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最新专利技术
  • 片式元器件及其制造方法
    片式元器件及其制造方法_深圳振华富电子有限公司_202510919264.5
    本申请涉及元器件制造技术领域，更具体地说，是涉及一种片式元器件及其制造方法。该片式元器件的制造方法包括：制备内层结构；制备第一外层结构和第二外层结构；将第二外层结构、内层结构和第一外层结构层叠以制备层叠单体；对层叠单体进行烧结，以得到烧结体...
    2025-11-24
  • 半导体封装结构及其制备方法、存储系统
    半导体封装结构及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410619994.9
    本申请公开了一种半导体封装结构及其制备方法、存储系统。该半导体封装结构包括：堆叠结构，包括沿第一方向依次堆叠的多个第一芯片，所述堆叠结构具有沿所述第一方向背对设置的第一表面和第二表面；以及多个第一连接结构，均自所述第二表面沿所述第一方向延伸...
    2025-11-24
  • 包括神经形态器件的半导体器件及制造方法
    包括神经形态器件的半导体器件及制造方法_爱思开海力士有限公司_202411106522.X
    本公开涉及包括神经形态器件的半导体器件及制造方法。一种半导体器件可以包括：第一电极；位于第一电极上的切换层；位于切换层上的储氧层；位于储氧层上的第二电极；位于切换层的侧壁上的加热电极；以及位于加热电极和切换层之间的绝缘间隔物。
    2025-11-24
  • 基于绝缘体上硅衬底的高开关比反型铁电电容型存储器及制备方法
    基于绝缘体上硅衬底的高开关比反型铁电电容型存储器及制备方法_西安电子科技大学_202511136942.7
    一种基于绝缘体上硅衬底的高开关比反型铁电电容型存储器及制备方法，器件沿垂直方向自下而上依次为底层埋氧层、顶层沟道，顶层沟道顶部左侧覆盖铁电层，铁电层顶部覆盖顶电极，所述顶层沟道顶部右侧覆盖底电极，所述铁电层和底电极之间不接触；所述底电极下方...
    2025-11-24
  • 半导体结构及其制造方法、存储器以及存储器系统
    半导体结构及其制造方法、存储器以及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410612372.3
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器以及存储器系统。该半导体结构包括：第一堆叠结构，包括交替设置的第一介电层和第一导电层；第一导电柱，在第一堆叠结构中沿堆叠方向延伸；以及交替设置的存储层和隔离层，位于第一导电柱和第一堆叠结构...
    2025-11-24
  • 半导体结构及其制备方法、存储器、存储器系统
    半导体结构及其制备方法、存储器、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410612041.X
    本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法、存储器以及存储器系统，其中，半导体结构包括：第一堆叠结构，包括交替层叠的第一绝缘层和栅极层；多个第一隔离结构，沿第一堆叠结构的堆叠方向贯穿第一堆叠结构、沿第一方向延伸且沿第一方向间隔...
    2025-11-24
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_爱思开海力士有限公司_202511389906.1
    本申请涉及半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：多个源极沟道，所述多个源极沟道穿透源极选择线；栅极层叠结构，该栅极层叠结构与源极选择线交叠；连接图案，该连接图案设置在源极选择线和栅极层叠结构之间，该连接图案共同连接到所述多个源极沟道；以...
    2025-11-24
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410605294.4
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件的制造方法包括：在衬底上形成间隔分布的多个第一半导体墙，相邻两个所述第一半导体墙之间露出所述衬底；采用选择性外延生长工艺，在相邻两个所述第一半导体墙之间形成与所述第一半导体墙间隔的第二半导...
    2025-11-24
  • 半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
    半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统_三星电子株式会社_202510508921.7
    根据本公开的示例实施方式的半导体器件包括：板层；栅电极，堆叠并彼此间隔开，并包括下栅电极、存储栅电极和上栅电极；沟道结构，延伸穿过栅电极；第一接触插塞，分别电连接到上栅电极；第二接触插塞，延伸穿过栅电极的部分，并分别电连接到存储栅电极和下栅...
    2025-11-24
  • 存储器件、系统及其形成方法
    存储器件、系统及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202410612400.1
    一种存储器件包括：堆叠结构，包括在第一方向上延伸的交错的导电层和电介质层；半导体层，包括与所述堆叠结构接触的第一半导体层和在所述第一半导体层上的第二半导体层；以及沟道结构，沿着第二方向在所述堆叠结构中延伸并且与所述第一半导体层接触。所述半导...
    2025-11-24
  • 一种三维1S1C存储器及制备方法
    一种三维1S1C存储器及制备方法_华中科技大学_202511193397.5
    本发明公开了一种三维1S1C存储器及其制备方法，涉及存储器技术领域，包括：外围电极层和存储单元，其中外围电极层形成于衬底上，且自下向上第一电介质层与第一金属电极层依次相互交替堆叠，且设置有若干个在垂直方向贯穿的沟槽，各个沟槽之间互相平行，沟...
    2025-11-24
  • 具有平坦化鳍片的存储器元件及其制造方法
    具有平坦化鳍片的存储器元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510744043.9
    本申请案公开一种存储器元件及一种存储器元件的制造方法。此存储器元件包括：一半导体基板，定义有一主动区且包括多个鳍片，其中该多个鳍片从该半导体基板突出且设置在该主动区内，其中该多个鳍片的每一者具有一第一平坦顶部表面；一第一字元线，延伸到该半导...
    2025-11-24
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510631233.X
    提供了包括高度集成的存储单元的半导体器件以及制造这种半导体器件的方法。半导体器件包括：纳米片的垂直排列和水平排列，纳米片包括水平片和锥形片，水平片包括突出片节点，锥形片在第一水平方向上从所述水平片连续；第一导线的垂直排列，第一导线围绕水平排...
    2025-11-24
  • 竖直三维(3D)存储器中的增强型触点
    竖直三维(3D)存储器中的增强型触点_美光科技公司_202510626388.4
    提供用于竖直三维3D存储器中的增强型触点的方法及装置。方法可包含在竖直堆叠的每一层级处形成具有水平定向的存取装置及水平定向的存储节点的竖直堆叠的存储器单元的阵列。方法可包含形成连接到所述水平定向的存取装置的第一源极/漏极区的连续的、竖直定向...
    2025-11-24
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202510084599.X
    公开了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：位线，在基底上，其中，位线在第一方向上延伸，第一方向与基底的上表面平行；沟道结构，在位线上，其中，沟道结构在第二方向上延伸，第二方向与基底的上表面平行，并且其中，沟道结构包括在第三方向上延伸...
    2025-11-24
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202510070650.1
    一种半导体存储器件，包括：位线，设置在衬底上，并且在第一方向上延伸；沟道结构，设置在位线上，并且在垂直于第一方向的第二方向上延伸，其中，沟道结构包括第一竖直部分和在第一方向上与第一竖直部分间隔开的第二竖直部分；字线，设置在第一竖直部分和第二...
    2025-11-24
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202411893031.4
    一种半导体器件可以包括：衬底；位线，在与衬底的顶表面平行的第一方向上延伸；半导体图案，在位线上，并且在垂直于衬底的顶表面的第三方向上延伸；以及栅电极，在半导体图案的侧表面上，并且在与衬底的顶表面平行并且与第一方向相交的第二方向上延伸。栅电极...
    2025-11-24
  • 具有平坦化鳍片的存储器元件及其制造方法
    具有平坦化鳍片的存储器元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411241122.X
    本申请案公开一种存储器元件及一种存储器元件的制造方法。此存储器元件包括：一半导体基板，定义有一主动区且包括多个鳍片，其中该多个鳍片从该半导体基板突出且设置在该主动区内，其中该多个鳍片的每一者具有一第一平坦顶部表面；一第一字元线，延伸到该半导...
    2025-11-24
  • 半导体结构及其制造方法、电子设备
    半导体结构及其制造方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202410628508.X
    一种半导体结构及其制造方法、电子设备。制造方法包括：在半导体衬底上形成第一堆叠结构；在第一堆叠结构的第一区域中形成水平开口，并在第一区域的两侧形成暴露半导体衬底的第一垂直开口和不暴露半导体衬底的第二垂直开口；利用第一垂直开口外延生长以在水平...
    2025-11-24
  • 一种半导体结构的制造方法及半导体结构
    一种半导体结构的制造方法及半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202410620780.3
    本公开涉及一种半导体结构的制造方法及半导体结构。方法包括：提供基底，具有沿第一方向间隔排布的有源柱和隔离层，有源柱和隔离层均沿第二方向延伸；去除部分隔离层以形成暴露有源柱的顶表面和部分侧表面的第一凹槽；在第一凹槽内形成至少暴露有源柱的顶表面...
    2025-11-24
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