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  • 本发明涉及晶圆测试领域, 尤其涉及一种用于集成电路的晶圆封装测试方法, 包括, 根据所处的晶圆测试需求状态确定是否进行参考关联分析, 以及, 是否进行区域参考分析;参考关联分析时, 根据径向分布关联指数以及环向分布关联指数确定初始分析数据集...
  • 本申请实施例提供一种基于故障识别的电路控制方法、装置、设备及存储介质。该方法包括:获取电路的当前运行数据;其中, 当前运行数据表征当前时刻下电路的运行状态;基于预设的至少两个故障识别模型, 对当前运行数据进行特征提取处理, 得到电路的故障信...
  • 本发明提供了一种全自动扫码‑烧录‑测试电源电路板程序设备, 包括机架组件、机罩组件、扫码‑烧录机械手组件、测试工装组件、防护板、控制操作面板组件, 本发明的有益效果在于:该设备能够全自动完成测试电路PCB板的夹紧定位, 探针自动对准板子上的...
  • 本申请适用于电子电路技术领域, 提供了一种测试仪、负载板及排线检测系统, 测试仪配置有第一处理器、显示装置、多个测试站、以及与每个所述测试站各自连接的驱动电源, 每个测试站与负载板其中一个测试工位通过排线连接, 每个测试工位各自连接有保护电...
  • 本申请属于电力电子技术领域, 提供一种操作板的自动测试系统和测试方法, 本系统包括测试管理机、程控直流源、程控开入开出装置、模拟断路器, 测试管理机分别与程控直流源、程控开入开出装置通信连接, 程控直流源给操作板提供操作电源, 程控开入开出...
  • 本发明涉及主板测试技术领域, 公开了一种车载PCB主板自动化测试方法及系统, 其中, 该方法包括:采集PCB主板的多维环境应力原始数据集;对多维环境应力原始数据集进行特征提取和归一化处理, 得到五维状态向量集;基于五维状态向量集对PCB主板...
  • 本发明公开了一种T型三电平逆变器IGBT开路故障与电流传感器故障的诊断方法, 属于逆变器故障诊断技术领域, 用以解决三电平T型逆变器IGBT开关管与传感器发生故障时的诊断与定位;包括以下步骤:分别对T型三电平逆变器IGBT开路故障和电流传感...
  • 本发明提出一种集成自动化测试及烧录的一体设备, 控制主机被配置为运行测试控制程序, 测试控制程序包括:通过扫码装置获取待测PCB板的唯一标识信息以激活测试序列;执行至少包括固件烧录、电阻参数检测、电压参数检测及应用程序烧录和实时记录设备全生...
  • 一种芯片测试系统, 包括:多路选择单元, 包括多个输入节点和至少一个输出节点, 所述多个输入节点分别与待测芯片的第一型待测引脚耦接, 所述输出节点与测试单元耦接, 适于根据选择控制信号选择性地将多个所述输入节点之一与所述输出节点之一耦接, ...
  • 本申请案的实施例涉及双电接触测试引脚。本发明提供一种用于电子装置测试设备的测试组件(200), 并且所述测试组件包含接触主体(202), 所述接触主体具有界定于其中的至少一个细长开口(206), 其中所述至少一个细长开口(206)在所述接触...
  • 本发明涉及轨道交通领域, 且公开了适配于SiC功率器件循环使用场景的在线监测系统, 通过实时采集SiC功率器件的关键运行参数, 当采集参数超过预设警戒阈值时, 判断是否需要进行后续失效趋势预测, 基于采集到的运行参数构建器件性能变化曲线, ...
  • 本发明公开了一种功率半导体板级测试系统及方法, 属于功率半导体器件测试技术领域。该系统创新性地将无功老化测试与动态特性测试集成于单一测试平台, 通过模块化设计解决了传统分站测试存在的效率低、成本高的问题。系统包括:测试工位配备的多功能测试头...
  • 本发明公开一种二极管恒流老化设备, 包括测试副箱和测试主箱, 所述的测试主箱位于测试副箱一侧, 所述的测试主箱与测试副箱之间设有侧箱板, 所述的测试主箱上设有控制箱, 所述的测试主箱和测试副箱上均设有电源箱和测试柜, 所述的电源箱和测试柜通...
  • 本发明提供一种碳化硅功率MOSFET早期失效筛选方法及系统, 涉及功率管质检技术领域。所述方法包括根据碳化硅功率MOSFET的规格信息和栅氧化层厚度, 通过电流电压扫描方式, 确定栅极检测电压;根据不同温度下的漏极电流和栅极电压的关系曲线,...
  • 本发明涉及电力电子设备监测技术领域, 一种基于数据驱动的功率半导体故障预警方法及系统, 包括:接收功率半导体的故障预警指令, 基于所述故障预警指令确认出故障预警系统, 基于功率半导体获取电气评估节点, 基于预设的电气监测时段、预设的电气监测...
  • 本发明公开了一种老化板平均入炉控制方法与系统, 解决了测试任务不均衡带来的测试进度不同步、等待超时、测试中断甚至设备宕机等严重问题。通过引入动态分配算法与负载均衡控制, 本发明能够自动生成排布方案和实时监测板位分布, 确保各测试区域的任务负...
  • 本发明公开一种基于器件关断延时的碳化硅MOSFET老化状态结温在线监测方法, 包括如下步骤:步骤1, 构建健康状态下目标SiC MOSFET关断延时和结温映射关系曲线, 此时流过目标SiC MOSFET的电流为设定值;步骤2, 采集老化状态...
  • 本发明是一种功率开关器件瞬态过流能力测试电路, 该电路包括:驱动控制电路, 所述驱动控制电路包括:CPU、数字隔离器和驱动器;被测功率开关器件, 所述被测功率开关器件的栅极和所述驱动器的第一输出端连接;第一电感, 第一和第二功率开关器件, ...
  • 本发明公开了一种基于电压跟随器的可寻址测试电路, 其包括:寻址电路, 用于接收地址信号, 并根据地址信号进行译码;开关电路阵列, 包括VD信号开关阵列以及VG信号开关阵列;VD信号开关阵列根据译码结果选通对应的开关单元, 被选通的开关单元将...
  • 本申请提供一种栅源短路的SiC MOS器件失效分析方法及相关设备, 其中, 失效分析方法响应于确定源极和漏极的功能特性无异常情况, 基于碳化硅材料特性与MOS器件失效机理, 针对栅极与源极的短路故障的原因进行分析, 包括以下步骤:通过干燥芯...
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