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最新专利技术
  • 钢材
    钢材_日本制铁株式会社_202480022535.0
    本发明提供一种兼顾125ksi以上的较高的强度和优异的低温韧性的钢材。本公开的钢材以质量％计为C：0.15～0.45％、Si：0.05～1.00％、Mn：0.05～1.00％、P：0.030％以下、S：0.0050％以下、Al：0.005～...
    2025-11-22
  • 喷镀用粉末
    喷镀用粉末_福吉米株式会社_202480019080.7
    一种喷镀用粉末，其包含由氧化钇和氧化铝形成的复合氧化物，对于所述喷镀用粉末，在扫描型电子显微镜图像(SEM图像)的任意多个(n个)位置处，利用能量色散X射线光谱仪(EDX)实施成分分析，根据所测定的特征X射线的峰面积比来确定钇元素的含有率(...
    2025-11-22
  • 对准方法以及对准装置
    对准方法以及对准装置_佳能特机株式会社_202480021066.0
    对准方法由拍摄装置拍摄设在基板上的标记，测量标记的位置而进行基板的对准，其中，在基板上设有第1标记和位置与第1标记不同的第2标记，对准方法包括：基于第1标记进行对准的第1步骤；以及基于第2标记进行对准的第2步骤，该第2步骤通过以第1标记为旋...
    2025-11-22
  • 用于在涂覆设备中翻转镜片的装置和眼镜片的生产方法
    用于在涂覆设备中翻转镜片的装置和眼镜片的生产方法_卡尔蔡司光学国际有限公司_202480025632.5
    本发明涉及一种用于在涂覆设备(100)中翻转眼镜片(101)的装置(200)，该装置包括承载件(105)，该承载件可绕旋转轴线(107)旋转地安装，并且在该承载件上，多个镜片固持器(109)布置在不同直径的同心圆环(112)上，以便固持要涂...
    2025-11-22
  • 五氯化钼调节和结晶相操纵
    五氯化钼调节和结晶相操纵_乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司_202480025205.7
    一种调节MoCI5的方法，该方法包括将MoCI5的容器加热至从大约140°C至190°C范围内的温度持续从大约2小时至大约100小时范围内的一段时间以生产含MoCI5组合物，该含MoCI5组合物包含如通过X射线衍射测定的大约10%重量至大约...
    2025-11-22
  • 低温沉积材料、低温沉积膜形成方法、由其制备的半导体基板及半导体器件
    低温沉积材料、低温沉积膜形成方法、由其制备的半导体基板及半导体器件_秀博瑞殷株式公社_202480022721.4
    本发明涉及一种低温沉积材料、低温沉积膜形成方法、由其制备的半导体基板及半导体器件，其通过使用即使在低温工艺中也能够执行强还原剂作用的规定材料，不仅在低温工艺中能够有效地制备低电阻薄膜和/或金属氮化膜，而且还能够减少由碳等配体引起的膜杂质并改...
    2025-11-22
  • 多腔室的化学固体前体安瓿
    多腔室的化学固体前体安瓿_弗萨姆材料美国有限责任公司_202480026576.7
    本文公开了一种具有多腔室容器和盖的多腔室安瓿。盖包括用于流体连接容器的多个腔室的导管。每个腔室的升华速率由每个腔室的表面积、每个腔室的温度和每个腔室的顶空压力限定，并且每个腔室的升华速率基本上相等。
    2025-11-22
  • 薄膜沉积装置
    薄膜沉积装置_皮考逊公司_202480025927.2
    一种衬底处理装置(100)，该衬底处理装置包括：反应室(120)，用于容纳衬底(130)，该衬底以衬底表面面向彼此而布置；流体分配器(600)，用于建立从反应室(120)的入口传播通过反应室(120)的长度、并且在衬底表面之间传播的层状流体...
    2025-11-22
  • 取向性电磁钢板用绝缘覆膜处理液及其制造方法、以及取向性电磁钢板的制造方法
    取向性电磁钢板用绝缘覆膜处理液及其制造方法、以及取向性电磁钢板的制造方法_日本制铁株式会社_202480021818.3
    一种取向性电磁钢板用的绝缘覆膜处理液，含有从Na、Al、Fe、Mg、Mn、Ni、Zn、Co、Mo、V、W及Zr中选择的一种或两种以上的金属的磷酸金属盐以及胶体状二氧化硅，绝缘覆膜处理液中的以Na2O换算的Na量和以SiO2换算的Si量的质量...
    2025-11-22
  • 取向性电磁钢板和绝缘覆膜的形成方法
    取向性电磁钢板和绝缘覆膜的形成方法_日本制铁株式会社_202480024429.6
    本申请所公开的取向性电磁钢板具有母材钢板和形成于母材钢板的表面的绝缘覆膜，绝缘覆膜具有形成于母材钢板侧且包含结晶性磷酸金属盐的中间层和形成于绝缘覆膜的表面侧的张力覆膜层，在中间层的沿着厚度方向的截面中，在利用扫描型电子显微镜以5000倍观察...
    2025-11-22
  • 防腐蚀方法、含镁组件及电子设备
    防腐蚀方法、含镁组件及电子设备_荣耀终端股份有限公司_202380096395.7
    一种防腐蚀方法、含镁组件及电子设备，该防腐蚀方法应用于第一结构件和第二结构件之间的接触面，所述防腐蚀方法包括：在所述第一结构件和第二结构件的接触面贴附复合膜(1)，所述复合膜(1)包括胶膜和麦拉。该防腐蚀方法可以实现高效的电偶腐蚀抑制效果。...
    2025-11-22
  • 电化学电极结构、电化学电池和将有限间隙电化学电池改装为零间隙型电化学电池的方法
    电化学电极结构、电化学电池和将有限间隙电化学电池改装为零间隙型电化学电池的方法_蒂森克虏伯新纪元股份有限及两合公司_202480025052.6
    本发明涉及一种电化学电极结构，包括：集电器和至少一个电极元件，其中，所述至少一个电极元件是具有开放结构的二维延伸导电元件。在此电化学电极结构中，所述至少一个电极元件具有至少一个带有卷边边沿的边缘，所述电极元件的条带部在所述卷边边沿处卷边弯曲...
    2025-11-22
  • 金属碳化物和烃的制造方法以及含碳部件
    金属碳化物和烃的制造方法以及含碳部件_大金工业株式会社_202480025108.8
    本发明涉及一种金属碳化物的制造方法，其包括：电极制作工序，其包括制备含有选自碱金属离子和碱土金属离子中的至少1种第1金属离子和碳酸离子的第1熔融盐的步骤；和对上述第1熔融盐施加电压，使含有碳的析出物在第1电极析出，得到第2电极的步骤；和电解...
    2025-11-22
  • 电化学单电池
    电化学单电池_日本碍子株式会社_202380013562.7
    电解单电池(1)具备金属支撑体(10)和单电池主体部(20)。单电池主体部(20)具有：配置在金属支撑体(10)的第一主面(12)上的导电性的气体扩散层(5)、以及配置在气体扩散层(5)上的氢极层(6)。气体扩散层(5)包括：由第一主面(1...
    2025-11-22
  • 膜电极组件及生产其的方法、燃料电池和电解槽
    膜电极组件及生产其的方法、燃料电池和电解槽_格林纳瑞缇有限公司_202480022241.8
    本发明涉及膜电极组件(1)，其具有阳极(2)、阴极(3)和位于阳极(2)和阴极(3)之间的烃膜(4)。膜电极组件(1)还包括保护层(5)，其布置在阳极(2)与烃膜(4)之间和‑或阴极(3)与烃膜(4)之间，其中保护层(5)包含至少一种陶瓷材...
    2025-11-22
  • 基于膜的碱金属提取系统
    基于膜的碱金属提取系统_利腾股份有限公司_202380095852.0
    本发明公开的概念涉及使用固体电解质膜进行关键矿物提取、纯化、沉淀、离子交换和金属产生的改进技术。通过使用嵌入基质中的固体电解质，能够更有效地从进料溶液中分离碱金属(诸如锂)。另外，最初用于从进料溶液中提取关键矿物的能量可被储存为电化学能量，...
    2025-11-22
  • 表面处理钢板
    表面处理钢板_日本制铁株式会社_202480020403.4
    [课题]进一步提高成形加工后的耐腐蚀性。[解决方案]本发明的表面处理钢板具有：镀层，其位于钢板的至少一个表面，且含有锌和镍；以及涂膜，其位于所述镀层之上，且至少含有环氧树脂和异氰酸酯树脂，在赋予10％的拉伸伸长率后，对沿厚度方向切断的截面进...
    2025-11-22
  • 掩蔽夹具及使用该掩蔽夹具的表面处理方法
    掩蔽夹具及使用该掩蔽夹具的表面处理方法_大同工业株式会社_202380096686.6
    本发明提供一种掩蔽夹具以及使用该掩蔽夹具的表面处理方法，该掩蔽夹具无需使与表面处理对象物之间的空间成为负压，就能够可靠地安装于表面处理对象物。具备与可动涡旋件(1)的轴承部(3)和衬套(3a)的内周面嵌合的第一嵌合部(12)、和与可动涡旋件...
    2025-11-22
  • 具有改进的表面的镀覆密封件
    具有改进的表面的镀覆密封件_应用材料公司_202480023136.6
    本技术包括整体式电镀密封件，诸如利用增材制造形成的电镀密封件。密封件包括外部密封构件和内部密封构件。所述外部密封构件包括内环状半径、外环状半径以及限定在外部表面与同所述外部表面相对的内部表面之间的外部密封构件主体。所述外部表面由孔隙率小于或...
    2025-11-22
  • 改进的掺杂InP晶体
    改进的掺杂InP晶体_弗赖贝格化合物原料有限公司_202580001438.8
    本发明涉及磷化铟的掺杂。在这种情况下，已经观察到，掺杂S的半导体InP晶体显示出增加的孪晶概率，并且晶格常数通过添加掺杂剂S而略微减小，但是通过进一步添加与InP等电子的物质如Ga而显著减小。因此，与InP等电子材料(例如Ga)的共掺杂允许...
    2025-11-22
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