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  • 本申请公开了一种固态硬盘的检测方法、装置、电子设备、介质及产品,涉及固态硬盘技术领域,根据第一存储单元和第二存储单元的实时使用情况、以及待检测硬盘的实时工作信息,动态确定适配的当前磨损比例,根据当前磨损比例作为参照可以提升检测准确性。
  • 本发明公开了一种基于分布式架构的高端存储器芯片异步测试系统,涉及芯片测试技术领域,包括,状态建模模块,初始化主控端并接入测试端,构建存储器芯片测试任务池,结合历史测试负载及历史故障信息,分析测试端状态,生成优化调度策略;调度模块,基于优化调...
  • 本发明属于计算机零部件制造测试装置技术领域,尤其是一种计算机硬盘批量测试装置,针对现有技术存在的问题,现提出以下方案,包括箱体,所述箱体的内部设置有放置机构,放置机构包括有均匀开设在箱体顶部内壁和外壁之间至少三个的滑槽,滑槽的两面内壁之间滑...
  • 本发明公开一种NAND FLASH的参数测试方法、系统和装置,方法包括:基于预设通信协议向目标存储芯片发送参数读取命令,其中,目标存储芯片为待测试的NAND FLASH芯片;判断是否接收到目标存储芯片根据参数读取命令反馈的参数数据;若接收到...
  • 本申请案涉及存储器子系统中的自适应块族错误避免。一种系统包含:存储器装置;及处理装置,其与所述存储器装置可操作地耦合以执行包含以下的操作:接收指定逻辑地址的读取命令;将所述逻辑地址转译成引用存储于所述存储器装置上的物理块的物理地址;识别与所...
  • 一种存储器系统可以包括存储器介质和控制器。该存储器介质可以包括多个存储器芯片,多个存储器芯片中的每一个可以包括多个存储器单位,并且多个存储器单位中的每一个可以包括多个存储器单元。该控制器可以从存储器介质中包括的多个存储器单位之中检测故障存储...
  • 本公开涉及包括ECC解码器电路的存储器和存储器系统及其操作方法。存储器可以包括:多个数据端子;多个数据接收电路,其被配置为通过多个数据端子接收数据和奇偶校验位;纠错码(ECC)解码器电路,其被配置为使用数据和奇偶校验位来检测数据和奇偶校验位...
  • 本申请提供一种内存测试电路、内存控制器及微处理器架构,应用于计算机技术领域,该电路用于微处理器架构硅后调试过程中的内存测试,包括配置模块、过程控制模块以及多个测试模块,每一个测试模块搭载至少一种内存测试算法,配置模块存储模块配置信息,过程控...
  • 本申请提供一种内存测试电路、内存控制器及微处理器架构,应用于计算机技术领域,该电路包括配置模块和访存模块,配置模块用于存储模式配置信息,通过模式配置信息在多个预设测试模式中指定任意一个作为目标测试模式,访存模块响应于测试请求,按照目标测试模...
  • 本发明涉及基于通用互连总线的FPGA内嵌射频单元测试方法,属于集成电路领域;通过FPGA内嵌处理器,对FPGA内嵌射频单元按照配置参数和发收双工模式进行配置;基于FPGA内部可编程逻辑资源,在FPGA内嵌射频单元产生配置参数对应的第一射频信...
  • 本申请公开了一种存储器的校准方法及存储设备,涉及存储技术领域,通过分阶段步骤对参考电压、第一信号的接收延迟及发送延迟、各数据线的接收延迟及发送延迟进行系统性校准,能够有效消除存储器硬件个体差异等因素带来的影响,确保数据在传输过程中被准确采样...
  • 本申请涉及使用多个间隙位置的损耗均衡起始间隙算法。提供用于存储器装置中的存储器管理操作的系统、方法及设备。在一种方法中,使用起始间隙算法执行针对所述存储器装置的损耗均衡。使用单个集区中的多个间隙位置实施所述损耗均衡。响应于存储器管理命令,移...
  • 公开了用于非易失性存储器件编程的异常检测的方法、装置和系统。可以执行具有至少第1编程阶段至第n编程阶段的迭代编程操作,以对具有通过字线连接的存储单元的非易失性存储器件进行编程。第n编程阶段可以将第n编程电压施加到字线,并且生成第n验证结果,...
  • 一种存储器包括多级数据路径分区电路,且至少包括:第一数据路径层级分区,其包括配置成经由至少一个全局输入‑输出电路向所述存储器输入数据或从其输出数据的至少一个输入;第二数据路径层级分区,其配置成在多个写入辅助电路中的一个和所述至少一个全局输入...
  • 本公开提供一种存储器装置及其操作方法,存储器装置的操作方法,包括:在存储器装置接收到第一操作命令后,开始第一操作循环,包括电压设定期间、第一操作设定期间、第一操作执行期间及第一操作恢复期间;当在第一操作恢复期间结束前,存储器装置接收到第二操...
  • 本公开涉及包括电化学存储元件的存储单元以及包括其的半导体器件。一种半导体器件包括彼此电连接的电化学存储元件和控制元件。电化学存储元件包括设置在平面上的源极线、设置为与源极线间隔开且沿垂直于该平面的方向延伸的位线、设置为在该平面上与源极线和位...
  • 本申请公开了一种2T2FC铁电存储单元及其制备方法,其中,所述2T2FC铁电存储单元包括:存储晶体管;控制晶体管,其源极连接至所述存储晶体管漏极;第一铁电电容器,其一端连接第一板线,另一端耦合至所述存储晶体管栅极;第二铁电电容器,其一端连接...
  • 本申请涉及一种FeMFET存储单元的多脉冲编程方法及编程电路。其中,所述FeMFET存储单元的多脉冲编程方法,包括:配置FeMFET存储单元进入写入操作状态;响应于所述FeMFET存储单元进入写入操作状态,向所述FeMFET存储单元连续施加...
  • 本发明提供磁芯随机存储器读参考电路设计方法及系统,涉及电路设计技术领域,包括通过获取磁芯存储器参数规格并模拟生成比特线电流分布曲线,提取最大、最小电流值并划分电流调节区间,选择最高读取成功率区间的中值作为最优参考电流;进一步检测不同温度点的...
  • 本申请提供了一种基于信号时延的磁性存储单元及装置,所述单元包括第一自旋轨道矩层及设置在所述第一自旋轨道矩层上的第一磁隧道结;所述第一磁隧道结与所述第一自旋轨道矩层两端的距离分别为第一距离和第二距离,所述第一距离和所述第二距离不相等;从所述第...
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