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最新专利技术
  • 基于墨量优化的双面喷墨打印方法、装置及设备
    基于墨量优化的双面喷墨打印方法、装置及设备_苏州市森泓技术有限公司_202510489376.1
    本发明公开了一种基于墨量优化的双面喷墨打印方法、装置及设备，涉及喷墨打印技术领域。该方法基于一个驱动机构驱动第一打印小车和第二打印小车在同一打印高度同步相向或反向运动实现对打印介质正反两面同时打印，相对于现有的双面喷墨打印技术不需要等待墨水...
    2025-07-19
  • 用于生产无定形二氧化硅-结晶二氧化硅的热共混材料的方法，用于在真空环境中通过压振法由该材料生产人造石的方法和由该方法获得的人造石产品
    用于生产无定形二氧化硅-结晶二氧化硅的热共混材料的方法，用于在真空环境中通过压振法由该材料生产人造石的方法和由该方法获得的人造石产品_A&A绿色凤凰集团股份有限公司_202480004532.4
    本发明涉及用于由含有二氧化硅的材料(例如砂、方石英、碎玻璃、来自生产人造石的方法的废岩石粉末/毛刺、来自天然石英石的开采和加工的废产物和副产物)生产无定形二氧化硅‑结晶二氧化硅的热共混材料(热共混二氧化硅‑PheniSilicTM...
    2025-07-19
  • 一种粉煤灰制备TS-1沸石分子筛的方法
    一种粉煤灰制备TS-1沸石分子筛的方法_新疆大学_202410480753.0
    本发明公开了一种粉煤灰制备TS‑1沸石分子筛的新方法，步骤如下：将粉煤灰与无水碳酸钠（Na2CO3）按照一定比例进行混合研磨、焙烧一定时间后得到霞石（NaAlSiO4）。将霞...
    2025-07-19
  • 一种罗布麻黄酮类化合物的提取方法
    一种罗布麻黄酮类化合物的提取方法_新疆大学_202410480840.6
    本发明公开了一种提取罗布麻黄酮类化合物的新方法，步骤如下：将粉碎过60目筛的罗布麻粉末与一定浓度的乙醇混合，放入高温高压反应釜中，在一定温度压力下反应。反应完成后冷却盘管接通冷水为反应釜降温，待热电偶温度计显示温度低于乙醇常压沸点后，放压，...
    2025-07-19
  • 增压加热浓缩咖啡机
    增压加热浓缩咖啡机_啡乐实业公司_202410467705.8
    一种浓缩咖啡机可以包括泵、预热部件、低容积煮器和组头。泵可以向预热部件提供加压水，该预热部件将加压水预热至第一温度并输送经预热的水。低容积煮器可以具有加热布置、进水口、内部容积和出水口，并且可以接收经预热的水，将经预热的水加热至等于或大于第...
    2025-07-19
  • 气体泄漏检测装置
    气体泄漏检测装置_现代自动车株式会社_202410442622.3
    一种示例性气体泄漏检测装置，其包括：末端头部部分，具有球形形状；末端连接部分，配置成与末端头部部分连通并且能连接到氢检测管线；基准检测孔，设置在末端头部部分的基于末端连接部分的纵向方向而言的端部处；以及周边检测孔，设置在末端头部分中且与基准...
    2025-07-19
  • 车身
    车身_现代自动车株式会社_202410421533.0
    本发明提供一种车身，车身可以包括连接到侧梁以提高车身的横向刚度的加强材料，从而提高了碰撞性能。车身可以包括侧梁、轨道加强件以及加强结构，侧梁具有进入孔，所述进入孔配置为使得用于滑动车门的轨道单元进入车身的内侧；轨道加强件成形为在车身的与进入...
    2025-07-19
  • 中子源靶基板表面结构及其激光表面处理构建方法
    中子源靶基板表面结构及其激光表面处理构建方法_华硼中子科技(杭州)有限公司_202410414524.9
    本发明涉及医疗器械领域，公开了中子源靶基板表面结构及其激光表面处理构建方法。该基板的表面设有呈波纹状平行沟槽；平行沟槽的表面分布有孔。该构建方法包括：采用激光器对中子源靶基板进行激光表面处理；其中：采用平行的激光扫描方式，激光功率为0‑20...
    2025-07-19
  • 一种太阳能发电系统分级运行控制方法
    一种太阳能发电系统分级运行控制方法_申鹏_202510417135.6
    一种分级太阳能系统运行控制方法，归类光伏发电系统，大功率多路输出电路，分优先级别，来稳定整个系统，功率和电压会在一个范围内波动，但是电压会被限制在一个可用的范围内，可以单独配合光伏板使用，也可以配市电使用，输出功率可达90%以上，长时间稳定...
    2025-07-19
  • 水电解催化剂、其制备方法及使用该催化剂的膜电极组件
    水电解催化剂、其制备方法及使用该催化剂的膜电极组件_现代自动车株式会社_202410403095.5
    本发明提供了水电解催化剂、其制备方法及使用该催化剂的膜电极组件。实施方案水电解催化剂包括含金红石相的铱氧化物和含六方相的铱‑镍氧化物。实施方式制备水电解催化剂的方法包括制备包含铱前体、镍前体和半胱胺盐酸盐的混合物，干燥混合物，研磨干燥的混合...
    2025-07-19
  • 一种利用电解预处理基体获得高质量靶材中间层的方法
    一种利用电解预处理基体获得高质量靶材中间层的方法_华硼中子科技(杭州)有限公司_202410382210.5
    本发明涉及表面工程技术领域，公开了一种利用电解预处理基体获得高质量靶材中间层的方法，包括：S1：将阴极、作为阳极的基体浸入酸液中，进行电解预处理；S2：对S1所得基体进行表面清洁以去除残留的酸和有机污染物，干燥；S3：于S2所得基体表面镀膜...
    2025-07-19
  • 一种制冷式吸油烟机及其控制方法
    一种制冷式吸油烟机及其控制方法_宁波方太厨具有限公司_202410376105.0
    一种制冷式吸油烟机及其控制方法，机壳内部安装有吸油烟组件和空气调节组件，吸油烟组件包括风机架和吸油烟风机，空气调节组件包括压缩机、冷凝器、蒸发器和内机风机，冷凝水通过第一水管流入第一水盒，第一水盒中的冷凝水通过第二水管输送至冷凝器上，冷凝器...
    2025-07-19
  • 形成半导体结构的方法
    形成半导体结构的方法_南亚科技股份有限公司_202410374081.5
    一种形成半导体结构的方法包括依序形成半导体层与金属层于在半导体基板上的第一介电层上：形成第二介电层于金属层的一部分上；形成硼磷硅玻璃层于第二介电层上；蚀刻金属层与半导体层；形成第一间隔层于半导体层的侧壁、金属层的侧壁、第二介电层的侧壁及硼磷...
    2025-07-19
  • 电池组
    电池组_株式会社LG新能源_202480003116.2
    公开了一种电池模块。根据本公开的实施例的电池模块可以包括：壳体，其中具有空间并且在其上表面上形成有第一排气孔；多个电池单体，设置在壳体的内部；第一盖，配置为覆盖壳体的上表面，并且具有面对第一排气孔的第二排气孔；以及第二盖，配置为覆盖第一盖，...
    2025-07-19
  • 具有腐蚀诊断的接触型电导率传感器
    具有腐蚀诊断的接触型电导率传感器_罗斯蒙特公司_202410357602.6
    提供了一种接触型电导率传感器。该传感器包括被配置为接触液体的第一电极、以及被配置为接触液体的第二电极。第二电极具有第一端和第二端。第一导体耦接到第一电极，第二导体耦接到第二电极的第一端，并且第三导体耦接到第二电极的第二端。该接触型电导率传感...
    2025-07-19
  • 活性炭除臭片和过滤器
    活性炭除臭片和过滤器_东洋纺艾睦希株式会社_202480004722.6
    本发明提供一种活性炭除臭片，其从活性炭发出的气味少，并且能够有效地除去有害气体。本发明的活性炭除臭片通过在第一基材层与第二基材层之间夹持含水溶性高分子的活性炭而构成，所述含水溶性高分子的活性炭包含活性炭和水溶性高分子，水溶性高分子的构成单体...
    2025-07-19
  • 纳米复合材料及其制备方法和应用
    纳米复合材料及其制备方法和应用_香港理工大学_202410353976.0
    本申请涉及抗菌材料技术领域，尤其涉及一种纳米复合材料及其制备方法和应用。该纳米复合材料包括纳米结构无机材料以及接枝在纳米结构无机材料表面的亲水有机聚合物分子，亲水有机聚合物分子在纳米结构无机材料表面能诱发毛细凝聚现象。本申请实施例的纳米复合...
    2025-07-19
  • 具有脉冲跳跃的切换模式电力转换器及其控制方法
    具有脉冲跳跃的切换模式电力转换器及其控制方法_达尔科技股份有限公司_202410346391.6
    本申请案涉及具有脉冲跳跃的切换模式电力转换器及其控制方法。一种控制电路耦合到具有输入电压VIN及输出电压VOUT的电力转换器。所述控制电路包含连接在电流源与接地之间的电容器。所述电流源经配置以在所...
    2025-07-19
  • 一种加速器中子源靶系统的复合中间层、制备方法及其应用
    一种加速器中子源靶系统的复合中间层、制备方法及其应用_华硼中子科技(杭州)有限公司_202410343451.9
    本发明涉及医疗器械领域，公开了一种加速器中子源靶系统的复合中间层、制备方法及其应用。该复合中间层位于加速器中子源靶系统的作用层和基底之间，包括交错层叠的至少一层应力缓解层和至少一层抗氢脆层；位于最底层的应力缓解层设于基底上表面，位于最顶层的...
    2025-07-19
  • 半导体元件及其制备方法
    半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202410343554.5
    本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板；以及一第一字元线结构，其包括：位于该基板中且包括一U‑形剖面轮廓的一第一字元线介电层、位于该第一字元线介电层上且被该第一字元线介电层横向包围的一第一底部导电层、位于该第一底部导电...
    2025-07-19
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