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最新专利技术
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411180125.7
    本发明提供一种能够抑制电流崩塌发生的半导体装置。实施方式涉及的半导体装置具备第1半导体层、第2半导体层、第1电极、第2电极、栅极电极和第3半导体层。第1半导体层含有Alx1Ga1‑x1N(0≤x1＜1)。第2半导体层含有Alx2Ga1‑x2...
    2025-11-20
  • 一种场限环终端结构、制作方法和半导体功率器件
    一种场限环终端结构、制作方法和半导体功率器件_江苏索力德普半导体科技有限公司_202510991098.X
    本发明涉及一种场限环终端结构、制作方法和半导体功率器件， 所述场限环终端结构包括外延层， 所述外延层的上端设有主结和主结外侧的预设数量的场限环；场限环通过离子注入和退火工艺制成， 退火前， 最内侧的场限环与主结接触， 各个场限环相对主结的距...
    2025-11-20
  • 在半导体器件中形成SIC/栅极电介质界面层的方法
    在半导体器件中形成SIC/栅极电介质界面层的方法_英飞凌科技股份有限公司_202510445902.4
    在半导体器件中形成SIC/栅极电介质界面层的方法。本文中， 形成半导体器件的方法可以包括在其表面处形成包括碳化硅的半导体衬底， 通过移除氧化物种、碳簇或其他污染物来清洁半导体衬底的表面区域， 以及在半导体衬底的清洁表面上方形成电介质层。所述...
    2025-11-20
  • 采用高K金属栅的MOS管栅极形成系统
    采用高K金属栅的MOS管栅极形成系统_深圳世源微半导体有限公司_202510965890.8
    本发明涉及半导体制造技术领域， 公开了采用高K金属栅的MOS管栅极形成系统。系统的材料沉积调控模块分析沉积均匀性与厚度稳定性匹配程度， 生成材料沉积控制参数集；界面处理优化模块基于该参数集调整腔体界面处理均衡性， 生成界面处理优化参数集；栅...
    2025-11-20
  • 栅极形成方法、半导体器件及电子设备
    栅极形成方法、半导体器件及电子设备_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511312427.X
    本申请涉及一种栅极形成方法、半导体器件及电子设备， 包括：提供衬底， 衬底上包括沿第一方向交替排列的多个层间介质层、多个栅沟槽；栅沟槽底部包括湿法刻蚀残留的第一离子；对衬底执行第一等离子体处理工艺， 同步清除第一离子并使得栅沟槽底部形成含第...
    2025-11-20
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511332055.7
    本发明提供了一种半导体器件的制备方法， 包括：提供衬底， 衬底包括高压区、源漏区和隔离区；形成氮化硅层覆盖衬底， 并刻蚀去除隔离区上至少部分厚度的氮化硅层；刻蚀去除高压区上部分厚度的氮化硅层， 刻蚀后高压区上的氮化硅层和源漏区上的氮化硅层具...
    2025-11-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_鸿海精密工业股份有限公司_202410425150.0
    一种半导体结构， 包括基板、在基板上的半导体层、在半导体层上的栅极结构、在栅极结构及半导体层上连续延伸且包括第一部分及第二部分的第一介电层、在第一介电层的至少第一部分上的蚀刻停止层、在蚀刻停止层上的第二介电层， 以及场板。场板包括在第二介电...
    2025-11-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_鸿海精密工业股份有限公司_202410425201.X
    一种半导体结构， 包括在基板上的半导体层、在半导体层上的栅极结构、在栅极结构及半导体层上连续延伸且包括在栅极结构的上表面上的第三部分、第一部分及相较第一部分更接近第三部分的第二部分的第一介电层、在至少第一部分上的蚀刻停止层、在蚀刻停止层上的...
    2025-11-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_鸿海精密工业股份有限公司_202410425240.X
    一种半导体结构， 包括在基板上的半导体层上的栅极结构；在栅极结构及半导体层上连续延伸且包括第一部分、第二部分及在栅极结构上表面上的第三部分及第四部分的第一介电层；在至少第一部分及第四部分上的蚀刻停止层上的第二介电层；及场板。场板包括第二介电...
    2025-11-20
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_旺宏电子股份有限公司_202410501178.8
    本发明提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括基底、第一栅极堆叠结构、第二栅极堆叠结构以及第三栅极堆叠结构。基底包括第一区、第二区与第三区。第一栅极堆叠结构位于所述第一区的所述基底上， 且包括第一栅极层以及第一栅极介电层。第二栅极堆...
    2025-11-20
  • 具有沟槽栅极的碳化硅器件
    具有沟槽栅极的碳化硅器件_英飞凌科技股份有限公司_202510445899.6
    具有沟槽栅极的碳化硅器件。一种碳化硅器件(500)包括从第一表面(101)延伸到碳化硅主体(100)中的条形沟槽栅极结构(150)， 栅极结构(150)沿着横向第二方向(292)被栅极结构(150)的第一栅极侧壁(151， 151’)和栅极...
    2025-11-20
  • 半导体装置与其制作方法
    半导体装置与其制作方法_南亚科技股份有限公司_202410935949.4
    一种半导体装置， 包含基板、设置在基板中的主动区、以及设置在主动区中的栅极结构。栅极结构包含下部导电层、设置在下部导电层上的上部导电层， 以及设置在上部导电层上的盖层。上部导电层的宽度小于下部导电层的宽度， 上部导电层的底部嵌入下部导电层中...
    2025-11-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410421438.0
    一种半导体结构及其形成方法， 其中结构包括：衬底， 所述衬底包括核心区、输入输出区、位于核心区和输入输出区侧壁的源区以及位于核心区和输入输出区之间的共用漏区；位于核心区上的若干层叠的第二牺牲层、第一沟道层、第三牺牲层、第二沟道层、第四牺牲层...
    2025-11-20
  • 半导体器件的制造方法及半导体器件
    半导体器件的制造方法及半导体器件_中国科学院微电子研究所_202510801994.5
    本申请提供了一种半导体器件的制造方法及半导体器件， 包括：在衬底上外延出层叠设置的沟道层和牺牲层；刻蚀所述沟道层和所述牺牲层形成Fin状沟道， 并形成横跨所述沟道层和所述牺牲层的假栅结构， 在所述假栅结构外侧沉淀和刻蚀形成侧墙；去除部分所述...
    2025-11-20
  • 一种半导体工艺方法及半导体器件
    一种半导体工艺方法及半导体器件_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202510961966.X
    本发明提供一种半导体工艺方法及半导体器件， 方法包括：氮化硅层表面设置第一填充层填充于栅极结构之间；研磨第一填充层显露出栅极结构上的氮化硅层；回刻第一填充层进一步显露氮化硅层；设置图形化铝膜， 显露出非保护区域， 保护区域内栅极结构上形成氮...
    2025-11-20
  • 一种抗电磁干扰的CMOS器件工艺优化制备方法及其结构
    一种抗电磁干扰的CMOS器件工艺优化制备方法及其结构_陕西工业职业技术大学_202510962266.2
    本发明公开了一种抗电磁干扰的CMOS器件工艺优化制备方法及其结构， 包括获取器件衬底；在所述衬底上制备NMOS区、PMOS区以及隔离区；在所述NMOS区、所述PMOS区以及所述隔离区上生长介质层；在所述介质层上生长金属互联层；在所述金属互联...
    2025-11-20
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410391756.7
    一种半导体结构的形成方法， 包括：在第一器件区和第二器件区的栅介质层的表面形成第一功函数层；形成保护层结构后， 去除第一器件区的第一功函数层。因此， 在去除第一器件区的第一功函数层的过程中， 由于保护层结构位于第一器件区与第二器件区的交界处...
    2025-11-20
  • 一种半导体器件及其制造方法、存储器系统
    一种半导体器件及其制造方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410431504.2
    本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法、存储器系统。半导体器件的制造方法包括：提供基底结构， 所述基底结构包括半导体衬底、位于所述半导体衬底中的多个隔离结构和位于有源区的晶体管， 所述有源区位于相邻所述隔离结构之间；形成与所述晶体管电接...
    2025-11-20
  • 半导体结构的制造方法
    半导体结构的制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202410496786.4
    本发明公开一种半导体结构的制造方法， 包括以下步骤。提供基底。在基底中形成半导体层。移除部分半导体层与部分基底， 而在基底中形成沟槽。在沟槽中形成隔离结构。在形成隔离结构之后， 移除半导体层， 而在基底中形成第一凹陷。在第一凹陷暴露出的基底...
    2025-11-20
  • 用于光照的半导体结构与显示器结构
    用于光照的半导体结构与显示器结构_川奇光电科技(扬州)有限公司_202410439370.9
    本申请公开了一种用于光照的半导体结构与显示器结构， 包括衬底、第一栅极、第一半导体层、第一绝缘层、第一源极、第一漏极、第二栅极、第二半导体层、第二绝缘层、第二源极与第二漏极， 所述第一栅极具有第一导电层与第二导电层， 所述第一导电层与所述第...
    2025-11-20
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