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最新专利技术
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410528659.8
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备， 涉及半导体技术领域， 所述半导体器件包括：设置在衬底上的位线、字线， 以及多个沿垂直于所述衬底方向堆叠的存储单元；所述位线垂直于所述衬底， 并依次贯穿多个存储单元， 所述字线平行于所述衬底， 与至少一...
    2025-11-22
  • 一种半导体存储器件及其制备方法
    一种半导体存储器件及其制备方法_山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司_202511061375.3
    本申请涉及半导体领域， 公开了一种半导体存储器件及其制备方法， 包括在基底结构上形成图形化硬掩膜层， 以图形化硬掩膜层作为掩膜刻蚀组合层形成通孔；在通孔中形成共用电荷储存结构层；刻蚀图形化硬掩膜层， 以刻蚀后图形化硬掩膜层作为掩膜刻蚀基底结...
    2025-11-22
  • NAND闪存存储装置及其制备方法
    NAND闪存存储装置及其制备方法_联和存储科技(江苏)有限公司_202511319756.7
    本发明涉及半导体技术领域， 具体公开了一种NAND闪存存储装置及其制备方法， 包括：提供硅衬底基板；在硅衬底基板的存储区域形成存储单元阵列以及在硅衬底基板的驱动区域形成驱动电路， 驱动电路至少包括CMOS型晶体管， CMOS型晶体管至少包括...
    2025-11-22
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统
    半导体器件及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410518787.4
    本申请实施方式提供一种半导体器件及其制备方法、一种存储器系统， 其中半导体器件包括第一叠层结构、第二叠层结构、第一接触结构和第二接触结构。第一叠层结构包括沿第一方向堆叠的第一栅极层， 第二叠层结构， 沿第一方向位于第一叠层结构的一侧， 并包...
    2025-11-22
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410521704.7
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备， 涉及半导体芯片技术领域。该半导体器件包括堆叠结构和栅极隔槽结构。堆叠结构包括至少一个子堆叠结构， 子堆叠结构包括交替叠置的栅极层和绝缘层。栅极隔槽结构沿第一方向延伸且嵌设于堆叠结...
    2025-11-22
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统
    半导体器件及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410518756.9
    本申请实施方式提供一种半导体器件及其制备方法、一种存储器系统， 其中半导体器件包括第一叠层结构、第二叠层结构、第一接触结构和第二接触结构。第一叠层结构包括沿第一方向堆叠的第一栅极层， 第二叠层结构， 沿第一方向位于第一叠层结构的一侧， 并包...
    2025-11-22
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_爱思开海力士有限公司_202411766914.9
    一种半导体存储器装置包括：位线阵列， 其包括在第一方向上延伸的多条位线；多个源极层， 其在与多条位线交叉的第二方向上延伸；多个栅极层叠结构， 其布置在位线阵列和多个源极层之间；以及导电通孔结构， 其联接到多条位线当中的对应位线。
    2025-11-22
  • 半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202510926290.0
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备， 涉及半导体芯片技术领域， 以降低存储单元之间的相互干扰， 提高器件性能。半导体结构包括堆叠层、沟道结构和多个第二介质层。堆叠层包括交替叠置的多个第一介质层和多个栅极层。沟...
    2025-11-22
  • 半导体结构的制作方法
    半导体结构的制作方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511233779.6
    本发明提供了一种半导体结构的制作方法， 应用于半导体技术领域。在本发明中， 通过先形成CG后形成SG， 所以CG底部的ONO层不存在剥离风险， 因而不需要在逻辑区内引入虚拟多晶硅， 从而大幅提升了面积使用率；此外， 由于先形成CG后形成SG...
    2025-11-22
  • 半导体存储器设备
    半导体存储器设备_爱思开海力士有限公司_202510929268.1
    本公开涉及半导体存储器设备。本公开内容提供了一种半导体存储器设备。该半导体存储器设备包括：外围电路结构， 在半导体衬底上；导电线， 连接到外围电路结构；外围电路侧键合导电图案， 连接到导电线；外围电路侧辅助键合导电图案， 与外围电路侧键合导...
    2025-11-22
  • 一种高速高密度低扰动铁电存储器结构及制备方法
    一种高速高密度低扰动铁电存储器结构及制备方法_北京大学_202410521331.3
    本发明公开了一种高速高密度低扰动铁电存储器结构及制备方法， 该存储器由多个垂直方向的存储单元柱与多层水平方向的金属字线平面交叠而成， 交叠区域为存储单元， 其由选择器件与铁电电容器串联构成。本发明利用铁电介质层和选择器件介质层的三维堆叠能力...
    2025-11-22
  • 一种三维集成的交叉点阵铁电电容存储器的制备方法
    一种三维集成的交叉点阵铁电电容存储器的制备方法_北京大学_202410521332.8
    本发明公开了一种三维集成的交叉点阵铁电电容存储器的制备方法， 属于半导体存储器领域。本发明由多个平面交叉点阵铁电电容阵列在竖直方向上堆叠而成， 利用铁电介质层的尺寸微缩与三维堆叠能力， 将平面交叉点阵铁电电容阵列垂直堆叠， 使单位晶圆面积内...
    2025-11-22
  • 半导体结构及其制备方法、电子器件
    半导体结构及其制备方法、电子器件_北京超弦存储器研究院_202410527570.X
    一种半导体结构及其制备方法、电子器件， 其中， 半导体结构包括：衬底以及分布在衬底上的多个存储单元；至少一个存储单元包括：晶体管和磁性隧道结组， 磁性隧道结组包括：多个串联的磁性隧道结， 位于第m行的存储单元的晶体管的栅电极连接到第m条字线...
    2025-11-22
  • 存储器及其制作方法、电子设备
    存储器及其制作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410500555.6
    本申请提供了一种存储器及其制作方法、电子设备。该存储器包括：衬底、晶体管、第一导电结构和存储单元；晶体管设置在衬底的一侧；晶体管包括沿远离衬底方向依次层叠的第一电极层、沟道层和第二电极层、以及环绕于沟道层外周的栅极层；第一导电结构设置于晶体...
    2025-11-22
  • 基于二硫化钼忆阻晶体管的三态内容寻址存储器及其读写方法
    基于二硫化钼忆阻晶体管的三态内容寻址存储器及其读写方法_上海交通大学_202510976793.9
    本发明公开了一种基于二硫化钼(MoS2)忆阻晶体管的三态内容寻址存储器及其读写方法， 包括分别与两个位线和单个行匹配线连接的三态内容寻址存储单元， 所述三态内容寻址存储单元包括：第一MoS2三端忆阻晶体管， 栅极与一条位线连接， 漏极与所述...
    2025-11-22
  • 半导体堆叠结构及其制备方法、高带宽存储器、电子设备
    半导体堆叠结构及其制备方法、高带宽存储器、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410519140.3
    本公开提供了一种半导体堆叠结构及其制备方法、高带宽存储器、电子设备， 涉及半导体芯片技术领域。该半导体堆叠结构包括多个叠置的半导体结构， 半导体结构包括存储单元层、互连层和多个连接部。其中， 互连层包括第一键合层和连接层， 连接层位于存储单...
    2025-11-22
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202510260189.6
    提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：基体结构；第一半导体芯片， 在基体结构的上表面上， 并且直接接合到基体结构；第二半导体芯片， 在第一半导体芯片上；下密封层， 在基体结构的上表面上， 并且在第一半导体芯片的侧壁上；以及模制层， ...
    2025-11-22
  • 使用衬底的裸片到裸片链路及制造方法
    使用衬底的裸片到裸片链路及制造方法_安华高科技股份有限公司_202510422710.1
    本公开涉及使用衬底的裸片到裸片链路及制造方法。提供用于实施半导体封装或芯片封装的新颖工具及技术， 且更特定来说， 提供用于实施包含用于裸片到裸片互连的两个或更多个高密度层的半导体封装或芯片封装的方法、系统及设备。在各种实施例中， 一种半导体...
    2025-11-22
  • 一种片上磁芯功率电感器的制备方法
    一种片上磁芯功率电感器的制备方法_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202510992947.3
    本发明涉及一种片上磁芯功率电感器的制备方法， 包括：在晶圆上表面利用光刻和深反应离子刻蚀电感器端头绕组的硅槽和电感器中间绕组的硅槽；依次在电感器端头绕组硅槽和电感器中间绕组硅槽的槽壁处形成绝缘薄膜层、钛阻挡层和铜籽晶层；并通过电镀在电感器端...
    2025-11-22
  • 封装横向半导体器件及其制造方法
    封装横向半导体器件及其制造方法_镓能国际有限公司_202510980156.9
    本发明涉及一种封装横向半导体器件及其制造方法， 其中， 封装横向半导体器件包括一个电阻器， 该电阻器连接于器件衬底与封装接地端之间。相较于传统封装结构， 该封装器件减轻了浮置衬底带来的不利影响， 减少了衬底漏电流并提高了击穿电压。此外， 通...
    2025-11-22
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