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最新专利技术
  • 一种变压器耐压测试装置及耐压测试方法
    一种变压器耐压测试装置及耐压测试方法_北京城铁科技集团有限公司_202511386453.7
    本发明涉及变压器耐压测试技术领域，具体公开了一种变压器耐压测试装置及耐压测试方法，包括：试验变压器和接线柱，接线柱的数量为若干个，若干接线柱均设置于试验变压器的顶端前侧；第一警示灯设置于试验变压器的顶端左侧；第二警示灯设置于试验变压器的顶端...
    2026-02-19
  • 轴承实验装置、轴承电击穿实验方法及轴承电蚀实验方法
    轴承实验装置、轴承电击穿实验方法及轴承电蚀实验方法_湖南南方宇航高精传动有限公司_202511396648.X
    本发明公开了一种轴承实验装置、轴承电击穿实验方法及轴承电蚀实验方法，该实验装置包括：轴承实验机械机构，具有轴承试样；扭矩加载机构，用于对轴承试样施加扭矩，并检查轴承试样的扭矩和转速；载荷转换机构，用于将扭矩加载机构施加的扭矩转换为对轴承试样...
    2026-02-19
  • 一种基于柔性传感器网络的局部放电评估方法及装置
    一种基于柔性传感器网络的局部放电评估方法及装置_中国电力科学研究院有限公司_202511409579.1
    本发明涉及一种基于柔性传感器网络的局部放电评估方法及装置，属于局部放电检测技术领域。评估装置包括柔性传感单元、数据采集模块和智能分析终端。柔性传感单元由柔性基底、导电纤维阵列和信号调理电路组成，可贴合复杂表面采集信号；数据采集模块对接收信号...
    2026-02-19
  • 一种多储能系统串联场景下的绝缘检测装置及其检测方法
    一种多储能系统串联场景下的绝缘检测装置及其检测方法_大秦数字能源技术股份有限公司_202511469414.3
    本发明涉及电路性能检测领域，尤其是指一种多储能系统串联场景下的绝缘检测装置及其检测方法，包括：为多个划分为首端系统、中间系统、末端系统的储能子系统串联构成的系统配置信号处理模块和与储能子系统一一对应连接的多个绝缘检测模块，每个绝缘检测模块均...
    2026-02-19
  • 基于局部放电时域信号的GIS设备局部放电类型分类方法
    基于局部放电时域信号的GIS设备局部放电类型分类方法_太原理工大学_202511475815.X
    本申请提供了一种基于局部放电时域信号的GIS设备局部放电类型分类方法，属于局部放电检测分类领域；解决了现场检测过程中因无法获取外施电压信号导致通过局部放电模式谱图判断局部放电类型的方法失效的问题；该方法包括以下步骤：通过实验平台分别采集试样...
    2026-02-19
  • 一种环型空心电抗器的瞬态电压分布确定方法及系统
    一种环型空心电抗器的瞬态电压分布确定方法及系统_华北电力大学_202511492553.8
    本申请公开了一种环型空心电抗器的瞬态电压分布确定方法及系统，涉及电抗器设计领域，该方法包括获取环型空心电抗器的基本参数；利用所述基本参数对电路参数进行参数提取，得到电阻参数、电感参数和寄生电容参数；根据基本参数、电阻参数、电感参数和寄生电容...
    2026-02-19
  • 一种晶闸管级测试方法
    一种晶闸管级测试方法_国网山东省电力公司超高压公司_202410942764.6
    本公开揭示了一种晶闸管级测试方法，包括：将待测晶闸管级接入测试回路中；对待测晶闸管级进行阻抗测试；对待测晶闸管级进行短路测试；对待测晶闸管级进行储能测试；对待测晶闸管级进行低压触发测试；对待测晶闸管级进行电流断续测试；对待测晶闸管级进行反向...
    2026-02-19
  • 硅基发光器件寿命预测方法、装置、设备、介质和程序
    硅基发光器件寿命预测方法、装置、设备、介质和程序_昀光科技(杭州)有限公司_202511060321.5
    本发明公开了一种硅基发光器件寿命预测方法、装置、设备、介质和程序，其中，该方法包括：获取待预测器件的运行状态数据，并获取所述待预测器件配置的预设寿命预测模型；基于所述预设寿命预测模型和所述运行状态数据确定所述待预测器件的器件寿命；其中，所述...
    2026-02-19
  • 半导体器件参数测试方法及结构
    半导体器件参数测试方法及结构_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511124684.0
    本发明公开了一种半导体器件参数测试方法及结构，属于半导体测试领域。测试方法包括：提供测试结构，测试结构包括二维电子气沟道和多端测试图形，二维电子气沟道中临近两端的位置分别设置有测试支路，二维电子气沟道两端以及各测试支路分别与多端测试图形的各...
    2026-02-19
  • 器件自热效应延迟的测试结构和方法
    器件自热效应延迟的测试结构和方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511232100.1
    本发明公开了一种器件自热效应延迟的测试结构包括：环形振荡器。环形振荡器包括n级延迟单元，n为奇数。各级延迟单元包括CMOS反相器，至少一级延迟单元的CMOS反相器的上拉路径或下拉路径中串联有温度敏感器件，由温度敏感器件增强环形振荡器的温度敏...
    2026-02-19
  • 一种半导体器件检测用智能检测装置
    一种半导体器件检测用智能检测装置_深圳市迅捷科通技术有限责任公司_202511272803.7
    本发明涉及半导体检测技术领域，尤其涉及一种半导体器件检测用智能检测装置，包括两个对称设置的主体板，两个所述主体板的上端设置有清理机构，所述清理机构包括两个对称开设在主体板上端的第一放置槽，所述主体板在两个第一放置槽内分别固定连接有第一电动伸...
    2026-02-19
  • 一种半导体器件热阻提取方法
    一种半导体器件热阻提取方法_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202511380574.0
    本申请涉及半导体器件热管理技术领域，公开了一种半导体器件热阻提取方法，针对多层封装半导体器件，通过施加单位功率激励采集瞬态热响应并构建积分结构函数与微分结构函数；基于结构函数曲线特征识别结‑壳热阻分界点，提取各材料层等效热阻；校验等效热阻总...
    2026-02-19
  • 一种双脉冲测试工装
    一种双脉冲测试工装_武汉羿变电气有限公司_202511396891.1
    本发明公开了一种双脉冲测试工装，涉及双脉冲测试工装技术领域，包括双脉冲测试电容板，所述双脉冲测试电容板上安装有叠层电路板，所述双脉冲测试电容板下端安装有与叠层电路板之间为电连接的储能电容，且通过储能电容存储能量以替代传统大功率直流源。该双脉...
    2026-02-19
  • 功率半导体器件的检测电路、检测方法以及检测系统
    功率半导体器件的检测电路、检测方法以及检测系统_北京怀柔实验室_202511489366.4
    本申请提供了一种功率半导体器件的检测电路、检测方法以及检测系统，该检测电路包括电源模块、第一开关器件、第二开关器件、振荡模块、辅助功率半导体器件、第一均压模块、第二均压模块以及换流模块，其中，电源模块包括直流电源，辅助功率半导体器件的结构与...
    2026-02-19
  • 一种测试ACDC电源芯片内部合封MOS雪崩能量的方法
    一种测试ACDC电源芯片内部合封MOS雪崩能量的方法_杭州得明电子有限公司_202511239796.0
    本发明提供了一种测试ACDC电源芯片内部合封MOS雪崩能量的方法，包括设置测试电路，将被测芯片的VDD脚接第一直流电源，CS和COMP引脚接地；在SW与GND脚间并联耐压值更高的外部MOS管，通过电感连接第二直流电源；外部MOS的G脚经限流...
    2026-02-19
  • 一种BMS锂电池芯片测试检测设备
    一种BMS锂电池芯片测试检测设备_深圳市质能达微电子科技有限公司_202411029891.3
    本发明公开了一种BMS锂电池芯片测试检测设备，本发明涉及锂电池芯片测试技术领域，包括机架，机架顶部中间部位安装有升降气缸，升降气缸下方安装有测试件，测试件下方安装有定位壳，定位壳内侧安装有芯片，定位壳的前方贴合安装有引导轨，引导轨用于对芯片...
    2026-02-19
  • 基于测试覆盖率优化的测试电路的方法和装置
    基于测试覆盖率优化的测试电路的方法和装置_三星电子株式会社_202411789757.3
    提供了基于测试覆盖率优化的测试电路的方法和装置。该方法包括：将表示待测试的电路的电路组件和电路节点的设计数据转换为图数据；基于输入到图神经网络(GNN)模型中的图数据，生成设计数据的测试覆盖率以及表示针对测试覆盖率的电路节点的影响的影响数据...
    2026-02-19
  • 一种汽车NAND FLASH芯片测试方法、装置、设备及存储介质
    一种汽车NAND FLASH芯片测试方法、装置、设备及存储介质_中国第一汽车股份有限公司_202510583771.6
    本申请实施例提供了一种汽车NAND FLASH芯片测试方法、装置、设备及存储介质，属于芯片测试评估技术领域。该方法包括：确定目标芯片和目标零件，所述目标芯片为NAND FLASH芯片，所述目标零件为所述目标芯片投入应用的汽车零件；根据所述目...
    2026-02-19
  • 一种1-100GHz射频芯片在片测试的去嵌结构及去嵌方法
    一种1-100GHz射频芯片在片测试的去嵌结构及去嵌方法_电子科技大学_202511052560.6
    本发明属于射频微波技术领域，提供一种1‑100GHz射频芯片在片测试的去嵌结构及去嵌方法，用以解决现有技术中去嵌方法存在的精度低、频带窄的问题。本发明中去嵌结构包括：待测件测试结构及其同一衬底上的第一、第二、第三微带线测试结构，首先，基于第...
    2026-02-19
  • 芯片测试方法、装置、测试机及存储介质
    芯片测试方法、装置、测试机及存储介质_深圳米飞泰克科技股份有限公司_202511086244.0
    本申请提供了一种芯片测试方法、装置、测试机及存储介质，适用于芯片测试技术领域。该方法包括：基于获取的测试程序，确定针对待测器件的测试信息以及与测试信息对应的测试结果范围；基于测试信息，控制第一测试模块向待测芯片的第一管脚输出第一电信号，并控...
    2026-02-19
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