Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种含有共栅极结构的GaN双向器件
    一种含有共栅极结构的GaN双向器件_润新微电子(大连)有限公司_202511393832.9
    本发明属于半导体技术领域，具体公开一种含有共栅极结构的GaN双向器件，包括主体结构、共栅极结构和外环结构，外环结构沿切割道内圈环绕设置，主体结构包括交替排布的第一主体单元和第二主体单元，第一主体单元包括第一源电极和第一栅结构，第二主体单元包...
    2025-11-22
  • HEMT器件及其制备方法
    HEMT器件及其制备方法_上海新微半导体有限公司_202511042223.9
    本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，在势垒层位于非栅极区域的部分中掺杂硼离子，可使得异质结界面的应力进一步增大，从而可大大提高沟道层内的二维电子气的浓度，继而降低导通电阻；并且势垒层位于栅极区域的部分中则未掺杂有硼离子或者仅有扩散的少量...
    2025-11-22
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_北京中科新微特科技开发股份有限公司_202511047279.3
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括在衬底上形成外延层，在外延层背向衬底的一侧通过离子注入形成第二导电类型的阱区与第一导电类型的源区，阱区包括沿第一方向夹设于源区与外延层之间的沟道区；在外延层背向衬底的一侧形成第一绝缘层；在...
    2025-11-22
  • 基于MOCVD欧姆再生长的GaN毫米波功率器件及制备方法
    基于MOCVD欧姆再生长的GaN毫米波功率器件及制备方法_西安电子科技大学_202511027455.7
    本发明公开了一种基于MOCVD欧姆再生长的GaN毫米波功率器件及制备方法，涉及半导体器件领域，本发明基于改进型光刻掩膜版与器件工艺的巧妙设计，将晶圆表面的硬掩膜面积及其负面影响降至最低，改善了常规MOCVD欧姆再生长n+氮化物表面不平整、实...
    2025-11-22
  • MISFET器件及其制备方法
    MISFET器件及其制备方法_武汉大学_202510901830.X
    本申请提供了一种MISFET器件及其制备方法，属于半导体领域。包括：制备P型衬底；对P型衬底进行刻蚀，形成源极凹槽和漏极凹槽；采用MPCVD工艺在源极凹槽和漏极凹槽中制作硼氮共掺杂N型金刚石层；在P型衬底表面形成栅介质层；分别在源极凹槽和漏...
    2025-11-22
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410547247.9
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括相互垂直的x方向和y方向以及分别沿所述x方向和y方向延伸的若干第一沟槽和第二沟槽以及若干沿y方向延伸的鳍片结构；第一气隙结构，位于所述第一沟槽和第二沟槽中；...
    2025-11-22
  • 半导体器件形成方法
    半导体器件形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410482536.5
    一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底；形成位于所述基底上的半导体鳍；在所述半导体鳍表面覆盖栅极结构层；形成覆盖所述栅极结构层的掩膜层；在所述掩膜层中形成沟槽；在所述沟槽底部和侧壁上覆盖补偿层；去除所述沟槽底部的补偿层和栅极结构层，形成贯...
    2025-11-22
  • 源区均流调控IGBT结构及其制备方法
    源区均流调控IGBT结构及其制备方法_江苏长晶科技股份有限公司_202511103256.X
    本发明涉及源区均流调控IGBT结构及其制备方法。源区均流调控IGBT结构包括依次层叠的集电极金属电极、集电极层、场截止层、漂移区、电荷存储层、体区、层间介质层、均流电极和钝化层；体区上具有多个间隔的发射极和均流掺杂柱；均流电极包括多个延伸部...
    2025-11-22
  • 半导体结构的制备方法及砷化镓双极晶体管
    半导体结构的制备方法及砷化镓双极晶体管_江苏卓胜微电子股份有限公司_202510909433.7
    本申请公开了一种半导体结构的制备方法及砷化镓双极晶体管，属于半导体技术领域。半导体结构的制备方法，包括：在衬底的第一侧依次形成集电极层、基极层、发射极层和发射极台面；采用干法刻蚀从发射极层表面的第一区域对发射极层、基极层和集电极层的第一深度...
    2025-11-22
  • 一种氮化镓高压横向二极管及制备方法
    一种氮化镓高压横向二极管及制备方法_乐山希尔电子股份有限公司_202510867816.2
    本发明公开了一种氮化镓高压横向二极管及制备方法，涉及半导体技术领域，该二极管，包括依次设置的衬底层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，分别设置于AlGaN势垒层上方的阳极电极和阴极电极，设置于AlGaN势垒层上方并与阳极电极电连接的阳极电极头...
    2025-11-22
  • 一种双向触发二极管及其制备方法
    一种双向触发二极管及其制备方法_山东浪潮慧芯微电子科技有限公司_202510909541.4
    本发明涉及一种双向触发二极管及其制备方法，属于电子配件技术领域。本发明所提供的双向触发二极管制备方法是采用夹磷纸双面同时扩散磷源的方式形成N结，且使磷元素从高浓度向低浓度扩散，从而达到表面电压一致性，使得工作时电流到击穿点所需穿过的浓度梯度...
    2025-11-22
  • 高可靠性芯片及其制造工艺
    高可靠性芯片及其制造工艺_安徽芯旭半导体有限公司_202511048011.1
    本发明提供一种高可靠性芯片及其制造工艺，涉及半导体芯片技术领域。本发明提出了一种高可靠性芯片及其制造工艺，通过在光刻时采用特制光罩，使得在后续的蚀刻、切割后，形成下台面为多边形，上台面表面为形成圆形的芯片，能够兼顾电气性能优化和生产成本。
    2025-11-22
  • 高可靠性玻璃封装二极管及制造工艺
    高可靠性玻璃封装二极管及制造工艺_安徽安美半导体有限公司_202511048010.7
    本发明提供一种高可靠性玻璃封装二极管及制造工艺，涉及半导体技术领域。本发明提供一种高可靠性玻璃封装二极管及制造工艺，该二极管其封装的GPG芯片为电性功能齐全具备反向耐压芯片，另外，该芯片较圆形芯片来说，其欧姆衬底层为多边形，在芯片制造过程中...
    2025-11-22
  • 电容器及其制作方法
    电容器及其制作方法_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202511035561.X
    本申请公开了一种电容器及其制作方法，该制作方法包括：以绝缘介质层为掩膜刻蚀扩散阻挡材料层，以使金属材料层的部分表面裸露，剩余的扩散阻挡材料层形成第一扩散阻挡层，金属材料层沿与第一方向相反的第二方向分布有第一部分和第二部分，第二部分的厚度小于...
    2025-11-22
  • 图像传感器、金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法
    图像传感器、金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法_半导体元件工业有限责任公司_202410946117.2
    用于图像传感器的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器及其形成方法，以及包括有MIM电容器的图像传感器。MIM电容器包括：限定多个沟槽的介电层；和覆盖在该介电层上并且内衬于该多个沟槽的侧面的导电材料底板。该MIM电容器还包括：直接覆盖在该底板上...
    2025-11-22
  • 一种GaAs变容二极管芯片结构及其制备方法
    一种GaAs变容二极管芯片结构及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511001274.7
    本发明提供一种GaAs变容二极管芯片结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该芯片结构包括：GaAs半绝缘衬底、N型欧姆接触台、N型欧姆接触电极、N型肖特基接触台和N型肖特基接触电极；GaAs半绝缘衬底上设置N型欧姆接触台，N型欧姆接触台...
    2025-11-22
  • 一种三维芯片堆叠器件及其制备方法
    一种三维芯片堆叠器件及其制备方法_深圳修远电子科技有限公司_202511085011.9
    本申请提供一种三维芯片堆叠器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括依次堆叠设置的多层三维叠层扇出封装器件；三维叠层扇出封装器件包括预支撑电连接架以及在由预支撑电连接架界定出的芯片容置区域内堆叠的至少一层第一芯片和至少一层第二芯片，第一芯片...
    2025-11-22
  • 存储阵列及其形成方法
    存储阵列及其形成方法_芯盟科技有限公司_202511093070.0
    一种存储阵列及其形成方法，包括：至少一个第一导电层位于至少一个开关器件沿第一方向的一侧；与至少一个第一导电层电连接的存储层位于至少一个第一导电层沿与第一方向相交的第二方向的一侧；至少一个第二导电层位于沿第二方向、存储层远离至少一个第一导电层...
    2025-11-22
  • 存储装置及其制作方法
    存储装置及其制作方法_清华大学_202511092910.1
    一种存储装置及其制作方法。存储装置包括衬底结构、第一金属结构、第二金属结构和介电层。阻变存储器，包括沿第一方向层叠设置的第一电极、阻变反应层和第二电极。介电层包括电极孔，电极孔的侧壁围绕形成在第一方向上相对的第一开口和第二开口，第一开口暴露...
    2025-11-22
  • 电阻式随机存取存储元件及其制作方法
    电阻式随机存取存储元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410608091.0
    本发明公开一种电阻式随机存取存储元件及其制作方法，其中电阻式随机存取存储元件包含：基底；第一层间介电层，设置于该基底上；第一互连结构，设置于该第一层间介电层中；盖层，设置于该第一互连结构和该第一层间介电层上；中间介电层，设置于该盖层上；导电...
    2025-11-22
首页 上一页 10 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证