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最新专利技术
  • 单颗芯片、单颗芯片的制备方法及其封装结构
    单颗芯片、单颗芯片的制备方法及其封装结构_江苏芯德半导体科技股份有限公司_202511339513.X
    本发明公开了单颗芯片、单颗芯片的制备方法及其封装结构， 通过该方法制备形成背面具有凹陷部的单颗芯片， 凹陷部呈圆弧状， 凹陷部表面设有金属层；单颗芯片正面为功能区， 单颗芯片正面设有焊点。本发明还公开了包括背面具有凹陷部的单颗芯片的封装结构...
    2025-11-27
  • 一种高品质SOI用硅衬底抛光片的加工方法
    一种高品质SOI用硅衬底抛光片的加工方法_山东有研半导体材料有限公司_202510974564.3
    本发明公开了一种高品质SOI用硅衬底抛光片的加工方法， 包括以下步骤：(1)将单晶硅衬底片固定于圆形吸盘上， 衬底片圆心与吸盘圆心重合， 吸盘以100‑500rpm的转速携带硅片旋转， 此时向衬底片圆心处注入0.3‑8mL液体蜡， 吸盘及衬...
    2025-11-27
  • 湿法刻蚀方法及半导体器件的制造方法
    湿法刻蚀方法及半导体器件的制造方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202510963466.X
    本发明提供一种湿法刻蚀方法及半导体器件的制造方法， 在所述的湿法刻蚀方法中， 通过刻蚀槽对待刻蚀晶圆依次执行至少两次湿法刻蚀工艺， 且相邻两次湿法刻蚀工艺的待刻蚀晶圆在刻蚀槽内的放置角度不同， 其中， 待刻蚀晶圆在刻蚀槽内的放置角度为识别缺...
    2025-11-27
  • 一种基于转移键合的氧化镓外延生长方法
    一种基于转移键合的氧化镓外延生长方法_深圳市新弘途科技有限公司_202510962417.4
    本发明公开了一种基于转移键合的氧化镓外延生长方法， 涉及半导体材料制备技术领域， 包括在第一衬底上外延生长氧化镓薄膜层， 并形成多层氧化物键合中间层；对多层氧化物键合中间层表面和第二衬底表面进行差异化等离子体活化处理；将经活化处理的多层氧化...
    2025-11-27
  • 新型集成电路重工方法
    新型集成电路重工方法_日月新半导体(昆山)有限公司_202510907004.6
    本发明公开了新型集成电路重工方法， 属于集成电路重工技术领域， 将切割后出现异常的芯片重新固定于膜上， 将承载芯片的膜浸泡在冰醋酸溶液中并进行振荡处理， 使溶液循环， 将浸泡后的膜进行清洗， 并进行惰性气体吹干， 通过将晶圆切割后引起的氧化...
    2025-11-27
  • 制造通过生长温度调整而具有高质量GaN沟道区域的GaN HEMT功率半导体外延晶圆的方法
    制造通过生长温度调整而具有高质量GaN沟道区域的GaN HEMT功率半导体外延晶圆的方法_威弗洛得有限公司_202510462760.2
    本发明涉及制造通过生长温度调整而具有高质量GaN沟道区域的GaN HEMT功率半导体外延晶圆的方法。所述方法包括以下步骤：生长形成在生长基底上的AlN成核区域；在高于AlN成核区域的生长温度的第一生长温度生长形成在AlN成核区域上的第一Ga...
    2025-11-27
  • 半导体装置的有源区域中的外延再生长
    半导体装置的有源区域中的外延再生长_美光科技公司_202510454864.9
    本公开涉及半导体装置的有源区域中的外延再生长。本文中描述的实施方案涉及各种结构、集成组合件及存储器装置。在一些实施方案中， 一种集成组合件包含具有第一宽度的元素区。所述元素区包含半导电材料的第一原生部分。所述集成组合件进一步包含在所述元素区...
    2025-11-27
  • 用于改进的欧姆接触形成的SiC背侧调节
    用于改进的欧姆接触形成的SiC背侧调节_英飞凌科技股份有限公司_202510453140.2
    公开了用于改进的欧姆接触形成的SiC背侧调节。描述了一种制造SiC晶片的方法， SiC晶片包括在半导体衬底的表面处的SiC。所述方法包括：通过酸性处理调节SiC晶片衬底的表面区域；在经调节的表面上形成金属接触层；以及对衬底/金属接触堆叠进行...
    2025-11-27
  • 一种同轴准分子紫外线发光装置
    一种同轴准分子紫外线发光装置_苏州昱全工业技术有限公司_202510920006.9
    本发明公开了一种同轴准分子紫外线发光装置， 涉及准分子灯技术领域， 包括外电极， 所述外电极两端穿设有水路， 所述外电极一端且位于所述水路一侧设有气路， 所述外电极底部嵌设有半圆凹槽， 所述半圆凹槽内壁设有镜面镀层， 所述半圆凹槽内壁且位于...
    2025-11-27
  • 一种远程等离子体系统及薄膜沉积设备
    一种远程等离子体系统及薄膜沉积设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511168403.1
    本发明提供了一种远程等离子体系统及一种薄膜沉积设备。所述远程等离子体系统包括：远程等离子体源；连接柱， 其第一端连接所述远程等离子体源；底座， 其第一端连接所述连接柱的第二端， 而其第二端连接工艺腔室， 其中， 所述工艺腔室与所述底座的第二...
    2025-11-27
  • 一种高腔PVD启辉放电装置及方法
    一种高腔PVD启辉放电装置及方法_深圳市矩阵多元科技有限公司_202510892229.9
    本发明公开了一种高腔PVD启辉放电装置及方法， 涉及技术领域， 包括：外壳、靶材、基片台、压板、侧防着板、启辉板。外壳上端设置有磁控管；靶材安装于外壳内部的顶壁；基片台水平设置于外壳内， 基片台用于承载基板；压板环绕设置于外壳内侧壁， 压板...
    2025-11-27
  • 用于半导体工艺设备的检测模组及半导体工艺设备
    用于半导体工艺设备的检测模组及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410452376.X
    本申请提供了一种用于半导体工艺设备的检测模组及半导体工艺设备， 半导体工艺设备包括电极组件和用于向电极组件馈入射频信号的馈入电极；检测组件包括：第一导电套筒， 环绕馈入电极设置且与馈入电极绝缘设置；第二导电套筒， 环绕第一导电套筒设置且接地...
    2025-11-27
  • 用于半导体工艺设备的工艺控制方法及半导体工艺设备
    用于半导体工艺设备的工艺控制方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410446263.9
    本发明提供一种用于半导体工艺设备的工艺控制方法及半导体工艺设备。所述工艺控制方法包括：至少一个工艺步骤；每个所述工艺步骤分为多个时段， 每个所述时段将所述电流比例维持在一预定值， 且相邻所述时段的所述电流比例的预定值不同， 以提高刻蚀的径向...
    2025-11-27
  • 一种离子研磨专用样品夹具及其制备方法
    一种离子研磨专用样品夹具及其制备方法_苏州卫生职业技术学院_202510937985.9
    本发明公开了一种离子研磨专用样品夹具及其制备方法， 包括主支撑组件， 所述主支撑组件上设置有主安装组件， 所述主安装组件上设置有辅助安装组件， 所述辅助安装组件内设置有第一夹紧组件， 所述主安装组件上开设有辅助孔， 所述辅助孔内设置有导向组...
    2025-11-27
  • 基板处理装置
    基板处理装置_日新离子机器株式会社_202411865851.2
    本发明涉及基板处理装置， 就在内部成为真空的处理室中对基板进行既定处理的基板处理装置而言， 本发明的课题在于减少流入真空预备室的微粒子。作为本发明的解决手段的基板处理装置在内部成为真空的处理室中对基板进行既定处理， 该基板处理装置具备：真空...
    2025-11-27
  • 一种X射线管
    一种X射线管_奕瑞电真空技术(南京)有限公司_202510869174.X
    本发明提供一种X射线管， 阳极组件的靶盘与转子套筒固定连接， 转子套筒与轴承可转动连接；阴极头固定于支撑件靠近阳极组件的一端， 玻璃芯柱固定于支撑件远离阳极组件的一端；阴极头的绝缘瓷安装固定控制栅极和聚焦极， 平面阴极、控制栅极与聚焦极同心...
    2025-11-27
  • 一种X射线管阴极组件及其装配方法和装配工装组件
    一种X射线管阴极组件及其装配方法和装配工装组件_奕瑞电真空技术(南京)有限公司_202510869178.8
    本发明提供一种X射线管阴极组件及其装配方法和装配工装组件， 蚊香形灯丝在灯丝台上， 两个灯丝压杆固定于灯丝片两端；灯丝引脚穿过灯丝台与灯丝压杆固定连接；陶瓷组件的电极引脚与连接台、灯丝引脚固定连接， 蚊香形灯丝与聚焦孔中心同轴。本发明通过灯...
    2025-11-27
  • 碳纳米管冷阴极离子源中子管及基于该中子管的测井方法
    碳纳米管冷阴极离子源中子管及基于该中子管的测井方法_中辐聚能(西安)科技有限公司_202510951858.4
    本发明属于中子管领域， 具体涉及一种碳纳米管冷阴极离子源中子管及基于该中子管的测井方法。该中子管包括管壳组件、芯柱组件、碳纳米管冷阴极离子源、加速系统、氚钛靶组件和储存器。管壳组件为该中子管的真空密封外壳；芯柱组件与碳纳米管冷阴极离子源、阳...
    2025-11-27
  • 一种加强电子发射导向性的装置
    一种加强电子发射导向性的装置_研创自动化设备(惠州)有限公司_202510893894.X
    本发明属于电子流发射装置技术领域， 具体是一种加强电子发射导向性的装置， 包括：基座、导引件柱及至少一条灯丝， 每对导电柱穿设于基座且与一个电源电性连接， 灯丝与导电柱电性连接， 导电柱与基座的连接位置两端分别设有绝缘件包裹在导电柱外部， ...
    2025-11-27
  • 熔断器、电池包和用电设备
    熔断器、电池包和用电设备_比亚迪股份有限公司_202511341561.2
    本申请实施例提供一种熔断器、电池包和用电设备， 涉及熔断器技术领域。熔断器包括器件本体和电连接件。器件本体包括可熔断的熔体。电连接件与熔体的端部电连接， 电连接件被构造为还与外部电路电连接， 电连接件的制成材料包括纯度大于99%的铝单质。本...
    2025-11-27
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