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  • 本发明公开了一种高疲劳性能钛合金棒材及其制备方法,涉及钛合金表面处理技术领域,包括以下工艺:取钛合金棒作为基体,在其表面沉积TiAl合金涂层;而后进行低温离子氮化,形成渗氮层,得到高疲劳性能钛合金棒材。本发明通过表面TiAl合金化和低温离子...
  • 本发明涉及一种CoZrTaB溅射靶材的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)按照靶材中Co和Ta的配比,将Co原料和Ta原料进行第一真空悬浮熔炼,得到CoTa中间合金;(2)将ZrB2合金粉末依次进行压制成型和真空烧结,得到ZrB2合金...
  • 本发明公开了一种高密度、高纯度WSix靶材的制作方法,涉及粉末冶金技术领域,旨在解决现有技术的WSix靶材制作存在纯度不足,结构不均的问题。该方法包括以下步骤;S1、按重量比例70.79 : 29.21准备≥5N高纯W块状材料和Si粉状材料...
  • 本发明涉及真空镀膜设备领域,特别是涉及一种离子多弧靶的引弧装置,包括两个安装座、导向座、限位杆件、转接件和引弧针;两个安装座分别安装在离子多弧靶上开设的安装孔的两端;导向座位于安装孔内,且两端分别抵接在两个安装座上;限位杆件依次贯穿安装座和...
  • 本发明提出了一种电弧蒸发源镀氧化膜用设备,包括真空室和与真空室铰接的蒸发源,真空室作为弧源阳极,蒸发源包括导磁中心柱、外导磁筒和磁靴,外导磁筒一端与磁靴固定连接,外导磁筒另一端设有环形屏蔽盘,屏蔽盘内环侧设有靶材,所述导磁中心柱位于外导磁筒...
  • 本发明公开了一种可调节脉冲宽度的OLED屏幕脉冲激光沉积设备,包括机体、衬底及四个靶材,所述机体一侧内部开设工作腔;本发明靶材搭载结构中滑移台可以在X轴上水平移动,滑移板则在Y轴上水平移动,这样可以微调靶材的烧蚀位置,避免过度烧蚀,也提高了...
  • 本发明公开了一种线型蒸发源加热丝张紧结构及控制方法,包括线源坩埚以及沿线源坩埚侧壁布置的加热丝,所述加热丝安装在固定座上,所述固定座上安装有若干个对加热丝进行张紧固定的张紧机构;所述张紧结构包括相连的第一金属薄片和第二金属薄片,所述第一金属...
  • 本发明提供了一种蒸镀机磁力对位装置及蒸镀机,属于显示面板生产领域。蒸镀机磁力对位装置,用于将金属掩膜板固定于待蒸镀的基板上,蒸镀机磁力对位装置包括背板以及固定于背板上的多个磁石,磁石具有N极和S极,背板上排列有至少一排磁石,每排磁石包括交替...
  • 本发明公开了一种蒸镀机台复机方法,涉及半导体制备技术领域,该方法包括:依次对所述蒸镀机台中用于镀源切换的调节挡板进行喷砂、酸洗、水洗与烘烤处理;对烘烤后的所述调节挡板进行复机镀膜,包括在真空环境下于所述调节挡板的表面依次蒸镀第一材料与第二材...
  • 本发明公开了一种高通量蒸镀设备,涉及真空镀膜设备领域,包括镀膜腔室和镀膜机机架,所述镀膜腔室内设有多层样品架,所述多层样品架由基片架上板和两个基片架侧板组成,且两个基片架侧板上均设有7层基片托,所述多层样品架的一侧设置有基片挡板本体,所述镀...
  • 本发明涉及复合铝箔技术领域,具体公开了一种高结合强度复合铝箔及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:S1.将薄膜上料至卷绕式镀膜机,所述薄膜的一侧表面形成有铝预镀层;S2.对所述薄膜进行氮气等离子体前处理,得到薄膜基材;S3.在所述薄膜基材...
  • 本发明属于锂离子电池负极材料制备技术领域,涉及一种基于三维自旋控制磁控共溅射制备硅合金负极的方法,包括:1、基材准备:选取碳颗粒作为负极材料基底;2、颗粒三维自旋悬浮:将碳颗粒置于三维自旋悬浮装置中,在高真空环境下在多个空间方向的连续翻滚与...
  • 本发明公开了一种正极集流体、其制备方法以及包含其的电池,所述正极集流体的制备方法包括以下步骤:将高分子材料制成连续薄膜;对所述连续薄膜进行表面预处理;将预处理后的薄膜进行化学镀,形成金属导电层;将经过化学镀的薄膜进行电化学沉积金属层;将经过...
  • 本发明公开了一种掺杂稀土元素的光学成像膜及其制备方法,方法具体包括:提供光学玻璃基片,并对光学玻璃基片的表面进行预处理;在光学玻璃基片的表面溅射出基底层;在基底层的表面沉积出掺杂有稀土元素的掺杂层;在掺杂层的表面刻蚀出微纳米结构;微纳米结构...
  • 一种用于柔性压阻传感的多层调控非晶碳薄膜,包括柔性基体,所述柔性基体上设置非晶碳薄膜,所述非晶碳薄膜由富含sp2杂化碳层与富含sp3杂化碳层交替重叠形成,所述各富含sp2杂化碳层和各富含sp3杂化碳层的层厚均为50~150nm,使由富含sp...
  • 本发明涉及镀膜技术领域,公开了一种高附着力塑料反射镜及其制备方法。该高附着力塑料反射镜包括塑料基底,以及依次沉积于塑料基底表面的TiAlN粘结层、Ti晶种层和Al反射层;所述TiAlN粘结层与塑料基底之间具有C─N键、(C─O)─(Ti,A...
  • 本发明提供了半导体工艺设备控制方法及半导体工艺设备;其中,在半导体工艺设备控制方法中,当沉积工艺腔室闲置时间较长时,通过对沉积工艺腔室进行靶材清理工艺,同时通过去气工艺腔室对晶圆进行预处理工艺,并在预处理工艺和靶材清理工艺均完成后,通过沉积...
  • 一种带有屏蔽罩和轴向拼接柱靶的细长管内壁多层膜连续沉积装置及其使用方法。它属于表面处理领域。它解决了现有细长管内镀膜过程中多层膜无法连续制备,靶面不同区域互相污染的问题。装置:包括磁控靶、屏蔽罩、磁芯、待镀管、绝缘支架和导轨;磁控靶由多块不...
  • 本申请涉及一种镀膜辅助遮蔽工装,用于进行产品壳体镀干涉膜时,对所述壳体上的功能槽进行遮蔽,所述镀膜辅助遮蔽工装包括:遮蔽组件,所述遮蔽组件用于装设至所述功能槽的中部位置;第一端遮蔽块,所述第一端遮蔽块用于装设至所述功能槽的第一方向的一端,所...
  • 提供了一种沉积设备和利用该沉积设备制造显示装置的方法,所述沉积设备包括:沉积源;掩模,设置在第一基底与沉积源之间;掩模支撑件,设置在沉积源与掩模之间并且支撑掩模的至少一部分;以及磁性构件,设置在第一基底上并且用磁力固定掩模支撑件。磁性构件包...
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