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  • 本申请公开了一种发光组件及其制备方法、显示基板,涉及显示技术领域。发光组件包括第一基板,色转单元以及第一发光单元。色转单元包括色转部和介质膜层,通过设置色转部来转换光线,而色转部转换后的光线的发光峰位的稳定性较高,因此将发光组件应用在显示基...
  • 本发明属于照明灯技术领域,公开了一种免引脚粘胶的LED灯具及制备方法,其中免引脚粘胶的LED灯具包括透镜组件、引脚组件和支架封装组件;所述支架封装组件包括支架部和封装部,所述引脚组件设置在所述支架部上,所述封装部设置在所述支架部上,且所述封...
  • 本发明公开了一种显示面板及显示装置,显示面板包括衬底、发光元件层、连接走线、隔热层以及第一散热层,发光元件层位于衬底的一侧;连接走线包括第一走线分部,第一走线分部位于衬底远离发光元件层的一侧;连接走线包括第一连接走线和第二连接走线,第一连接...
  • 一种车标灯的光源组件及其制作方法、车标灯, 涉及车标灯技术领域;车标灯的光源组件包括:驱动基板,所述驱动基板包括驱动电路,所述驱动基板的正面设有发光区域;多颗发光芯片,设于所述驱动基板上,且位于所述发光区域内,与所述驱动电路电连接;透明胶层...
  • 本申请提供一种MIP芯片结构及其制备方法、显示面板,其中,MIP芯片结构包括:基板,包括相对设置的第一表面和第二表面,基板上设置有多个通孔,通孔内填充导电柱;第一黑色膜层,位于第一表面上,第一黑色膜层设有多个开口;多个发光芯片,位于开口内;...
  • 本公开提供了一种发光面板及发光面板制备方法。所述发光面板包括:驱动基板、多个发光单元、电极结构和取光结构;所述多个发光单元位于所述驱动基板上,每个所述发光单元的一侧分别与所述驱动基板电连接;所述电极结构为具有多个单元格的网状金属墙结构,所述...
  • 显示装置包括:基板,该基板包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域;设置在基板上的缓冲层,在显示区域中设置在缓冲层上的多个第1‑1连接线;像素驱动电路,该像素驱动电路设置在多个第1‑1连接线上,并且包括主体、设置在主体的底表面上的多个电路焊盘...
  • 根据本公开内容的一个或更多个实施方式的显示装置包括:包括显示区域和非显示区域的基板;在基板上的显示区域处的像素驱动电路;在像素驱动电路上方的绝缘层;在绝缘层上方彼此间隔开并且电连接至像素驱动电路的多个发光器件;以及电连接至多个发光器件并且接...
  • 本发明提供一种显示装置及其制造方法。显示装置包含:电路衬底;发光单元,设置于电路衬底上,发光单元包含第一发光单元和第二发光单元;以及集光结构,包含第一集光结构和第二集光结构,第一集光结构对应于第一发光单元,第二集光结构对应于第二发光单元;在...
  • 本发明公开了一种光源组件、背光模组和显示装置,涉及彩色LED领域,其中,光源组件包括支架结构、至少三个同色的发光晶片以及两个光转化部。支架结构形成有至少三个容纳槽,至少三个同色的发光晶片至少三个发光晶片对应至少三个容纳槽设置,至少三个发光晶...
  • 本发明涉及半导体发光技术领域,公开了一种分区配光的多色光源器件,其包括支架和设于支架上的发光芯片、透光胶层、透镜和光学隔离腔。发光芯片至少包括第一发光芯片和第二发光芯片。透光胶层覆盖发光芯片。透镜覆盖透光胶层。光学隔离腔为透镜向内部凹陷的空...
  • 本申请涉及一种显示芯片转移方法、装置、驱动背板和显示面板。所述方法包括:将临时基板上的显示芯片与设置有黑色阻挡层的驱动背板进行对位,并将所述显示芯片的芯片电极与所述驱动背板的接收电极接触;所述驱动背板的接收电极位于所述黑色阻挡层的开口内,所...
  • 本申请涉及一种陶瓷LED灯的覆膜工艺及陶瓷LED灯,该覆膜工艺包括如下步骤:在荧光膜表面涂覆有第一胶层并进行初步固化处理,得到带有半固化胶层的荧光膜;对所述带有半固化胶层的荧光膜进行激光切割,得到多个与陶瓷基板的LED芯片相匹配的荧光膜单元...
  • 本申请公开了一种基板的修复方法、系统、设备及计算机可读存储介质,修复方法包括:获取待修复的目标基板上存在缺陷的目标元件的位置信息以及缺陷种类;根据缺陷种类,确定与目标元件相匹配的修复参数;根据位置信息,在目标基板上对目标元件进行定位;在定位...
  • 本公开提供了一种发光芯片。本公开的发光芯片包括发光功能部。发光功能部包括第一半导体层、发光层和第二半导体层。第一半导体层包括第一面、第二面和第一侧壁;发光层包括第三面、第四面和第二侧壁;第二半导体层包括第五面、第六面和第三侧壁。发光芯片还包...
  • 本申请提供一种电极结构、LED芯片及其制作方法,电极结构包括第一导电层和第二导电层;第一导电层具有带缺口的围坝,缺口位于围坝的外边缘;围坝的厚度从其外边缘向内减小形成向缺口引流的导流壁;第二导电层层叠于第一导电层的导流壁上;第一导电层的硬度...
  • 本发明实施例公开了一种发光芯片及其制备方法,通过在相邻发光单元的隔离沟道的底部,设置与第一半导体层对应的本征半导体层材料相同的剥离功能层,使得发光单元与衬底的接触界面以及相邻发光单元之间的隔离沟道处与衬底的接触界面的材料相接近,从而使得剥离...
  • 本发明涉及一种红光垂直芯片组件及其制作方法。其中红光垂直芯片组件制作方法包括:提供一外延片,所述外延片包括衬底以及依次沉积在所述衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层,所述第二半导体层的表面掺杂有掺杂元素;于所述第二半导体层上蒸镀一层透...
  • 本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。所述发光二极管包括:外延保护结构、外延结构、第一电极和第二电极;所述第一电极和所述第二电极分别与所述外延结构连接;所述外延保护结构为杯状结构,所述外延结构位于所述外延保护结构的开口内,所述外延...
  • 本发明提供一种垂直结构LED芯片及其制备方法,其芯片从下到上依次包括导电基板、键合金属层、反射层、电流阻挡层、外延层和N电极,外延层为台面结构;电流阻挡层由互不相连的中间区域电流阻挡层和边缘区域电流阻挡层组成;中间区域电流阻挡层与N电极在导...
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