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最新专利技术
  • 基于BLE的设备批量配置方法、系统、设备及存储介质
    基于BLE的设备批量配置方法、系统、设备及存储介质_北京邮电大学_202510544419.1
    本发明公开了一种基于BLE的设备批量配置方法、系统、设备及存储介质，涉及信息安全技术领域。本发明为了实现服务端可以批量给客户端进行数据写入和配置，首先在连接时二者会先根据服务UUID进行基础认证，判断是否为同一系列设备；若为同一系列设备，再...
    2026-02-18
  • 基于软件定义网络的安全资源调度方法、软件定义网络和介质
    基于软件定义网络的安全资源调度方法、软件定义网络和介质_新疆科技学院_202510545965.7
    本发明属于网络安全技术领域，本发明提供了一种基于软件定义网络的安全资源调度方法、软件定义网络和介质，首先获取当前时段的当前流表信息、当前切片资源状态信息和当前切片负载信息；然后以此确定目标时段的目标流表信息、目标切片资源状态信息和目标切片负...
    2026-02-18
  • 一种通信方法、设备、存储介质及程序产品
    一种通信方法、设备、存储介质及程序产品_中兴通讯股份有限公司_202510553520.3
    本申请实施例提供一种通信方法、设备、存储介质及程序产品，涉及通信技术领域，可以确保环境物联网的命令业务顺利执行。该方法应用于无线通信设备，包括：接收来自网络节点的读取器到设备寻呼消息，读取器到设备寻呼消息包括寻呼标识信息；向网络节点发送设备...
    2026-02-18
  • 基于智能反射面的地下物联网架构时频能资源分配系统
    基于智能反射面的地下物联网架构时频能资源分配系统_北京邮电大学_202510547799.4
    本发明公开了一种基于智能反射面的地下物联网架构时频能资源分配系统，所属领域为资源分配领域，包括：本发明通过联合分布式能量接入点和RIS设计了面向地下空间的频分双工物联网架构。为实现信道资源和能量资源的高效利用，基于该物联网架构，本发明将资源...
    2026-02-18
  • 一种超视距无线通信智能快速建链的方法
    一种超视距无线通信智能快速建链的方法_南京源兴智达信息科技有限公司_202510546370.3
    本发明属于无线通信技术领域，具体涉及一种超视距无线通信智能快速建链的方法。该发明通过对通信环境进行多维度分析，结合信号覆盖盲区、频段稳定性以及身份认证等多个关键环节，实现了超视距无线通信的智能快速建链，首先通过对通信环境中的电磁干扰强度、障...
    2026-02-18
  • 一种多无人机组网的频谱资源分配与功率控制方法及系统
    一种多无人机组网的频谱资源分配与功率控制方法及系统_中国人民解放军国防科技大学_202510549216.1
    本发明涉及一种多无人机组网的频谱资源分配与功率控制方法及系统。所述方法包括：构建通信资源分配模型。将U2U通信链路的动态观测值作为智能体，每个智能体通过通信资源分配模型采用马尔可夫决策算法生成的局部观测函数进行集中学习，根据当前迭代步智能体...
    2026-02-18
  • 无线算力网络动态任务智能调度方法
    无线算力网络动态任务智能调度方法_电子科技大学长三角研究院(衢州)_202510544609.3
    本发明公开一种无线算力网络动态任务智能调度方法，应用于算力资源调度领域，针对当前对于算力网络的研究大多是面向有线数据中心的大型算力网络，难以应对现在广泛存在的无线环境下的计算需求的问题；本发明根据无线算力网络中任务的上下行传输时间、计算等待...
    2026-02-18
  • 一种自适应的无人集群MAC层混合组网方法
    一种自适应的无人集群MAC层混合组网方法_哈尔滨工业大学_202510545913.X
    一种自适应的无人集群MAC层混合组网方法，它属于无线通信技术领域。本发明解决了现有方法难以适应节点数量的动态变化，当节点数量大时分配时隙存在困难，当部分节点通信业务量大时容易频繁产生拥塞冲突和信道资源浪费的问题。本发明通过设计协议帧结构，将...
    2026-02-18
  • 一种基于DQRA-MIMO系统的冲突解决方法
    一种基于DQRA-MIMO系统的冲突解决方法_北京智芯微电子科技有限公司_202510544831.3
    本发明公开了一种基于DQRA‑MIMO系统的冲突解决方法，包括如下步骤：步骤一：用户首次接入时，随机选择时隙发送接入请求序列，基站反馈时隙竞争结果，根据所述时隙竞争结果估计用户总数；步骤二：基于估计用户总数，最大化资源利用率以确定最佳资源数...
    2026-02-18
  • 一种键盘背光亮度校准方法
    一种键盘背光亮度校准方法_苏州中科光聚技术有限公司_202510544893.4
    本发明公开了一种键盘背光亮度校准方法，涉及键盘背光技术领域，所述键盘背光亮度校准方法包括如下步骤：通过控制芯片接收控制信号，并识别出与LED芯片对应的发光信息，所述发光信息包括发光亮度；所述控制芯片根据与所述LED芯片对应的补偿系数生成补偿...
    2026-02-18
  • 车灯控制方法、装置、设备、存储介质及程序产品
    车灯控制方法、装置、设备、存储介质及程序产品_重庆长安汽车股份有限公司_202510549117.3
    本发明涉及一种车灯控制方法、装置、设备、存储介质及程序产品，具体涉及车辆控制技术领域。该方法包括：获取车灯控制信号在多个预设时刻的电平，可以将其编码为多位数值的控制参数，并可以根据控制参数选择相应的动画进行播放。预设时刻的电平为高电平或低电...
    2026-02-18
  • 一种高速柔板印刷基膜加工装置及方法
    一种高速柔板印刷基膜加工装置及方法_宿迁市金田塑业有限公司_202510542446.5
    本发明属于柔板印刷基膜技术领域，具体的说是一种高速柔板印刷基膜加工装置及方法，包括运载台，所述运载台上设置有电动导轨，所述电动导轨上滑动设置有滑动杆，所述滑动杆上固定安装有装载座，所述装载座上固定设置有多个定位架，所述定位架上一体成型有定位...
    2026-02-18
  • 一种防弯折的组合式线路板
    一种防弯折的组合式线路板_深圳市芯林微科技有限公司_202510546871.1
    本发明公开了一种防弯折的组合式线路板，涉及线路板技术领域。本发明包括安装壳、线路板主体和四个斜面杆，四个所述斜面杆分别固定在安装壳的内壁左侧和右侧，所述线路板主体滑动安装在相邻的斜面杆之间，还包括防弯折装置；其中，防弯折装置包括两个防护板、...
    2026-02-18
  • 一种高电容密度的三维电容结构及其制备方法
    一种高电容密度的三维电容结构及其制备方法_上海芯旺微电子技术股份有限公司_202510547296.7
    本发明公开了一种高电容密度的三维电容结构及其制备方法，属于电力电子元件技术领域。包括：在基板上采用生长工艺形成深槽或者柱状结构作为电容的基础结构，并在此基础结构上沉积金属层‑绝缘层‑金属层结构形成电容，其中金属层作为电容的极板，绝缘层作为电...
    2026-02-18
  • 一种高电容密度的三维电容结构及其制备方法
    一种高电容密度的三维电容结构及其制备方法_上海芯旺微电子技术股份有限公司_202510547307.1
    本发明公开了一种高电容密度的三维电容结构及其制备方法，属于电力电子元件技术领域。包括：在基板表面沉积多层金属层‑绝缘层‑金属层结构形成电容，其中金属层作为电容的极板，绝缘层作为电容的介质层；并且不同金属层间通过绝缘层之间的环形通孔或者通孔阵...
    2026-02-18
  • 一种基于二维晶圆级材料的抗辐照晶体管设计
    一种基于二维晶圆级材料的抗辐照晶体管设计_鲸鹏二维半导体科技(绍兴)有限公司_202510544407.9
    本发明属于集成电路技术领域，具体为一种基于晶圆级二维材料的抗辐照射频晶体管设计。本发明射频晶体管的结构包括：单层晶圆级二维半导体沟道材料、二维介质层及金属层。利用二维材料不受高能粒子辐照影响的特性和抗辐照高阻的蓝宝石衬底，提高射频器件的抗辐...
    2026-02-18
  • 基于非极性m面的氮化物CMOS器件及其制备方法
    基于非极性m面的氮化物CMOS器件及其制备方法_西安电子科技大学_202510548529.5
    本发明公开了一种基于非极性m面的氮化物CMOS器件，包括：衬底、非极性m面GaN层、AlGaN层、漏电极、栅电极、源电极；其中，GaN层位于衬底上，且中间刻蚀有一凹槽；AlGaN层设置在凹槽的左右侧壁上；其中，位于凹槽左侧壁上的AlGaN层...
    2026-02-18
  • 一种防飓风发电节能玻璃
    一种防飓风发电节能玻璃_信义玻璃(江苏)有限公司_202510544878.X
    本发明涉及玻璃制造技术领域，具体地说是一种防飓风发电节能玻璃，包括钢化均质玻璃，所述钢化均质玻璃上端设置有碲化镉发电芯片、中间隔离层以及钢化玻璃基层，所述中间隔离层包括第一中间隔膜和第二中间隔膜；钢化均质玻璃和钢化玻璃基层组成的复合层可满足...
    2026-02-18
  • 一种N-TOPCON电池的制备方法及电池结构
    一种N-TOPCON电池的制备方法及电池结构_淮安捷泰新能源科技有限公司_202510549703.8
    本发明公开了一种N‑TOPCON电池的制备方法及电池结构，属于太阳能电池片生产技术领域，包括制绒、硼扩散掺杂、碱抛、形成SiO层和N+多晶硅层、RCA清洗、ALD氧化铝薄膜、沉积氮化硅薄膜、丝网印刷、烧结、光注入；ALD氧化铝薄膜是采用原子...
    2026-02-18
  • 一种背面局部掺杂的TBC电池及其制备方法
    一种背面局部掺杂的TBC电池及其制备方法_淮安捷泰新能源科技有限公司_202510549826.1
    本发明公开了一种背面局部掺杂的TBC电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域，包括背面具有高度差的衬底，衬底为N型或P型硅基底，衬底正面由内到外依次设有正面钝化层和正面减反射层，衬底背面设有隧穿氧化层，隧穿氧化层下方依次设有掺杂层、背面钝化...
    2026-02-18
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