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最新专利技术
  • 提高铜合金表面结合力和锁锡能力的制备方法
    提高铜合金表面结合力和锁锡能力的制备方法_宁波康强电子股份有限公司_202510769283.4
    本发明提供了提高铜合金表面结合力和锁锡能力的制备方法， 属于引线框架技术领域。本发明通过将经过表面初级处理的铜合金放入至活化混合溶液中进行表面活化， 在铜合金的表面形成轻微的凹凸结构并于凸起区域上形成一层金属转化膜， 再放入至粗化混合溶液中...
    2025-12-07
  • 半导体集成电路堆叠结构及其形成方法
    半导体集成电路堆叠结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410531410.2
    一种半导体集成电路堆叠结构及其形成方法， 包括：位于基底的芯片区和位于芯片区之间的切割道区；基底包括第一面以及与第一面相背的第二面；形成位于基底第一面邻近切割道区的第一沟槽；在第一沟槽内形成第一导电层；在基底第一面上形成与第一导电层相连的第...
    2025-12-07
  • 针对关键尺寸控制在单一等离子体室中的原子层沉积和蚀刻
    针对关键尺寸控制在单一等离子体室中的原子层沉积和蚀刻_朗姆研究公司_202510639566.7
    本发明描述了使用集成式原子层沉积(ALD)和蚀刻处理来对衬底特征进行关键尺寸(CD)控制的方法和装置。方法包括：蚀刻以在衬底上形成特征掩模图案， 该宽度小于待随后通过该特征掩模图案形成的结构的期望宽度；通过ALD保形地沉积钝化层， 从而增加...
    2025-12-07
  • 用于改性表面的方法和组件
    用于改性表面的方法和组件_ASMIP私人控股有限公司_202510513634.5
    本发明涉及用于处理半导体衬底的方法及组件， 例如用于从半导体衬底去除(例如蚀刻)含钼材料的方法及组件。该方法可用于制造半导体器件， 例如存储器器件、晶体管和二极管。本文公开的从衬底表面去除含钼材料的方法包括在反应室中提供包括含钼材料的衬底，...
    2025-12-07
  • 一种小尺寸硬掩模的制备方法
    一种小尺寸硬掩模的制备方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202510986001.6
    本发明公开了一种小尺寸硬掩模的制备方法， 涉及半导体技术领域， 该制备方法包括：提供衬底；在所述衬底正面制备牺牲层， 并在牺牲层上制备得到预备凹槽， 所述预备凹槽贯穿所述牺牲层， 且所述预备凹槽的位置对应于所需制备的硬掩模的位置；利用所述预...
    2025-12-07
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_江苏微导纳米科技股份有限公司_202510962283.6
    本申请提供一种半导体结构及其制造方法， 半导体结构包括依次层叠设置的衬底、硅层、第一掩模层和第二掩模层。方法包括：在第二掩模层上形成图案化的光刻胶层， 以图案化的光刻胶层为掩蔽， 刻蚀第二掩模层和第一掩模层至硅层， 形成多个凸起和相邻凸起之...
    2025-12-07
  • 减轻未被显影的光阻层损伤的工艺方法
    减轻未被显影的光阻层损伤的工艺方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410514360.7
    本发明提供一种减轻未被显影的光阻层损伤的工艺方法， 在需要对具有图形密集区稀疏区的第一区域的底部抗反射层进行刻蚀时， 在对光阻层进行图形化以将第一区域的底部抗反射层暴露并将第二区域保护起来后， 先在第一区域及第二区域的整个表面形成一层含碳聚...
    2025-12-07
  • 版图修正方法及系统、设备及存储介质、计算机程序产品
    版图修正方法及系统、设备及存储介质、计算机程序产品_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410513477.3
    一种版图修正方法及系统、设备及存储介质、计算机程序产品， 版图修正方法包括：获取已拆分的第一子掩膜版图， 所述第一子掩膜版图中有多个图形；对任意两个相邻的所述图形进行版图拆分限值规则检查， 获取不满足所述版图拆分限值规则的相邻图形， 并将不...
    2025-12-07
  • 二维金属氧化物薄膜的制备方法
    二维金属氧化物薄膜的制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511026513.4
    本发明公开了一种二维金属氧化物薄膜的制备方法， 所述制备方法包括以下步骤：提供生长衬底；利用分子束外延工艺在生长衬底上生长初始薄膜， 所述初始薄膜中存在未完全氧化的金属离子；对初始薄膜进行加热氧化得到二维金属氧化物薄膜， 所述二维金属氧化物...
    2025-12-07
  • 本征非晶硅层的制备方法、掺杂多晶硅层及TBC电池
    本征非晶硅层的制备方法、掺杂多晶硅层及TBC电池_TCL中环新能源科技股份有限公司_202510985321.X
    本发明提供了一种本征非晶硅层的制备方法、掺杂多晶硅层及TBC电池， 涉及太阳能电池技术领域。所述本征非晶硅层的制备方法包括：向具有隧穿氧化层的硅基体通入硅烷， 进行第一次沉积， 形成第一本征非晶硅层；通入氯化氢、氢气和氩气的混合气体， 进行...
    2025-12-07
  • 一种小尺寸及异形片的多片减薄方法
    一种小尺寸及异形片的多片减薄方法_中锗科技有限公司_202510972651.5
    本发明公开了一种小尺寸及异形片的多片减薄方法， 包括利用FR‑4材料制备一个圆形模具， 模具的直径比减薄机吸盘实际吸附面的直径大8～10mm， 模具的厚度比减薄后目标厚度低50～100μm；在模具上均匀布置直径比待减薄晶片直径大0.1～0....
    2025-12-07
  • 用于图案化应用的高密度碳膜
    用于图案化应用的高密度碳膜_应用材料公司_202510957492.1
    本公开的实施例总体上涉及用于图案化应用的高透明、高密度的碳膜的沉积。在一个实施例中， 提供一种在基板上形成碳膜的方法。所述方法包括：使含碳氢化合物的气体混合物流入工艺腔室中， 所述工艺腔室具有定位在静电吸盘上的基板， 其中将基板保持在约‑1...
    2025-12-07
  • 一种晶圆处理方法及晶圆处理系统
    一种晶圆处理方法及晶圆处理系统_浙江旺荣半导体有限公司_202510738659.5
    本发明公开了一种晶圆处理方法及晶圆处理系统。本发明的晶圆处理方法， 包括以下步骤：获取晶圆， 晶圆的正面具有划片道。制备腐蚀液， 使腐蚀液与晶圆的正面进行反应， 以使划片道内的杂质露出。制备清洗液， 将晶圆放入清洗液内冲洗， 以去除腐蚀液。...
    2025-12-07
  • 采用金属顺序渗透合成过程填充衬底上的凹陷特征的方法
    采用金属顺序渗透合成过程填充衬底上的凹陷特征的方法_ASMIP私人控股有限公司_202510503437.5
    公开了采用金属顺序渗透合成过程来填充衬底上的凹陷特征的方法。所公开的方法包括在凹陷特征内形成有机层并将金属物质引入到有机层中以允许形成金属晶种层。随后可以由金属晶种层形成块体金属层以填充凹陷特征。
    2025-12-07
  • 基于缓冲气体掺杂的准分子灯气体混合制备方法
    基于缓冲气体掺杂的准分子灯气体混合制备方法_江苏智紫纳米科技有限公司_202510754914.5
    本发明公开了基于缓冲气体掺杂的准分子灯气体混合制备方法， 涉及准分子灯技术领域， 包括混合气体， 所述混合气体包括氪气、氯气、氩气、氖气、氮气， 所述混合气体由氪气、氯气、氩气、氖气、氮气按照一定的气体体积百分比充分混合而成。本发明中， 氩...
    2025-12-07
  • 飞行时间二次离子质谱聚焦偏移量测量和校准方法及应用
    飞行时间二次离子质谱聚焦偏移量测量和校准方法及应用_中国科学院物理研究所_202510960222.6
    本发明涉及一种飞行时间二次离子质谱聚焦偏移量测量和校准方法及应用。基于微纳加工技术制备验证工件；将验证工件置于飞行时间二次离子质谱ToF‑SIMS系统中， 采集各个点阵阵列的电荷耦合器件CCD光学图像与二次离子图像SI；以各个点阵阵列的CC...
    2025-12-07
  • 离子导引装置以及质谱仪
    离子导引装置以及质谱仪_株式会社岛津制作所_202410510795.4
    本发明技术方案提供了一种离子导引装置， 包括第一电极组和第二电极组。在垂直于所述离子光轴的横截面上， 第一电极组的n个第一片状电极和第二电极组n个第二片状电极彼此交替地环绕设置。第一片状电极和第二片状电极被施加以不同的直流电位， 并且， 在...
    2025-12-07
  • 一种四极溅射离子泵
    一种四极溅射离子泵_聚微银池(苏州)设备科技有限公司_202510937527.5
    本发明公开了一种四极溅射离子泵， 包括磁场单元、抽气单元；其中， 磁场单元包括磁屏蔽腔体， 磁屏蔽腔体内设置磁铁， 在磁屏蔽腔体内形成均匀的磁场；抽气单元包括真空腔体， 真空腔体设于磁屏蔽腔体内；在真空腔体内设置多组并列布置至少3层阳极筒；...
    2025-12-07
  • 工件的加工
    工件的加工_北京屹唐半导体科技股份有限公司_202511027778.6
    提供了加工工件的方法。该工件可以包括钌层和铜层。在一个示例性实施方案中， 用于加工工件的方法可以包括在工件支撑件上支撑工件。该方法可以包括在工件上向钌层的至少一部分实施臭氧蚀刻工艺。该方法还可以包括对工件实施氢自由基处理工艺以去除铜层上的至...
    2025-12-07
  • 半导体加工设备、方法及存储介质
    半导体加工设备、方法及存储介质_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511016435.X
    本发明提供了半导体加工设备、方法及存储介质。所述半导体加工设备包括第一反应腔、气体捕集器、远程等离子体源及控制器。第一反应腔经由第一反应阀连接第一反应源， 并经由第二反应阀连接第二反应源。气体捕集器经由第三反应阀连接第一反应腔。远程等离子体...
    2025-12-07
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