Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
最新专利技术
  • 本发明属于金属表面涂层材料制备技术领域,涉及一种激光熔覆添加韧性网复合涂层的制备方法。步骤如下:对钢材料表面进行除锈和抛光处理,清洗,烘干。Fe5合金粉末中加入WC粉末,混合均匀,球磨得到混合粉末。将韧性网片铺设于备用钢材表面后,与预制粉剂...
  • 一种矿用液压缸激光熔覆自动化系统,包括搬运桁架机械手、毛坯件上料车、成品件下料车、六轴机器人系统、四轴变位机;所述搬运桁架机械手用于将各上下料工位处毛坯件上料车上的来料抓取搬运至四轴变位机处,待加工完成后,再将四轴变位机处的加工成品抓取搬运...
  • 本发明公开了一种铁器文物的修复保护方法,属于文物保护技术领域。本发明提供的方法通过对铁器文物进行清理除锈、脱盐、缓蚀和封护,在铁器文物表面形成缓蚀层和封护层,缓蚀层由钼酸钠的钝化膜与BTA的配位膜形成双层结构,显著降低腐蚀电流密度,封护层隔...
  • 本发明提供了一种电解铜箔无铬高温防氧化钝化剂,属于金属表面处理技术领域。本发明所述电解铜箔无铬高温防氧化钝化剂以水为分散剂,包括以下组分:缓蚀剂3~6g/L、抗氧化剂5~20g/L、稳定剂0.2~1g/L、表面活性剂0.05~0.5g/L、...
  • 本发明公开了一种具有耐蚀膜层的螺杆及其制备方法,该具有耐蚀膜层的螺杆包括铁基螺杆和包覆在铁基螺杆表面的耐蚀膜层;耐蚀膜层的原料包括以下组分:8‑15wt% 植酸‑铜络合物,5‑12wt% 钼酸根插层缓蚀剂,3‑7wt% 栗木鞣质,0.5‑1...
  • 本发明提供一种抗氧化液、铜箔、极片及锂离子电池,该抗氧化液包括按照质量百分含量包括:第一化合物0.05‑0.5%、硼砂0.1‑0.3%、单宁酸0.05‑0.2%、第二化合物0.1‑1%、乙醇85‑88%、水11‑14.7%;所述第一化合物包...
  • 本发明涉及一种耐腐蚀无取向电工钢及其制备方法和应用,属于合金技术领域。本发明耐腐蚀无取向电工钢的制备方法包括以下步骤:S1、在三电极体系中,以无取向电工钢为阳极,将其浸入复合电解液中施加恒定电位进行钝化处理;所述复合电解液包括磷酸盐、硅酸盐...
  • 本申请提供了一种银包铜粉及其制备方法、应用和导电材料,属于金属粉体制备技术领域。所述银包铜粉的制备方法,包括以下步骤:采用含碱和硝酸盐的溶液对铜粉进行粗化处理,制备粗化处理后的铜粉;将所述粗化处理后的铜粉与钝化剂进行钝化处理,制备钝化处理后...
  • 本发明公开了一种基于超声震荡的铜基表面金属纳米结构制备方法,具体步骤包括:S1.基材预处理,将无氧铜基材进行清洗、干燥,确保表面无油污、灰尘和其他污染物;S2.配置前驱体溶液,根据金属纳米结构类型选择对应的金属盐、还原剂及分散剂,溶解于乙二...
  • 本发明提供了一种镀铜石墨烯及其制备方法。所述制备方法包括:将氧化石墨烯浸入胶体铜活化液中,经第一超声处理,制备得到铜负载石墨烯;将铜负载石墨烯浸入镀液中,经第二超声处理,进行镀铜,得到预镀铜石墨烯;对所述预镀铜石墨烯进行钝化处理,得到所述镀...
  • 本发明公开了一种多层PCB板自动化加工用沉铜装置及沉铜方法,包括沉铜箱、沉铜箱上设有盖板;还包括驱动组件,其固定设置在盖板上;还包括移动组件和紧固组件,驱动组件通过移动组件带动紧固组件往复运动,且紧固组件设有PCB双面板本体通过移动组件在沉...
  • 本发明公开了一种在任何基底上生长单层二维材料的方法,步骤一、基底准备与预处理;步骤二、原位CVD生长系统初始化;步骤三、二维材料生长启动;步骤四、AI识别系统实时监测与分析;步骤五、AI控制飞秒激光蚀刻模块精准去除多层区域;步骤六、生长与去...
  • 本发明提出了一种半导体膜生长设备及使用方法,该设备包括:设备本体,其内部设置有CVD镀膜器,其包括连接板;连接板上开设沿Z向排列的2个传送窗口;传送组件,用于将待处理的半导体自动送入设备本体中,同时将处理完成的半导体自动送出设备本体,其包括...
  • 本发明公开了一种喷淋盘自动调平装置及薄膜沉积设备,该装置用于对喷淋盘进行调平处理,包括:调平平台,与所述喷淋盘固定连接;倾斜件,设置于所述调平平台上,用于控制所述调平平台的倾斜方向;驱动模块,与所述倾斜件连接,用于驱动所述倾斜件倾斜运动,并...
  • 本发明提供了一种喷淋板、一种半导体加工设备及一种半导体加工方法。所述喷淋板包括匀气层、电磁控制层及面板层。所述匀气层中设有气体通道,所述气体通道中设有密封金属棒,用于在关闭状态封闭所述气体通道。所述电磁控制层上设有与各所述密封金属棒对应的电...
  • 本发明公开了一种氮化钛薄膜的制备方法和氮化钛薄膜,涉及半导体技术领域,以解决现有PEADL技术高能离子轰击基底导致产生的晶格畸变损伤基底,进而影响形成在基底表面的目标薄膜均匀性下降的问题。所述氮化钛薄膜的制备方法包括:向半导体基底所在的反应...
  • 本申请公开一种半导体工艺腔室和半导体工艺设备,涉及半导体技术领域。半导体工艺腔室具有工艺空间,工艺空间内设有导流环,导流环具有用于输送尾气的输气通道,输气通道与半导体工艺腔室的排气口相连通,工艺空间具有透光顶面和环绕透光顶面设置的环形顶面,...
  • 本发明提供一种输气装置、半导体工艺设备及气体控制方法。输气装置包括:包括与工艺腔室连接的储气罐、控压组件和压力检测组件;其中,控压组件具有可活动的密封端;密封端与储气罐内表面活动密封连接,以将储气罐内部分隔为储气腔和辅助腔;储气腔用于存储工...
  • 在一个方面,本文描述切削工具,所述切削工具包括采用一个或多个多晶α‑Al2O3耐火层的耐磨涂层。简而言之,本文所述的一种涂覆的切削工具包括基材,以及粘附到所述基材的涂层,所述涂层包括通过化学气相沉积(CVD)沉积的多晶α‑Al2O3层,所述...
  • 本发明提供成膜装置、成膜方法以及基板支承构件。在对基板进行成膜处理时,防止起因于处理后的膜残留而导致对后续的基板进行的处理产生不良情况。成膜装置具备:处理容器;第1气体供给部,为了对载置在载物台的基板进行成膜而向处理容器内供给成膜气体;第2...
技术分类