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最新专利技术
  • 内嵌式工艺偏差监测装置和补偿设备
    内嵌式工艺偏差监测装置和补偿设备_芯翼信息科技(上海)有限公司_202511532188.9
    本发明涉及半导体芯片技术领域，提供一种内嵌式工艺偏差监测装置和补偿设备，该装置，集成于半导体芯片内部，包括：激励模块、N组开关组件、信号接收模块和控制模块；激励模块包括电流源和电压源中的至少一者，用于向待测对象提供激励信号，以获得响应信号；...
    2026-05-09
  • 一种芯片的强制测试电路
    一种芯片的强制测试电路_沐曦科技(成都)有限公司_202511526135.6
    本申请涉及芯片测试技术领域，特别是涉及一种芯片的强制测试电路，该电路包括：目标接口、强制测试信号、第一目标三态门、第二目标三态门、第一目标与门、第一目标或门、第一目标反相器、第二目标反相器、第一目标输出端、第一目标输入端、第一控制信号和第二...
    2026-05-09
  • 一种芯片测试方法、装置、设备及介质
    一种芯片测试方法、装置、设备及介质_济南迈威智能科技有限公司_202511501140.1
    本申请公开了一种芯片测试方法、装置、设备及介质，涉及芯片测试技术领域。该方法包括：在仿真平台上搭建芯片固件白盒测试平台，并通过预设标准化接口注册至少一个调试工具链；在白盒测试平台上执行测试用例，以获取基础测试日志，并在测试用例的执行过程中触...
    2026-05-09
  • 一种针对硅基板的电源完整性测试方法和装置
    一种针对硅基板的电源完整性测试方法和装置_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511392209.1
    本申请涉及一种针对硅基板的电源完整性测试方法和装置，应用于与待测试硅基板连接的测试装置中的上位机，包括：对待测试硅基板进行失效行为检测，在待测试硅基板不存在失效行为的情况下，通过预设的采集通道获取待测试硅基板中设置的多个传感器采集到的测试数...
    2026-05-09
  • 一种基于分数阶观测器的电路故障诊断方法
    一种基于分数阶观测器的电路故障诊断方法_淮阴工学院_202511321619.7
    本发明公开一种基于分数阶观测器的电路故障诊断方法，基于基尔霍夫定律构建分数阶电路模型，将电容端电压和电感电流描述为Caputo分数阶导数形式。设计双扰动解耦机制，将总扰动分解为可解耦扰动分量和不可解耦扰动分量：通过投影矩阵实现可解耦扰动的物...
    2026-05-09
  • 一种加速数据运算的ATE测试方法及系统
    一种加速数据运算的ATE测试方法及系统_杭州御渡半导体科技有限公司_202511217043.X
    本发明提供一种加速数据运算的ATE测试方法及系统，方法包括：同时采集多个待测器件的数据，并将所述数据按照固定位宽存储为矩阵式结构，其中矩阵的每行对应一个测试周期，每行数据包含来自多个待测器件的混合数据；启动多个并行线程，每个线程负责处理一个...
    2026-05-09
  • 检查装置
    检查装置_日本麦可罗尼克斯股份有限公司_202510949793.X
    在使用红外线传感器非接触地测定具有多个被检查体的晶圆的表面温度时，能够修正产生误差的主要原因，精度良好地进行测定。本发明提供一种检查装置，其使电触头与晶圆上的被检查体的电极端子接触，经由电触头使测试器与被检查体之间电连接来检查被检查体，所述...
    2026-05-09
  • 检查装置
    检查装置_日本麦可罗尼克斯股份有限公司_202510949792.5
    能够高精度地测定被检查体的表面温度。本发明提供一种检查装置，其使被检查体的电极端子和导电性触头接触，使测试器和所述被检查体之间电连接，从而检查被检查体，该检查装置的特征在于，具备：被检查体支承部，其支承被检查体；红外线受光部，其至少以被检查...
    2026-05-09
  • 资源板卡和测试机
    资源板卡和测试机_长迈半导体(成都)有限公司_202510846145.1
    本申请涉及一种资源板卡和测试机，资源板卡包括：测试图案存储器，用于存储不同功能的测试图案信息；测试图案生成器，在根据当前目标功能的测试图案信息生成图案数据发送至时序模块后，调用测试图案存储器中读操作的测试图案信息，基于读操作的测试图案信息生...
    2026-05-09
  • 一种可移动支架带声音提示电子线路板维修测量仪
    一种可移动支架带声音提示电子线路板维修测量仪_胥永杰_202410993010.3
    本发明公开一种可移动支架带声音提示电子线路板维修测量仪。其原理用3只长100厘米直径2厘米的不锈钢管做为上层和中间外层的主横杆。然后4只长度50厘米直径2.5厘米的不锈钢杆穿于上、下两层主横杆，并且下面装有滑轮，使之左右灵活移动。主横梁中间...
    2026-05-09
  • 集成电路老化测试夹具
    集成电路老化测试夹具_上海复旦微电子集团股份有限公司_202410949627.5
    本发明公开一种集成电路老化测试夹具，包括：夹具底座、与夹具底座连接的夹具上盖、以及具有独立温控系统的温控模块；温控模块包括结构本体、以及设置在结构本体上的控制模块、温度传感器、加热驱动模块、以及加热棒；控制模块安装在结构本体的一侧，加热驱动...
    2026-05-09
  • 治具模块与电路板测试方法
    治具模块与电路板测试方法_启碁科技股份有限公司_202410941482.4
    一种治具模块与电路板测试方法。治具模块包括一导引治具；导引治具沿一行程方向设置于一机构件内部，机构件内部设有一电路板；导引治具包括平台、第一对位结构以及第二对位结构；平台具有一顶部与一底部，平台包括贯通顶部及底部的多个贯孔；第一对位结构与第...
    2026-05-09
  • 漏电检测系统及方法
    漏电检测系统及方法_兴城科技股份有限公司_202410939818.3
    本公开的一方面涉及漏电检测系统及方法。公开了一种应用于电路板的漏电检测系统及方法，电路板包含多个线路。漏电检测系统包括：并联的多个开关回路、电压产生器、控制器、以及判断装置。漏电检测方法包括以下步骤：提供并联的多个开关回路，每一开关回路配置...
    2026-05-09
  • 一种芯片测试方法
    一种芯片测试方法_无锡华润微电子有限公司_202410939161.0
    本发明公开了一种芯片测试方法，包括：执行第一晶圆测试，所述第一晶圆测试包括唤醒步骤；执行第一环境筛选；执行第二晶圆测试，所述第二晶圆测试包括去极化步骤；执行第二环境筛选；执行第三晶圆测试；其中，每次所述晶圆测试至少包括直流参数测试和功能测试...
    2026-05-09
  • 一种氧化镓基二极管的外延结构性能检测方法
    一种氧化镓基二极管的外延结构性能检测方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511892949.1
    本发明公开了一种氧化镓基二极管的外延结构性能检测方法，涉及晶体管领域，解决了现有外延结构性能检测方法存在检测效果的问题，包括步骤S1：分别获取目标待检测二极管在每一个预设功率下发光效率数值，并据此绘制功率光效坐标图，根据功率光效坐标获取目标...
    2026-05-09
  • 一种压接器件结温动态监测方法、系统、设备和介质
    一种压接器件结温动态监测方法、系统、设备和介质_南方电网科学研究院有限责任公司_202511879406.6
    本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种压接器件结温动态监测方法、系统、设备和介质，本方法通过被测压接器件与水冷散热器之间的压装拓扑结构及其运行工况，构建被测压接器件的等效热阻模型。通过设计测温参考点，监测被测压接器件工作时散热器接触面上的热...
    2026-05-09
  • 一种聚变电源IGBT开关管故障诊断系统及方法
    一种聚变电源IGBT开关管故障诊断系统及方法_国网江苏省电力有限公司电力科学研究院_202511717630.5
    本发明公开了一种聚变电源IGBT开关管故障诊断系统及方法，系统包括若干电流检测单元和控制单元；每个电力检测单元用于检测两电平变流器中单个相桥臂的电流；电流检测单元包括电流传感器A11、电流传感器A22和电流传感器A33；所述电流传感器A22...
    2026-05-09
  • 一种碳化硅MOSFET的可靠性测试方法及测试系统
    一种碳化硅MOSFET的可靠性测试方法及测试系统_惠州市广大碳基半导体有限公司_202511545598.7
    本发明公开了一种碳化硅MOSFET的可靠性测试方法及测试系统，该碳化硅MOSFET的可靠性测试方法包括如下步骤：准备，待测器件连接系统；初测，测量初始电气参数；循环测试，依次进行升温步骤、测试步骤和降温步骤；升温步骤为，在环境温度和待测器件...
    2026-05-09
  • 一种功率模块的对拖测试电路及对拖测试平台
    一种功率模块的对拖测试电路及对拖测试平台_忱芯电子(苏州)有限公司_202511537675.4
    本发明公开了一种功率模块的对拖测试电路及对拖测试平台，对拖测试电路包括：电源模块、滤波模块、陪测功率模块、被测功率模块、电抗器和控制模块；电源模块与滤波模块的输入端电连接；滤波模块的输出端分别与陪测功率模块和被测功率模块电连接；陪测功率模块...
    2026-05-09
  • 一种基于自动拟合算法由半导体飞行时间(ToF)电流得到迁移率以及陷阱俘获时间和释放时间的方法
    一种基于自动拟合算法由半导体飞行时间(ToF)电流得到迁移率以及陷阱俘获时间和释放时间的方法_南京大学_202511409335.3
    本发明公开一种基于自动拟合算法由半导体飞行时间(ToF)电流得到迁移率以及陷阱俘获时间和释放时间的方法，包括以下步骤：读取实验测得的半导体ToF电流数据，并进行预处理；初始化样品参数并设定迁移率及各陷阱俘获时间和释放时间的拟合范围；基于全局...
    2026-05-09
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