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最新专利技术
  • 衬底处理方法
    衬底处理方法_ASMIP私人控股有限公司_202510473717.6
    一种在衬底上形成膜的方法， 包括将衬底提供给反应室并通过重复循环在衬底上形成膜， 所述循环包括：供应包含乙酰氧基的第一硅源和供应氢源， 同时从功率源向反应室施加功率， 其中氢源与第一硅源的乙酰氧基反应以形成对乙酰氧基具有反应性的吸附位点， ...
    2025-11-25
  • 半导体结构的刻蚀方法和半导体结构
    半导体结构的刻蚀方法和半导体结构_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510954567.0
    本发明涉及半导体器件技术领域， 具体而言， 涉及一种半导体结构的刻蚀方法和半导体结构。一种半导体结构的刻蚀方法， 包括：提供基底， 在所述基底上形成介质层、硬掩膜层和图形化的光刻结构；以图形化的光刻结构为掩膜， 对硬掩膜层进行刻蚀， 形成具...
    2025-11-25
  • 半导体结构及其制作方法、电子设备
    半导体结构及其制作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410470314.1
    本公开涉及一种半导体结构及其制作方法、电子设备， 制作方法包括：形成初始沟槽， 初始沟槽的至少部分区域设置在第一介质层中；沉积第二介质层覆盖初始沟槽的上部的侧壁， 暴露出初始沟槽的中下部的第一介质层；刻蚀去除第二介质层以及初始沟槽的中下部的...
    2025-11-25
  • 一种半导体器件的制造方法及半导体器件、电子设备
    一种半导体器件的制造方法及半导体器件、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410469410.4
    一种半导体器件的制造方法及半导体器件、电子设备， 半导体器件的制造方法包括：提供基底， 在基底上依次形成第一绝缘层、第一硬掩膜层；刻蚀第一硬掩膜层， 形成沿第一方向分布的多个条状结构；对条状结构进行刻蚀， 形成沿第二方向和第三方向阵列分布的...
    2025-11-25
  • 一种深沟槽填充方法
    一种深沟槽填充方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410495378.7
    本申请提供一种深沟槽填充方法， 包括：提供衬底， 所述衬底包括介质层以及位于所述介质层中的深沟槽， 所述介质层的材料包括氧化硅；采用原子层沉积工艺在所述深沟槽的侧壁和底部形成氮化硅层；以及采用沉积工艺在所述深沟槽内完全填充硅层。本申请提供的...
    2025-11-25
  • 套刻对准标记及其形成方法、套刻误差测量方法及装置
    套刻对准标记及其形成方法、套刻误差测量方法及装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410496981.7
    本发明实施例提供一种套刻对准标记及其形成方法、套刻误差测量方法及装置， 其中， 所述套刻对准标记包括：零层标记， 位于衬底的背面；当层标记， 位于所述衬底的正面侧， 所述衬底的正面和背面相对设置；其中， 从所述背面指向所述正面， 所述当层标...
    2025-11-25
  • 光照射装置
    光照射装置_东芝照明技术株式会社_202510064431.2
    本发明提供一种可抑制处理物中的光的累计光量产生面内分布并且可实现装置的小型化的光照射装置。实施方式的光照射装置包括：放电灯， 对处理物照射光；第一遮光部， 在遮挡从所述放电灯朝向所述处理物的光的第一位置与使所述光透过的第二位置之间摆动移动；...
    2025-11-25
  • 离子导向系统
    离子导向系统_塞莫费雪科学(不来梅)有限公司_202510461047.6
    提供了一种离子导向系统。该离子导向系统包括多极杆离子导向器， 该多极杆离子导向器具有被配置为提供第一约束场的多个多极杆电极。离子导向系统还包括RF约束装置， 该RF约束装置被配置为提供第二约束场， 其中RF约束装置包括具有多个RF电极的射频...
    2025-11-25
  • 具有非均匀曲率半径的电喷雾发射器
    具有非均匀曲率半径的电喷雾发射器_赛默菲尼根有限责任公司_202510522066.5
    本公开涉及具有非均匀曲率半径的电喷雾发射器。多个液滴束流由设置在流动构件的远侧端部处的成形孔产生。该液滴束流与剪切气体流相互作用并被剪切气体流去溶剂化。通过选择合适的提取电场， 可以在固定位置产生可变数量的液滴束流。
    2025-11-25
  • 一种过滤装置和半导体的工艺设备
    一种过滤装置和半导体的工艺设备_上海稷以科技有限公司_202511029524.8
    本发明公开了一种过滤装置和半导体的工艺设备。该过滤装置设置于反应腔体中， 包括金属过滤板， 用于过滤所述反应腔体内的等离子体中的带电离子， 该过滤装置还包括：非金属过滤板， 至少位于所述金属过滤板的一侧， 作为所述过滤装置与所述等离子体的直...
    2025-11-25
  • 气体注入系统及包括其的半导体处理系统
    气体注入系统及包括其的半导体处理系统_ASMIP私人控股有限公司_202510475872.1
    公开了气体注入系统和包括这种气体注入系统的半导体处理系统。所公开的气体注入系统包括注入器壳体， 其具有第一系列注入端口和分开的第二系列注入端口， 这些注入端口被构造和布置成减少反应室的内表面上的寄生沉积。还公开了用于在反应室内形成含硅层的方...
    2025-11-25
  • 上电极组件及等离子体处理装置
    上电极组件及等离子体处理装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410495317.0
    本发明公开了一种上电极组件和等离子体处理装置， 其中上电极组件中的加热部件包括发热元件、通电元件以及设置在发热元件和通电元件之间的介质层， 通电元件与发热元件在竖直方向的投影存在重叠区域， 并且介质层至少部分设置于所述重叠区域中；所述通电元...
    2025-11-25
  • 下电极组件、半导体工艺设备及工艺方法
    下电极组件、半导体工艺设备及工艺方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410480005.2
    本发明提供一种下电极组件、半导体工艺设备及工艺方法， 下电极组件包括：承载部， 用于承载晶圆；调节电极， 设置在所述承载部内， 所述调节电极包括：设置在同一平面内的多个子电极；阻抗调节装置， 包括：多个阻抗调节单元， 所有所述阻抗调节单元与...
    2025-11-25
  • 一种电感耦合等离子体刻蚀设备及其使用方法
    一种电感耦合等离子体刻蚀设备及其使用方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410468260.5
    本申请实施例涉及一种电感耦合等离子体刻蚀设备及其使用方法， 该设备包括：刻蚀腔；供气系统：供气系统与刻蚀腔连接， 供气系统用于向刻蚀腔内输送刻蚀气体；真空系统：真空系统与刻蚀腔连接， 真空系统用于从刻蚀腔内排出气体；阻抗调节装置：阻抗调节装...
    2025-11-25
  • 一种冷热两用透射电镜原位样品杆
    一种冷热两用透射电镜原位样品杆_济南大学_202410469149.8
    本发明提供了一种冷热两用透射电镜原位样品杆， 包括手柄、杆身、杆头。所述手柄部分， 设有外部电源接口与冷源导管接口， 可外接加热电源、冷源等实现电流、冷却介质等流入样品杆杆头部分以实现加热或制冷功能。所述杆头部分设置有：载物台、冷却介质导管...
    2025-11-25
  • 准直装置及半导体工艺腔室
    准直装置及半导体工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202410501658.4
    本发明提供一种准直装置及半导体工艺腔室， 准直装置包括准直主体、遮蔽主体和电势过渡件， 准直主体用于对粒子进行准直， 遮蔽主体呈环状， 并环绕准直主体设置， 且遮蔽主体的顶部相对于准直主体向上延伸， 电势过渡件呈环状， 并设置在遮蔽主体的上...
    2025-11-25
  • 一种小型化周期永磁聚焦的超构材料返波振荡器
    一种小型化周期永磁聚焦的超构材料返波振荡器_西南交通大学_202511021615.7
    本发明公开了一种小型化周期永磁聚焦的超构材料返波振荡器， 包括超构材料慢波结构、耦合腔、周期永磁聚焦系统和同轴输出接口；超构材料慢波结构包括波导外壳、周期谐振结构和第一真空间隙；耦合腔包括耦合腔外壳、耦合腔内导体和第二真空间隙， 耦合腔内导...
    2025-11-25
  • 一种适应空心阴极侵蚀过程的六硼化镧发射体
    一种适应空心阴极侵蚀过程的六硼化镧发射体_上海蓝箭鸿擎空间科技有限公司_202511332256.7
    本发明提供了一种适应空心阴极侵蚀过程的六硼化镧发射体， 该发射体以六硼化镧为材料， 整体呈轴向对称的星型柱体结构， 其横截面为含n个均匀分布星角与n个星槽的规则星型， 相邻星角侧边形成星边夹角θ， 且发射体肉厚e。H点(即直线C‑D段消失的...
    2025-11-25
  • 电气装置、电熔断器系统和触发电熔断器系统的过程
    电气装置、电熔断器系统和触发电熔断器系统的过程_东电化电子元器件(珠海保税区)有限公司_202410489589.X
    本发明涉及电气装置(1)、电熔断器系统和触发电熔断器系统的过程， 该电气装置(1)包括电气元件(3、5)、电导体(7)， 该电导体(7)通过保持元件(2)保持在距电气元件(3、5)恒定的距离上， 并且该电导体(7)通过连结元件(6、10)电...
    2025-11-25
  • 灭弧结构和断路器
    灭弧结构和断路器_上海正泰智能科技有限公司_202410498672.3
    灭弧结构， 包括导磁装置、静触头、动触头和灭弧室， 灭弧室、静触头的沿第一方向设置的竖直段、动触头沿第二方向依次排布， 导磁装置包括导磁环和两个导磁脚， 导磁环绕静触头设置， 并在面向动触头的一侧留有缺口， 两个导磁脚沿第三方向间隔设置在导...
    2025-11-25
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