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最新专利技术
  • 一种晶圆边缘检测方法及检测装置
    一种晶圆边缘检测方法及检测装置_格科半导体(上海)有限公司_202410593373.8
    一种晶圆边缘检测方法及检测装置，激光探测组件获取经过边缘切割后的晶圆边缘的平整区域的沿径向方向的实际宽度值，图像获取组件获取经过边缘切割后的晶圆的边缘图像，数据处理器将边缘图像转换为灰度图像，并计算灰度图像的灰度值，根据灰度值的差异来确定边...
    2025-12-07
  • 漏电流测试装置及制备方法、栅极端盖长度的确定方法
    漏电流测试装置及制备方法、栅极端盖长度的确定方法_江苏卓胜微电子股份有限公司_202410583280.7
    本发明涉及金属氧化物半导体场效应晶体管设计技术领域，公开了一种漏电流测试装置及制备方法、栅极端盖长度的确定方法，该漏电流测试装置包括：半导体衬底层，其中，半导体衬底层具有有源区；位于有源区上的栅极结构，其中，栅极端盖的长度为第一预设长度，栅...
    2025-12-07
  • 键合方法、封装方法、键合结构以及封装结构
    键合方法、封装方法、键合结构以及封装结构_长电微电子(江阴)有限公司_202511270961.9
    一种键合方法、封装方法、键合结构以及封装结构，键合方法中通过提供包括无机物层和多个第一金属结构的第一键合面，以及包括聚合物层和多个第二金属结构的第二键合面，通过将第一键合面和第二键合面进行键合，同时形成金属—金属键合与无机物—聚合物介电质键...
    2025-12-07
  • 一种高密度封装体层间导通互联方法及结构
    一种高密度封装体层间导通互联方法及结构_厦门四合微电子有限公司_202511225008.2
    本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种高密度封装体层间导通互联方法及结构，包括：步骤S100：在载板两面依次层叠贴合支撑层和功能层；步骤S200：电镀增厚所述功能层，并在所述功能层上制作用于贴设封装芯片的第一线路；步骤S300：在所述功能层...
    2025-12-07
  • 一种消除锡膏沾染闪存封装基板焊盘的工艺方法
    一种消除锡膏沾染闪存封装基板焊盘的工艺方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511104026.5
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种消除锡膏沾染闪存封装基板焊盘的工艺方法。包括如下步骤：S1，提供基板；S2，在焊线手指焊盘处喷涂阻焊剂；S3，阻焊剂固化；S4，在锡膏印刷的目标焊盘上印刷锡膏；S5，贴装电子元器件；S6，回流焊接；...
    2025-12-07
  • 一种车规级芯片的封装方法及封装结构
    一种车规级芯片的封装方法及封装结构_广州美维电子有限公司_202511070516.8
    本发明涉及芯片封装技术的技术领域，提供了一种车规级芯片的封装方法及封装结构，包括：S1：预备芯板和功率模块，在所述芯板上制备第三布线层和第四布线层；对第一半成品板加工第一通槽并将所述功率模块安装到第一通槽内；所述功率模块包括：芯片和散热铜基...
    2025-12-07
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202511064124.0
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供炉管设备，炉管设备包括炉管腔体和位于炉管腔体内的晶舟；提供键合晶圆，将键合晶圆放置于晶舟上，确定键合晶圆的键合起始点，键合起始点位于靠近键合晶圆的边缘且靠近晶舟的位置；通过炉管设备对键合晶圆进行...
    2025-12-07
  • 一种焊盘覆盖层的刻蚀方法
    一种焊盘覆盖层的刻蚀方法_上海华力微电子有限公司_202511044675.0
    本发明公开了一种焊盘覆盖层的刻蚀方法，属于半导体技术领域，该焊盘覆盖层的刻蚀方法，包括以下步骤：提供焊盘，通过刻蚀依次去除所述焊盘表面的金属层、氧化层和第二层间介质层，在刻蚀后使用Ar处理所述焊盘；使用N111试剂对所述焊盘进行湿法清洗，使...
    2025-12-07
  • 一种混合键合结构及其制备方法、金属焊盘表面应力的原位检测方法
    一种混合键合结构及其制备方法、金属焊盘表面应力的原位检测方法_武汉大学_202510989699.7
    本申请公开了一种混合键合结构及其制备方法、金属焊盘表面应力的原位检测方法，该混合键合结构包括：相对设置的第一基体和第二基体，第一基体包括：第一基板、第一介电层、第一阻挡层、第一种子层、第一金属焊盘；第二基体包括：第二基板、第二介电层、第二阻...
    2025-12-07
  • 一种激光辅助混合键合互连方法
    一种激光辅助混合键合互连方法_广东工业大学_202510942281.0
    本发明涉及混合键合技术领域，尤其涉及一种激光辅助混合键合互连方法，S1、对晶圆表面进行处理，使晶圆的待键合面平整；S2、对晶圆的待键合面进行清洁，去除有机污染物和氧化层；S3、将两块晶圆的待键合面进行对准和贴合；之后，S4、所述待键合面包括...
    2025-12-07
  • 一种形成取向趋于一致的金属间化合物的微凸点构建方法
    一种形成取向趋于一致的金属间化合物的微凸点构建方法_江苏科技大学_202510879267.0
    本发明公开了一种形成取向趋于一致的金属间化合物的微凸点构建方法，包括如下步骤：(1)在两个待连接位点处分别通过电镀法制备至少一个金属焊盘，再在金属焊盘上采用直流电沉积法制备凸点下金属化层；其中，凸点下金属化层为<111>择优取向的纳米孪晶N...
    2025-12-07
  • 一种玻璃钝化工艺
    一种玻璃钝化工艺_扬州晶新微电子有限公司_202511124198.9
    本发明涉及半导体器件芯片制造技术领域，具体涉及一种玻璃钝化工艺，制玻璃粉乳液，松油醇：玻璃粉=1：2.2(重量比)，搅拌均匀。将玻璃粉乳液刮涂在晶圆表面，使玻璃粉乳液填满台面槽；经150℃热板烘烤，擦去台面槽之外多余的玻璃粉；将晶圆送进钝化...
    2025-12-07
  • 一种小型集成传感器封装方法
    一种小型集成传感器封装方法_深圳市深刻半导体有限公司_202510963914.6
    本申请提供了一种小型集成传感器封装方法，涉及传感器封装技术领域。本申请采用等离子体清洗技术对小型集成传感器芯片表面进行活化处理，并结合特定配比的化学清洗与超声物理清洗，能有效去除小型集成传感器芯片表面杂质与污染物，同时增强小型集成传感器芯片...
    2025-12-07
  • 驱动背板的制作方法、驱动背板、显示面板及拼接屏
    驱动背板的制作方法、驱动背板、显示面板及拼接屏_成都辰显光电有限公司_202410565254.1
    本申请提供一种驱动背板的制作方法、驱动背板、显示面板及拼接屏，涉及驱动背板技术领域，所述驱动背板的制作方法包括提供一驱动背板，驱动背板包括第一区域及位于第一区域至少一侧的第二区域；设置覆盖第一区域并暴露出第二区域的保护膜；设置导电层，导电层...
    2025-12-07
  • 一种多处理器集成电路封装结构的制备方法及封装结构
    一种多处理器集成电路封装结构的制备方法及封装结构_江苏万邦微电子有限公司_202511479360.9
    本申请涉及半导体器件技术领域，提出一种多处理器集成电路封装结构的制备方法及封装结构。该方法在预固化处理之后和完全固化处理之前，增加了对预固化封装结构进行翘曲测量、结构形态确定，以及对异常形态进行返工处理的步骤。本申请能够在粘接结构尚未完全固...
    2025-12-07
  • 引线框架封装方法和封装结构
    引线框架封装方法和封装结构_甬矽电子(宁波)股份有限公司_202511476211.7
    本发明提供了一种引线框架封装方法和封装结构，涉及芯片封装技术领域，该方法首先提供引线框，然后在多个引脚的正面形成容置凹槽。然后将导电环沿引脚的正面贴装在多个容置凹槽中，其中导电环上还设置有多个支撑部，每个支撑部恰好嵌设在相邻两个引脚之间。然...
    2025-12-07
  • 一种功率半导体模块的制备方法
    一种功率半导体模块的制备方法_惠州市广大碳基半导体有限公司_202511309337.5
    本发明提供一种功率半导体模块的制备方法，与传统陶瓷基板相比，本方案实现了模块的显著减薄与散热性能提升。该功率半导体模块的制备方法，包括：获取金属基板，并在所述金属基板表面进行预处理；设定特定溅镀参数，基于所述特定溅镀参数在预处理后的所述金属...
    2025-12-07
  • 一种半导体器件组件的焊接封装工艺
    一种半导体器件组件的焊接封装工艺_成都赛力康电气有限公司_202511162372.9
    本发明公开了一种半导体器件组件的焊接封装工艺，属于半导体器件制备的技术领域，包括：在铝底板上表面刷一层焊锡膏；缩减覆铜陶瓷片尺寸；将多个单管器件、多个覆铜陶瓷片和铝底板进行组装，得到单管组件；将单管组件放入高温焊接炉进行焊接处理；焊接完成后...
    2025-12-07
  • 一种基于单管并联的功率组件制备方法
    一种基于单管并联的功率组件制备方法_成都赛力康电气有限公司_202511162370.X
    本发明公开了一种基于单管并联的功率组件制备方法，包括：在铝底板上表面的不同区域喷涂铜层；对铝底板进行预弯处理；在铜层的表面印刷一层焊膏；在DBC绝缘片的上表面印刷复合焊膏层；将器件的管脚进行折弯处理；将多个器件、多个DBC绝缘片依次放置在铝...
    2025-12-07
  • 控制硅片中体金属的扩散方法及装置
    控制硅片中体金属的扩散方法及装置_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511110415.9
    本发明提供了一种控制硅片中体金属的扩散方法及装置，属于半导体制造技术领域。该方法包括：将第一硅片放置于第一温度值的环境中，在所述第一硅片的第一表面上生成氧化硅层，得到氧化后的第一硅片；根据所述氧化后的第一硅片中体金属的目标扩散值，确定与所述...
    2025-12-07
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