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最新专利技术
  • 具有第一隔离沟槽和第二隔离沟槽的半导体器件以及制造方法
    具有第一隔离沟槽和第二隔离沟槽的半导体器件以及制造方法_英飞凌科技股份有限公司_202510743401.4
    提供一种半导体器件，包括第一导电类型下部半导体衬底层、上部半导体衬底层和内插在之间的第二导电类型掩埋半导体衬底层。半导体器件包括第一隔离沟槽，形成在上部半导体衬底层第一主表面并延伸穿过上部半导体衬底层和掩埋半导体衬底层进入下部半导体衬底层。...
    2025-12-26
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202510735750.1
    半导体装置(1、2)具备：绝缘膜(42)，具有朝向有源区域(10A)的端部(43)；栅极布线(36)，设置在绝缘膜(42)上；以及栅极引出部(38)，将栅极电极(32)与栅极布线(36)连接，跨上绝缘膜(42)的端部(43)而延伸。半导体基...
    2025-12-26
  • 包括沟槽栅极结构的场效应晶体管
    包括沟槽栅极结构的场效应晶体管_英飞凌科技股份有限公司_202510581067.7
    公开了包括沟槽栅极结构的场效应晶体管。提出了场效应晶体管FET(100)。FET(100)包括在具有第一表面(108)的半导体衬底(102)中的晶体管单元(TC)。晶体管单元(TC)包括在半导体衬底(102)的第一表面(108)处的源极区(...
    2025-12-26
  • 一种沟道自对准的碳化硅MOSFET器件的制备方法
    一种沟道自对准的碳化硅MOSFET器件的制备方法_北京智慧能源研究院_202410736123.5
    本发明属于半导体制造技术领域，涉及一种沟道自对准的碳化硅MOSFET器件的制备方法，Pwell区和N+区的预设注入窗口掩膜同时形成，先进行Pwell区的Al离子注入，后进行N+区域的N离子注入；Pwell区和N+区的预设注入窗口掩膜在注入后...
    2025-12-26
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_深圳市鹏进高科技有限公司_202511233251.9
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在解决元胞尺寸难以减小而影响器件性能的问题；半导体器件包括衬底，位于衬底两侧的第一电极和第二电极，以及位于衬底与第一电极之间的外延层、导电阱层、掺杂层、栅氧层和栅极；外...
    2025-12-26
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_深圳市鹏进高科技有限公司_202511228803.7
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在解决元胞尺寸难以减小而影响器件性能的问题。半导体器件包括衬底，位于衬底两侧的第一电极和第二电极，以及位于衬底与第一电极之间的外延层、导电阱层、掺杂层、栅氧层和栅极；外...
    2025-12-26
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202511173790.8
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，其通过在隔离结构内设置多个第一导电插塞并对其施加梯度电压，在隔离结构下方的区域中形成梯度电场，实现了对载流子浓度分布的动态调制，从而解决传统静态掺杂设计中导通电阻与击穿电压之间存在的相互制约关系。本申...
    2025-12-26
  • 绝缘体上硅LDMOS器件及其制造方法
    绝缘体上硅LDMOS器件及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511156612.4
    本发明提供一种绝缘体上硅LDMOS器件及其制造方法。该器件包括具有圆形版图布局的单元胞，单元胞包括：位于中心的漏极区、环绕该漏极区的圆环形有源区、用于电连接的漂移区、设置于该圆环形有源区内的圆环形栅极、体阱、以及形成于该体阱内的圆环形源极区...
    2025-12-26
  • 一种集成波纹状栅氧的超结功率MOS器件及其制备方法
    一种集成波纹状栅氧的超结功率MOS器件及其制备方法_西安龙飞电气技术有限公司_202511147078.0
    本发明公开了一种集成波纹状栅氧的超结功率MOS器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该器件包括自下而上依次层叠设置的衬底、缓冲层和外延层；其中，外延层中设置有竖向间隔排列的多个超结柱，每个超结柱的上方设置有body区；body区的表层设置有...
    2025-12-26
  • 半导体结构及其制备方法和电子设备
    半导体结构及其制备方法和电子设备_北京超弦存储器研究院_202410718337.X
    本申请公开了一种半导体结构及其制备方法和电子设备，涉及半导体技术领域。该结构包括：第一源/漏极，位于基底上；沟道区，位于第一源/漏极的顶表面；栅介质层，位于第一源/漏极的顶表面，环绕沟道区，包括一体连接的竖直部和伸出部，竖直部垂直于基底，伸...
    2025-12-26
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_中国科学院微电子研究所_202511028162.0
    本发明公开了一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于降低在半导体器件的正面进行布线的难度，利于实现半导体器件的面积缩减和性能提升。所述半导体器件包括：基底、第一晶体管、第一隔离结构和源漏接触结构。第一晶体管设置于基底的...
    2025-12-26
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202510228129.6
    本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法，方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括：衬底，多个鳍片，多个鳍片包括第一鳍片和第二鳍片，隔离区，伪栅，以及掩模层，位于伪栅上并且具有开口；利用掩模层对伪栅执行截断工艺，去除伪栅的一...
    2025-12-26
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411667635.7
    本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：衬底；位于衬底上的鳍片结构，所述鳍片结构包括：在第一方向上延伸且在不同于所述第一方向的第二方向上间隔开的两根鳍片，以及位于所述两根鳍片之间且与所述两根鳍片连接的第...
    2025-12-26
  • 一种基于铪铝氧超薄匹配层薄膜的超低亚阈值摆幅晶体管及其制备方法
    一种基于铪铝氧超薄匹配层薄膜的超低亚阈值摆幅晶体管及其制备方法_华中科技大学_202511558031.3
    本发明涉及半导体器件领域，具体涉及一种基于铪铝氧超薄匹配层薄膜的超低亚阈值摆幅晶体管及其制备方法，本发明通过精确调控铁电层厚度、匹配层厚度等参数，可以实现电容的最佳匹配，从而在降低功耗的同时，进一步提升器件的驱动能力和开关速度。在保证铁电薄...
    2025-12-26
  • 一种降低器件漏电的隔离型MOSFET器件结构及制备方法
    一种降低器件漏电的隔离型MOSFET器件结构及制备方法_西安电子科技大学_202511298343.5
    本发明涉及一种降低器件漏电的隔离型MOSFET器件结构及制备方法，器件结构包括：衬底、外延区、深隔离阱、离子注入阱、源区、漏区、隔离区、体区、地区、源极金属、漏极金属、隔离区电极金属、体极金属、地区电极金属、栅氧化层和栅电极；外延区位于衬底...
    2025-12-26
  • 一种双向开关MOSFET器件及其制造方法
    一种双向开关MOSFET器件及其制造方法_杭州唯美地半导体有限公司_202511283075.X
    本发明属于半导体技术领域，具体的说是一种双向开关MOSFET器件及其制造方法。本发明的器件具有两个漏极，在双向导通模式下，两个MOSFET的栅极同时施加足够的驱动电压，沟槽底部沟道形成，一个漏极接高电位，另一个漏极接低电位，电子从一个漏极出...
    2025-12-26
  • 一种基于平面MOS工艺的源极向下MOS器件及其制备方法
    一种基于平面MOS工艺的源极向下MOS器件及其制备方法_汇能微电子技术(深圳)有限公司_202511235733.8
    本发明公开了一种基于平面MOS工艺的源极向下MOS器件和制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括半导体衬底、有源区和栅极区，有源区形成于半导体衬底的表面，栅极区位于有源区的上方；有源区内设置有漏极和源极，一侧的漏极通过正向金属电极电连接至芯片...
    2025-12-26
  • 功率器件及其制备方法
    功率器件及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202511657784.X
    本发明涉及一种功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该功率器件及其制备方法中，接触区可以将栅极沟槽处的高电场引到接触区下侧设置的第一柱状结构，由于第一柱状结构由源极沟槽向衬底方向延伸，电流会从接触区传至第一柱状结构，使得接触区与外延结构...
    2025-12-26
  • 半导体结构的制备方法及半导体结构
    半导体结构的制备方法及半导体结构_广东芯粤能半导体有限公司_202511631108.5
    本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。方法包括：提供衬底，并于衬底的顶面依次形成外延层及有源层；于有源层内形成沿平行衬底方向排布的第一阱区及第二阱区；形成第一源极及第二源极，第一源极位于第一阱区内，第二源极位于第二阱区内；形成位于...
    2025-12-26
  • 一种具有反向快恢复的沟槽MOSFET及制备方法
    一种具有反向快恢复的沟槽MOSFET及制备方法_扬杰科技(无锡)有限公司_202511300901.7
    一种具有反向快恢复的沟槽MOSFET及制备方法。涉及半导体技术领域。本发明沟槽MOSFET通过在相邻栅极沟槽之间增设源极沟槽及配套结构，构建了新的电流通路。在反向续流时，传统沟槽MOSFET的电流需全部经体二极管流通，而该结构中，源极沟槽内...
    2025-12-26
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