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最新专利技术
  • 一种AlBN纳米晶薄膜及其制备方法
    一种AlBN纳米晶薄膜及其制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202512013904.9
    本发明提供了一种AlBN纳米晶薄膜及其制备方法。所述制备方法包括：在衬底表面形成三元非晶AlBN薄膜；将表面形成有所述三元非晶AlBN薄膜的衬底置于电子显微镜或者激光直写系统配备的显微镜的视野中，采用电子显微镜自带的电子束或者激光直写系统的...
    2026-04-10
  • 一种Cr2Se3单晶及其制备方法
    一种Cr2Se3单晶及其制备方法_宁波大学_202610243250.0
    本发明提供一种Cr2Se3单晶及其制备方法，涉及晶体材料技术领域。所述Cr2Se3单晶制备方法从原料配比、熟粉制备到单晶生长工艺各步骤协同配合抑制杂质引入与杂相生成，同时促进原子有序排列、消除晶格空位与位错，制备出单相性好、结晶度高、缺陷密...
    2026-04-10
  • 一种气相沉积法制备P型碳化硅晶体的工艺及装置
    一种气相沉积法制备P型碳化硅晶体的工艺及装置_苏州冠岚新材料有限公司_202512021082.9
    本发明公开了一种气相沉积法制备P型碳化硅晶体的工艺及装置，涉及碳化硅晶体制备技术领域。该气相沉积法制备P型碳化硅晶体的装置，所述装置包括反应腔，所述反应腔外壁固定连接有送气机构，所述反应腔顶部活动连接有出料机构，所述反应腔底部固定连接有排气...
    2026-04-10
  • 一种碳包覆磷酸钛钠纳米材料及其制备方法
    一种碳包覆磷酸钛钠纳米材料及其制备方法_贲安能源科技(上海)有限公司_202511740229.3
    本发明涉及一种碳包覆磷酸钛钠纳米材料及其制备方法，属于钠离子电池技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：S1、将钠源、钛磷源和补充剂混合均匀后，进行煅烧处理，得到单晶型磷酸钛钠；钛磷源选自磷酸钛和/或焦磷酸钛；S2、将单晶型磷酸钛钠与碳源进...
    2026-04-10
  • 一种片状氧化铝及其制备方法
    一种片状氧化铝及其制备方法_中国石油化工股份有限公司_202411365506.2
    本发明公开一种片状氧化铝及其制备方法，片状氧化铝为四方片状，具有单晶结构，片状氧化铝的晶粒尺寸为300‑1300nm，晶粒厚度≤150nm。制备方法包括：将焙烧后的SB粉与季铵碱溶液在耐压容器中固液两相分离放置，在一定热处理条件下进行气固反...
    2026-04-10
  • 一种Ⅱ型红磷单晶片材料及其制备方法
    一种Ⅱ型红磷单晶片材料及其制备方法_东莞理工学院_202610052181.5
    本发明公开了一种Ⅱ型红磷单晶片材料及其制备方法，属于红磷制备技术领域，本发明以红磷和矿化剂为前驱体升温反应，通过矿化剂诱导红磷升华得到的红磷气体分子结构的定向转变，再以两个降温阶段的准确调控，使红磷气体分子发生结构重组和转化，制备得到特征尺...
    2026-04-10
  • 一种MPCVD法单晶金刚石籽晶的复制方法
    一种MPCVD法单晶金刚石籽晶的复制方法_超硬材料产业技术研究院_202610108919.5
    本发明公开了一种MPCVD法单晶金刚石籽晶的复制方法，包括以下步骤：(1)将质量较差的单晶金刚石籽晶先进行预处理；(2)将钼基片台置于MPCVD设备的沉积腔内并将预处理后的单晶金刚石籽晶摆在钼基片台上沉积；(3)沉积完成后进行退火刻蚀，降温...
    2026-04-10
  • 一种梯度硼掺杂单晶金刚石及其制备方法
    一种梯度硼掺杂单晶金刚石及其制备方法_西安交通大学_202511956129.4
    本发明公开了一种梯度硼掺杂单晶金刚石及其制备方法，在金刚石衬底上生长本征层；采用微波等离子体化学沉积法在本征层上依次生长三层硼掺杂单晶金刚石层；对每次生长后的硼掺杂单晶金刚石层进行原位退火处理，得到梯度硼掺杂单晶金刚石；本发明在生长完每层后...
    2026-04-10
  • 外延设备大盘平面调整方法及装置
    外延设备大盘平面调整方法及装置_杭州昆元量子科技有限公司_202511880131.8
    本发明涉及半导体技术领域，提供一种外延设备大盘平面调整方法及装置，该方法包括：S1：获取大盘中各参考点的初始高度；S2：获取各螺栓单独调整预定圈数后各参考点的参考高度，并基于预定圈数、各参考点的参考高度和对应的初始高度确定响应矩阵；S3：得...
    2026-04-10
  • 半导体工艺设备
    半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411366182.4
    本申请公开一种半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域，半导体工艺设备包括护壁、上罩体和进气件，所述护壁环绕设置于用以承载晶圆的承载件之外，所述进气件设置于所述护壁的外侧，所述进气件设有清洁气体通道，所述护壁朝向所述进气件的一侧设有第一导流斜...
    2026-04-10
  • 一种晶圆承载装置及半导体成膜装置
    一种晶圆承载装置及半导体成膜装置_中微半导体(上海)有限公司_202411383469.8
    本发明公开了一种晶圆承载装置及半导体成膜装置，所述晶圆承载装置包括：包括旋转筒和托盘，旋转筒包括分体式连接的本体和上盖；本体包括筒体部和沿筒体部的径向向内延伸的承载部，承载部位于筒体部上方，承载部包括承载面和环绕承载面的延伸面；托盘设置在承...
    2026-04-10
  • 一种MgGa2O4外延薄膜及其制备方法
    一种MgGa2O4外延薄膜及其制备方法_山东大学_202512012161.3
    本发明涉及半导体技术领域，具体为一种MgGa2O4外延薄膜及其制备方法，包括如下步骤：将衬底清洗后放置在反应腔室内；配制乙酰丙酮镓溶液；向乙酰丙酮镓溶液中加入四水合乙酸镁，配制浓度为0.3mol/L的MgGa2O4前驱体溶液，MgGa2O4...
    2026-04-10
  • 半导体处理系统及相关方法
    半导体处理系统及相关方法_ASMIP私人控股有限公司_202511386620.8
    公开了用于通过等离子体增强化学气相沉积在衬底上沉积外延层的半导体处理系统。半导体处理系统包括室主体、布置在室内部内的衬底支撑件以及配置用于在室内部内产生反应性物质的等离子体产生装置。还公开了通过等离子体增强化学气相沉积过程在衬底上沉积外延层...
    2026-04-10
  • 一种生长二维二硒化钯的方法和利用其制备的场效应晶体管
    一种生长二维二硒化钯的方法和利用其制备的场效应晶体管_深圳大学_202512025633.9
    本发明属于二维材料技术领域，公开了一种生长二维二硒化钯的方法和利用其制备的场效应晶体管。该方法，包括以下步骤：S1、称取Se粉和PdI2粉，放置于石英管的源区，将衬底置于石英管的生长区，控制衬底与石英管的颈部的距离为4‑7cm；将石英管内抽...
    2026-04-10
  • 用于生长P型碳化硅衬底的长晶装置、生长P型碳化硅衬底的方法和P型碳化硅衬底
    用于生长P型碳化硅衬底的长晶装置、生长P型碳化硅衬底的方法和P型碳化硅衬底_甬江实验室_202511872484.3
    本申请公开了用于生长P型碳化硅衬底的长晶装置、生长P型碳化硅衬底的方法和P型碳化硅衬底。用于生长P型碳化硅衬底的长晶装置包括：坩埚，坩埚包括主体和盖体；空心柱体基座，位于坩埚内，用于放置第一P型碳化硅原料；搁板，位于空心柱体基座上，用于放置...
    2026-04-10
  • 一种金属卤化物单晶膜的生长方法及应用
    一种金属卤化物单晶膜的生长方法及应用_华东理工大学_202511658995.5
    本发明提供了一种金属卤化物单晶膜的生长方法，先在金属卤化物单晶衬底表面沉积一层具有正交溶解特性共混聚合物薄膜作为牺牲层，经溶剂处理形成自图案化软模板；然后将目标外延物的前驱体溶液涂布于聚合物层之上，在经历成核、横向生长和晶粒合并后形成均匀致...
    2026-04-10
  • 一种钙钛矿单晶异质结外延生长的方法
    一种钙钛矿单晶异质结外延生长的方法_光子探索科技(香港)有限公司_202511662322.7
    本发明公开了一种钙钛矿单晶异质结外延生长的方法。该方法通过选择特定溶质的饱和酸性溶液，在不同种类的钙钛矿层上进行异质外延，柔性改变衬底表面母层钙钛矿晶格结构，缓解由于异质外延所导致的异质结处晶格突变引起的晶格失配问题，降低异质结处材料缺陷密...
    2026-04-10
  • 一种促进大面积钙钛矿单晶均匀外延生长的方法
    一种促进大面积钙钛矿单晶均匀外延生长的方法_光子探索科技(香港)有限公司_202511662318.0
    本发明公开了一种促进大面积钙钛矿单晶均匀外延生长的方法，包括以下步骤：步骤1：卤化物衬底溶剂刻蚀处理：将卤化物衬底置入溶剂中，并进行加热对卤化物衬底进行热处理，改变衬底表面微观结构；步骤2：将经过溶剂刻蚀处理的衬底浸泡在钙钛矿单晶生长溶液中...
    2026-04-10
  • 一种大面积超薄钙钛矿单晶及其制备方法
    一种大面积超薄钙钛矿单晶及其制备方法_光子探索科技(香港)有限公司_202511662315.7
    本发明提供了一种大面积超薄钙钛矿单晶的制备方法，包括：S1：获取钙钛矿籽晶；S2：将步骤S1的钙钛矿籽晶置入第一溶剂中，并加热对钙钛矿籽晶进行热处理，改变表面微观结构；S3：将处理后的钙钛矿籽晶放置在玻璃容器中，依次加入第二溶剂和钙钛矿前驱...
    2026-04-10
  • 单晶直径控制方法、装置及系统
    单晶直径控制方法、装置及系统_内蒙古中环领先半导体材料有限公司_202610018366.4
    本申请公开了一种单晶直径控制方法、装置及系统，属于半导体领域，该方法包括获取单晶的当前直径；基于当前直径、单晶的目标直径以及预先构建的电流计算模型，确定目标电流，电流计算模型用于表征直径差值与电流的映射关系；控制电流生成装置向单晶的固液界面...
    2026-04-10
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