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最新专利技术
  • 双栅极功率半导体装置和控制双栅极功率半导体装置的方法
    双栅极功率半导体装置和控制双栅极功率半导体装置的方法_英飞凌科技股份有限公司_202510688918.8
    本公开涉及双栅极功率半导体装置和控制双栅极功率半导体装置的方法。双栅极IGBT(1)被呈现，其中有源区(1‑2)包括第一段区(1‑21)和第二段区(1‑22)。通过两个控制信号(13‑21，13‑22)，两个段区都可被控制。例如，有源区(1...
    2025-12-26
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510521790.6
    本公开的目的在于在具有两级栅极结构以及载流子积累层的半导体装置中抑制位移电流。IGBT(101)具备形成于漂移层(2)的第一主面(S1)侧的第一导电型的载流子积累层(3)、形成于载流子积累层的第一主面侧的第二导电型的基极层(4)、以及经由氧...
    2025-12-26
  • 一种高电流密度三极管及其制备方法
    一种高电流密度三极管及其制备方法_扬州扬杰电子科技股份有限公司_202511207877.2
    一种高电流密度三极管及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括以下步骤：步骤S100，在外延片内制备第一重掺杂一基区，在第一重掺杂一基区内制备若干间隔的第二重掺杂发射区；步骤S200，在第二重掺杂发射区内制备第一重掺杂二基区；步骤S300，在外...
    2025-12-26
  • 具有间接图案化发射极的半导体发射器
    具有间接图案化发射极的半导体发射器_德州仪器公司_202510623582.7
    本公开涉及一种具有间接图案化发射极的半导体发射器。在一个实例中，一种形成电子装置的方法包含接收半导体衬底，所述半导体衬底具有位于部分形成的双极结型晶体管的发射极区上方的介电层(210)。在所述介电层上方形成牺牲层(215)。在所述牺牲层上方...
    2025-12-26
  • 一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件
    一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511518471.6
    本申请提供一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件。制备方法包括：提供基层介电层；在基层介电层上形成电容主体；电容主体包括多层导电层及间隔介电层；各导电层呈平直状；奇数层导电层与偶数层导电层的材料不同；在电容主体上形成顶层介电层；形成贯穿电容主...
    2025-12-26
  • 一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件
    一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511518442.X
    本申请提供一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件。制备方法包括提供基层介电层；形成电容主体，电容主体包括多层导电层和多层间隔介电层，多层导电层和多层间隔介电层交替堆叠；各导电层为平直状膜层；形成第一、二台阶孔，各导电层背离基层介电层一侧的表面...
    2025-12-26
  • 一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件
    一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511518421.8
    本申请提供一种堆叠电容及其制备方法、半导体器件。所述制备方法包括提供基层介电层；在基层介电层上形成交替堆叠的多层导电层和多层间隔介电层；奇数层导电层与偶数层导电层的材料不同；设置顶层介电层，顶层介电层设于多层导电层和多层间隔介电层背离基层介...
    2025-12-26
  • 电容器结构及其制造方法、半导体器件及其制造方法
    电容器结构及其制造方法、半导体器件及其制造方法_湖北星辰技术有限公司_202511340439.3
    本公开提供了一种电容器结构及其制造方法、半导体器件及其制造方法，所述电容器结构包括基底和电容叠层；其中，基底包括沿第一方向交替层叠的第一支撑层和第二支撑层；沟槽从基底的一表面延伸到基底内部，沟槽包括沿第一方向延伸的沟槽主体、以及连通沟槽主体...
    2025-12-26
  • 用于具有增加的密度的微电子装置的电容器及相关方法
    用于具有增加的密度的微电子装置的电容器及相关方法_美光科技公司_202510704818.X
    本申请涉及用于具有增加的密度的微电子装置的电容器及相关方法。一种用于微电子装置的电容器包含第一电极及第二电极。所述第一电极包含：第一基底部分，其在第一层级处；第二基底部分，其在第二层级处；第一基底接触件，其从所述第一基底部分延伸到所述第二基...
    2025-12-26
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_湖北星辰技术有限公司_202511341206.5
    本公开提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括基底芯片、中间芯片和多个核心芯片；中间芯片设置在基底芯片上；多个核心芯片沿垂直于基底芯片所在平面的第一方向堆叠设置在中间芯片上；其中，中间芯片包括电容器结构，电容器结构包括至少一个电...
    2025-12-26
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_湖北星辰技术有限公司_202511341156.0
    本公开提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括基底芯片、中间芯片和多个核心芯片，中间芯片设置在基底芯片上，多个核心芯片沿垂直于基底芯片所在平面的第一方向堆叠设置在中间芯片上，多个核心芯片包括最靠近中间芯片的第一核心芯片；其中，所...
    2025-12-26
  • 半导体元件结构及其制造方法
    半导体元件结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510825655.0
    提供一种半导体元件结构及其制造方法。此半导体元件结构包括：一中介层以及一第一电子构件。该中介层包括：一第一半导体晶粒以及一第二半导体晶粒。该第一半导体晶粒包括一第一快取存储器及一第一存储器控制电路。该第二半导体晶粒包括一第二快取存储器及一第...
    2025-12-26
  • 将具有微细凸部的半导体器件装载到插件中的方法
    将具有微细凸部的半导体器件装载到插件中的方法_阿特科株式会社_202510719445.3
    根据本公开的实施例的将具有微细凸部的半导体器件装载到插件中的方法包括：由第一视觉模块捕获由拾取器拾取的半导体器件的底部图像；由第二视觉模块捕获插件的顶部图像；以及基于底部图像和顶部图像，由拾取器将半导体器件装载到插件中。
    2025-12-26
  • 半导体元件结构及其制造方法
    半导体元件结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411369547.9
    提供一种半导体元件结构及其制造方法。此半导体元件结构包括：一中介层以及一第一电子构件。该中介层包括：一第一半导体晶粒以及一第二半导体晶粒。该第一半导体晶粒包括一第一快取存储器及一第一存储器控制电路。该第二半导体晶粒包括一第二快取存储器及一第...
    2025-12-26
  • 电阻式随机存取存储器装置及其制作方法
    电阻式随机存取存储器装置及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410768753.0
    本发明公开一种电阻式随机存取存储器装置及其制作方法，其中电阻式随机存取存储器装置包含基底；第一层间介电层，设置在基底上；第一互连结构，设置在第一层间介电层中；盖层，设置在第一互连结构和第一层间介电层上；中间介电层，设置在盖层上；导电通孔，设...
    2025-12-26
  • 具有磁隧道结的半导体器件
    具有磁隧道结的半导体器件_爱思开海力士有限公司_202510673423.8
    本公开涉及具有磁隧道结的半导体器件。一种半导体器件，包括：下电极；位于下电极之上的选择元件层；位于选择元件层之上的中间电极；位于中间电极之上的碳阻挡元件层；位于碳阻挡元件层之上的可变电阻元件层；以及位于可变电阻元件层之上的上电极。碳阻挡元件...
    2025-12-26
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411140262.8
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备。所述半导体器件包括多个存储单元，所述存储单元包括至少一个晶体管；所述至少一个晶体管包括设置在基底上的栅电极、铁电薄膜和沟道层；所述栅电极沿着垂直于所述基底所在平面的方向延伸，所述铁电薄膜环绕所述栅电极的...
    2025-12-26
  • 半导体结构及其制备方法、电子设备
    半导体结构及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410675304.1
    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法、电子设备，半导体结构包括公共位线、读取源线以及存储单元，公共位线与读取源线沿第一方向排列，且二者均沿第二方向延伸。存储单元在第一方向上位于公共位线与读取源线之间。存储单元包括写晶体管与读晶体管。写晶体管...
    2025-12-26
  • 二维材料与CMOS单片集成的电荷超注入存储芯片及其制备方法
    二维材料与CMOS单片集成的电荷超注入存储芯片及其制备方法_复旦大学_202511172930.X
    本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种二维材料与CMOS单片集成的电荷超注入存储芯片及其制备方法。本发明的电荷超注入闪存芯片，由二维材料电荷超注入闪存器件构成的闪存阵列与采用CMOS工艺制备的包含存储器外围电路的衬底进行单片集成构建而成...
    2025-12-26
  • 半导体结构、三维存储器、存储系统及电子设备
    半导体结构、三维存储器、存储系统及电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410704549.2
    本公开提供了一种半导体结构、三维存储器、存储系统及电子设备，涉及半导体芯片技术领域，用于提升金属布线层上信号线道的布线空间。所述半导体结构包括第一导电层、叠层结构、多个沟道结构、多个连接结构和金属布线层。叠层结构设置于第一导电层的第一侧，包...
    2025-12-26
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