衬底不加热,也可以使薄膜在低温下(低于90℃)实现可控外延生长。本发明制备得到的柔性无铅锡...
  • 本发明提供了一种基于石墨电极活化过一硫酸盐降解全氟烷基化合物的方法;包括:步骤1,石墨棒电极的预处理:将石墨棒电极浸入硫酸溶液中浸泡,以去除表面杂质;步骤2,配制电解液:配制包含待降解全氟烷基化合物、背景支撑电解质和过一硫酸盐(PMS)的电...
  • 本发明公开了一种基于水热法在钛棒表面原位生长羟基磷灰石涂层的制备方法,属于属于生物医用材料技术领域。该方法通过优化水热反应工艺,在钛基体表面形成高结合强度、生物活性优异的羟基磷灰石涂层,显著提升钛植入体的骨整合性能。本发明工艺简单、环保,所...
  • 本发明公开了一种三维蓝光钙钛矿薄膜及其发光二极管的制备方法,包括以下步骤:配置钙钛矿前驱体溶液,选取ITO作为导电基底,在ITO导电基底上旋涂PEDOT:PSS溶液,退火处理,形成空穴传输层;再旋涂钙钛矿前驱体溶液,退火处理制备成三维混卤素...
  • 本申请公开了一种显示面板及显示装置,属于显示技术领域。该显示面板包括:衬底,以及位于衬底一侧的多个子像素。多个子像素包括多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素和多个第四子像素。显示面板具有多个显示分区,一个显示分区包括阵列排布的多个...
  • 本申请公开了一种显示面板及显示装置,属于显示技术领域。该显示面板包括:驱动背板、像素定义层和发光层。发光层包括多个发光部,多个发光部包括多个第一发光部、多个第二发光部和多个第三发光部。显示面板具有多个显示分区,一个显示分区包括阵列排布的多个...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种基于2‑氨基乙基硫酸界面修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,自下而上依次为导电基底层、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层、背电极层;通过两性分子修饰电子传输层与钙钛矿吸光层之间的界面,所述两性分子...
  • 一种半导体发光器件,包括蓝宝石衬底、多孔的SiO2图案层和多孔的GaN缓冲层。SiO2图案层位于蓝宝石衬底的一表面上且局部覆盖蓝宝石衬底。GaN缓冲层位于蓝宝石衬底具有SiO2
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种多波段红外探测器及其制备方法。本发明提供了一种硅基异质外延Hg(1‑xn)CdxnTe的低应力剥离与多波段物理堆叠的协同创新方案。针对现有技术中衬底依赖性...
  • 本发明提供了一种异质结电池、异质结电池制备方法及光伏组件,涉及太阳能电池技术领域。该异质结电池包括硅基底层,所述硅基底层具有相对设置的第一表面和第二表面,其中,第一表面为绒面,第二表面为抛光面,所述绒面和所述抛光面均依次层叠设置有本征非晶硅...
  • 本公开实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构,其中,半导体结构的制作方法包括:提供基底,基底包括相互间隔排布的有源柱以及位于有源柱之间的隔离结构,有源柱包括依次相连的第一区、第二区及第三区;刻蚀隔离结构以暴露有源柱的...
  • 本发明涉及半导体技术,具体的说是一种横向变掺杂P阱区MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明在传统P阱区MOS栅控晶闸管结构的基础上,将P阱区改为由多个窗口同时注入P型杂质并推结形成,从而形成沿横向方向变掺杂的P阱区。本发明的结构得器件P阱区的...
  • 本公开提供了一种导电层及其制备方法、电容器结构,属于电容结构领域。该电容器的导电层包括第一导电部、第二导电部和间隔部,间隔部布设于第一导电部和第二导电部之间,用以间隔第一导电部和第二导电部;其中,第一导电部与第二导电部中心对称,间隔部呈中心...
  • 本申请提供了一种存储材料、SOM存储器及其制造方法,本申请提供的存储材料在GeSeAsIn材料体系中掺入Si,用于SOM存储器时,能够抑制SOM存储器开启时导电细丝的生长,从而降低SOM存储器的漏电和漂移,提高其delta V,有效改善SO...
  • 本申请公开了一种SOM存储器件及其制造方法,应用于半导体技术领域。该方案中,制备初始叠层结构;对初始叠层结构执行第一刻蚀操作,使初始叠层结构形成若干中间叠层结构;若干中间叠层结构沿第二方向延伸且在第三方向相互平行;对若干中间叠层结构执行第二...
  • 本发明涉及电子元器件封装技术领域,具体为一种电子元器件制造用封装设备,包括:加工台,所述加工台的顶面右侧安装有封装机构,所述加工台的顶面左侧安装有上料机构;所述加工台的顶面安装有移动结构,所述移动结构包括导轨,所述导轨固定安装在加工台的顶面...
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