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最新专利技术
  • 二维光感测器及二维光感测器的制造方法
    二维光感测器及二维光感测器的制造方法_克普勒股份有限公司_202480019189.0
    本发明提供一种可在薄膜电晶体工厂中低成本制造，且跨比较宽广的二维平面的二维光感测器。本发明的一种二维光感测器100，具备：排列了多个的光二极体；光二极体具有以下的积层体：第一金属电极11、第一半导体层12、第一欧姆接触层13、第一透明电极1...
    2025-11-20
  • 摄像装置
    摄像装置_松下知识产权经营株式会社_202480020383.0
    摄像装置具备多个像素(24)，多个像素(24)分别具有光电转换部(10A和电荷蓄积区域。光电转换部(10A)包括下部电极(2)、上部电极(5)以及光电转换层(4)，该光电转换层(4)位于下部电极(2)与上部电极(5)之间，并且通过吸收光来生...
    2025-11-20
  • 光电转换装置
    光电转换装置_佳能株式会社_202480014888.6
    光电转换装置包括具有第一表面和面向第一表面的第二表面的半导体层。半导体层包括多个雪崩光电二极管(APD)。多个APD包括第一APD和第二APD。第一APD和第二APD各自包括第一导电类型的第一半导体区域和第二导电类型的第二半导体区域。第一半...
    2025-11-20
  • 用于混合高度标准单元电路的背侧供电
    用于混合高度标准单元电路的背侧供电_国际商业机器公司_202480015626.1
    一种半导体结构包括位于基板的第一单元高度区域内的第一多个背侧电源轨互连。第二多个背侧电源轨互连位于基板的第二单元高度区域内。第一隔离区域位于基板的第一单元高度区域与基板的第二单元高度区域之间。第一隔离区域电分离第一单元高度区域和第二单元高度...
    2025-11-20
  • 用于背侧电源应用的背侧电源岛
    用于背侧电源应用的背侧电源岛_国际商业机器公司_202480019836.8
    提供了一种半导体结构，其包括多个背侧电源岛，而不是背侧电源轨。背侧电源岛存在于第一器件轨道和第二器件轨道中。位于第一器件轨道和第二器件轨道中的每个背侧电源岛由第一切割区域隔离，并且位于第一器件轨道中的背侧电源岛与位于第二器件轨道中的背侧电源...
    2025-11-20
  • 扩散区宽度突变的行单元电路
    扩散区宽度突变的行单元电路_高通股份有限公司_202480019507.3
    逻辑电路在包括扩散区域的行单元电路中实现。每个扩散区域部分由单元电路中的晶体管使用。每个晶体管的电流容量取决于扩散区域部分的宽度。具有不同宽度的第一扩散区域部分和第二扩散区域部分沿轴(Y2)相交，其中行单元电路的扩散区域在宽度上突变(例如，...
    2025-11-20
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社索思未来_202380096942.1
    半导体装置包括形成在形成有通孔的基板的下方并沿第一方向延伸的第一电源线、第二电源线和第三电源线、以及具有形成在基板的上方的第一晶体管和第二晶体管的电源开关电路。第一晶体管设置在第一电源线与第二电源线之间，且第一晶体管的源极连接到与第一电源线...
    2025-11-20
  • 用于背面供电应用的隔离模块形成
    用于背面供电应用的隔离模块形成_应用材料公司_202480024556.6
    描述了半导体元件及其制造方法。此方法包括组合牺牲层的选择性凹陷及硅层的各向同性蚀刻，以形成保护帽，此保护帽将允许在不影响此牺牲层的情况下蚀刻此基板的此硅层。
    2025-11-20
  • 半导体装置
    半导体装置_索尼半导体解决方案公司_202480018916.1
    本发明使得对覆盖接合于成像元件的背面侧的半导体芯片的绝缘膜的平坦化变得容易。该半导体装置具有第一半导体基板、第二半导体基板和覆盖构件。半导体装置的第二半导体基板与半导体装置的第一半导体基板接合，并且在与接合表面不同的表面上设置有突起部。半导...
    2025-11-20
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480017078.6
    在二极管的恢复时，抑制载流子从二极管区域向IGBT区域流入而载流子集中于边界部从而元件被破坏的情况。在同一芯片内具有IGBT区域(21)和二极管区域(22)的半导体装置(1)中，IGBT具有第一导电型的漂移层(2)、第二导电型的主体层(3)...
    2025-11-20
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480018528.3
    提供一种寄生电容小的晶体管。此外，提供一种电特性良好的半导体装置。该半导体装置包括源电极和漏电极位于不同的高度的晶体管及设置在源电极与漏电极之间的绝缘层，绝缘层具有到达源电极和漏电极中的一个的第一开口，源电极和漏电极中的另一个设置在绝缘层上...
    2025-11-20
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480019855.0
    制造容易，抑制MOSFET的导通电阻的增加并且降低恢复电流。半导体装置(1)具有：第一导电型的漏极区域(11)；第一导电型的漂移区域(10)，其配置在比漏极区域(11)靠上方的位置，杂质浓度比漏极区域(11)低；第二导电型的主体区域(9)，...
    2025-11-20
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480018623.3
    一种半导体装置，具备：第一导电型漂移层；第二导电型的主体层，其形成于所述漂移层的一主面侧的表面层；第一导电型的第一扩散层，其部分地形成于所述主体层的一主面侧的表面层；以及第一导电型的第二扩散层，其杂质浓度比分配形成于所述漂移层的另一主面侧的...
    2025-11-20
  • 自旋轨道扭矩存储器设备
    自旋轨道扭矩存储器设备_国际商业机器公司_202480020416.1
    提供了自旋轨道扭矩磁阻随机存取存储器(SOT MRAM)设备。每个SOT MRAM设备使用拓扑导体(即，拓扑金属或拓扑半金属)作为互连层和SOT层两者，在相同的金属层处集成SOT层和互连层。SOT MRAM设备还包括接触SOT层的磁隧道结(...
    2025-11-20
  • 磁存储器元件、以及磁存储器元件的信息的写入及读取方法
    磁存储器元件、以及磁存储器元件的信息的写入及读取方法_国立大学法人东京科学大学_202480017063.X
    磁存储器元件，包括：由以下述式(1)表示的化合物构成的薄膜；被配置于薄膜的第一电极；以及被配置于薄膜的第二电极。BiFe1－xAxO3···(1)。式(1)中，A是Co或Mn，x满足0.05≦x＜0.25。第一电极及第二电极被配置成通过向第...
    2025-11-20
  • 包括虚设过孔腔的三维存储器器件及其制造方法
    包括虚设过孔腔的三维存储器器件及其制造方法_桑迪士克科技股份有限公司_202480020667.X
    一种半导体结构包括：第一层绝缘层和第一层导电层的第一层交替堆叠；第二层绝缘层和第二层导电层的第二层交替堆叠，该第二层交替堆叠上覆于该第一层交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该第一层交替堆叠和该第二层交替堆叠；存储器开口填充结构，...
    2025-11-20
  • 具有三维堆叠字线开关的非易失性存储器
    具有三维堆叠字线开关的非易失性存储器_桑迪士克科技股份有限公司_202480020637.9
    一种非易失性存储器包括：多个字线，该多个字线连接到非易失性存储器单元；多个驱动器线，该多个驱动器线被配置为承载一个或多个字线电压；和多个字线开关，该多个字线开关将这些驱动器线选择性地连接到这些字线。为了更高效地利用裸片上的空间，这些字线开关...
    2025-11-20
  • 用于NAND设备的字线触点形成
    用于NAND设备的字线触点形成_应用材料公司_202480021551.8
    所公开的是用于形成3D NAND设备的字线触点的方法。方法可以包括：提供交替的第一层和第二层的薄膜叠层；在所述薄膜叠层上形成第一平板印刷掩模；以及执行交替的平板印刷和蚀刻过程的第一系列，以在所述薄膜叠层中形成触点开口对阵列，其中在每个蚀刻过...
    2025-11-20
  • 安全反熔丝一次性可编程比特单元设计
    安全反熔丝一次性可编程比特单元设计_高通股份有限公司_202480018983.3
    公开了安全反熔丝一次性可编程(OTP)比特单元。在一方面，OTP比特单元包括：P阱，P阱包括N+区和P+区；电耦合至P阱的N+区的第一接触；电耦合至P阱的P+区的第二接触；设置在N+区的一部分、P阱的一部分、以及P+区的一部分上方的绝缘层；...
    2025-11-20
  • 存储器器件及其制造方法
    存储器器件及其制造方法_首尔大学校产学协力团_202380096187.7
    公开一种存储器器件及其制造方法。所公开的存储器器件的制造方法可包括如下步骤：形成结构体，所述结构体包括在基板上沿垂直方向延伸的外延材料栓塞、从所述外延材料栓塞的侧面沿水平方向延伸的外延材料层以及至少形成在所述外延材料层的表面部的栅极绝缘材料...
    2025-11-20
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