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最新专利技术
  • 一种稀土掺杂纳米氧化锡镀层的制备方法及其应用
    一种稀土掺杂纳米氧化锡镀层的制备方法及其应用_中国科学院赣江创新研究院_202511063932.5
    本发明属于透明导电膜的技术领域，提供了一种稀土掺杂纳米氧化锡镀层的制备方法及其应用，所述制备方法包括：将锡酸盐、稀土盐和尿素加入到溶剂中，锡元素、稀土元素和尿素三者的摩尔比为1：(0.005‑0.3)：(0.1‑3)，所述稀土盐为镧盐和钐盐...
    2026-02-06
  • 一种轮毂型晶圆划片刀用的电泳镀液
    一种轮毂型晶圆划片刀用的电泳镀液_江苏卓进半导体科技有限公司_202511457300.7
    本发明公开了一种轮毂型晶圆划片刀用的电泳镀液，涉及切割工具制造技术领域，包括：准备镀液原料；混合镀液成分；加入金刚石粉末至基础溶液中；调节镀液pH值；将调配好的电泳镀液进行静置和搅拌；将准备好的电泳镀液用于电泳装置中进行电泳；干燥与固化；性...
    2026-02-06
  • 一种航空管路产品用电解辅助标印装置
    一种航空管路产品用电解辅助标印装置_哈尔滨东安高精管轴制造有限公司_202511032573.7
    本发明属于机械结构技术领域，涉及一种航空管路产品用电解辅助标印装置。包括电解印组件、托料组件、压力控制组件、带导轨齿条(4)；所述电解印组件固定于所述带导轨齿条(4)的顶端，所述托料组件位于所述电解印组件正下方，与所述带导轨齿条(4)滑动连...
    2026-02-06
  • 用于电镀设备的滴水装置
    用于电镀设备的滴水装置_一诠科技(中国)有限公司_202511116165.X
    本发明公开了一种滴水装置以及具有上述滴水装置的电镀设备，其中滴水装置包括支架、吸水组件和滴水机构，支架设有供基材穿过的通道，吸水组件安装于支架，吸水组件包括吸水元件，吸水元件由亲水材质制成，并用于压接于基材，以吸收基材上的残留溶液；滴水机构...
    2026-02-06
  • 一种晶圆电镀机
    一种晶圆电镀机_谷微半导体科技(江苏)有限公司_202511440381.X
    本发明属于晶圆电镀技术领域，且公开了一种晶圆电镀机，包括液压缸，还包括；安装于液压缸活动端的支架。本发明通过设置隔离组件和晶圆等结构的配合，当漂浮筒的底部触碰到电解池中的液面时，由于其内部为中空状，漂浮筒将漂浮在液面上，以平稳液面的翻涌，承...
    2026-02-06
  • 一种汽车扭簧端子挂镀生产线及其生产工艺
    一种汽车扭簧端子挂镀生产线及其生产工艺_万明电镀智能科技(东莞)有限公司_202511271840.6
    本申请涉及金属镀覆的技术领域，具体公开了一种汽车扭簧端子挂镀生产线及其生产工艺，生产线包括镀液槽、挂具、上料输送机构、下料输送机构和转移输送机构，镀液槽呈环形设置，挂具顶部设置有挂钩，上料输送机构用于将挂具向靠近镀液槽的方向输送，下料输送机...
    2026-02-06
  • 用于太阳电池的电镀挂具以及电镀方法、太阳电池
    用于太阳电池的电镀挂具以及电镀方法、太阳电池_通威太阳能(成都)有限公司_202410620963.5
    本申请公开了用于太阳电池的电镀挂具以及电镀方法、太阳电池，该电镀挂具包括：包括挂具单元，挂具单元包括导电条、固定件和接触件，接触件设置在固定件上，接触件包括金属导电层，沿金属导电层的厚度方向的相对两个表面设有导电粘合剂层，且两个导电粘合剂层...
    2026-02-06
  • 一种实现细长管内壁均匀电镀的装置与方法
    一种实现细长管内壁均匀电镀的装置与方法_天津大学_202510560606.9
    本发明公开了一种实现细长管内壁均匀电镀的装置与方法，该装置包括直流电源、细长管、阳极、电解液循环系统和旋转系统，其中细长管通过旋转导电滑环连接电源负极并在电动旋转台驱动下沿轴向匀速旋转50‑300r/min，阳极通过聚四氟乙烯夹具精确居中固...
    2026-02-06
  • 一种大长径比细长管环保型电镀阳极的制备方法
    一种大长径比细长管环保型电镀阳极的制备方法_南京理工科技园股份有限公司_202511139895.1
    一种大长径比细长管环保型电镀阳极的制备方法，其特征在于，按照以下步骤进行制备：S1：对铌棒进行加工形成铌丝；S2：对铌丝物理和化学处理；S3：对处理后的铌丝金属镀膜。以此方法生产的电镀阳极具有高抗拉强度、长度方向刚性、外径尺寸均匀、导电性良...
    2026-02-06
  • 一种开放式电镀滚筒、电镀装置及电镀方法
    一种开放式电镀滚筒、电镀装置及电镀方法_西安靖安特环境科技有限公司_202511451926.7
    本发明公开了一种开放式电镀滚筒、电镀装置及电镀方法，属于电镀装置技术领域，电镀滚筒包括筒体和设置在筒体上的进出料口，其中筒体的两端均密封，筒体的横截面为蜗形线，筒体的内腔形成蜗形腔体；进出料口设置在蜗形腔体的外侧壁上，且进出料口布置在蜗形线...
    2026-02-06
  • 一种铜锌电积过程中电解液浓度实时补偿方法
    一种铜锌电积过程中电解液浓度实时补偿方法_江西思远再生资源有限公司_202511393094.8
    本发明涉及电解沉积技术领域，公开了一种铜锌电积过程中电解液浓度实时补偿方法，包括：按固定时间采样窗口在上层固定采样位置集合、中层固定采样位置集合、下层固定采样位置集合以及电极邻近区固定采样位置集合同步采集铜离子浓度数据、锌离子浓度数据、硫酸...
    2026-02-06
  • 一种含氟化氢铵电解液及其处理铍铜表面的电解工艺
    一种含氟化氢铵电解液及其处理铍铜表面的电解工艺_昆山一鼎工业科技有限公司_202511295080.2
    本发明公开了一种含氟化氢铵电解液，以纯水为溶剂，每升电解液中含氟化氢铵6.1～10.3g、氟化铵2.2～4.2g、氟化钠2.9～4.9g、2, 5, 8, 11‑四甲基‑6‑十二碳炔‑5, 8‑二醇0.22～0.42g；用于处理铍铜表面，包...
    2026-02-06
  • 一种带孔电池铝箔的电化学蚀刻制备方法
    一种带孔电池铝箔的电化学蚀刻制备方法_博材盛通(山西)新材料有限公司_202511317568.0
    本发明提供了一种带孔电池铝箔的电化学蚀刻制备方法，通过多级梯度退火处理、脉冲电压电化学蚀刻、分段超声清洗及表面改性处理等步骤，显著提升了铝箔的孔隙率、均匀性和表面性能；该方法采用复合电解液体系协同优化蚀刻效果，且通过控制脉冲电压的波形、正反...
    2026-02-06
  • 阳极箔腐蚀工艺、阳极箔及其应用
    阳极箔腐蚀工艺、阳极箔及其应用_肇庆市高要区华锋电子铝箔有限公司_202511461917.6
    本发明提供了一种阳极箔腐蚀工艺、阳极箔及其应用，具体涉及铝电解电容器用阳极铝箔腐蚀技术领域。阳极箔为铝电解电容器用阳极箔；腐蚀工艺是将铝箔按照先后顺序进行前处理、一级腐蚀、二级腐蚀和后处理得到阳极箔；其中，一级腐蚀的过程为：将前处理后的铝箔...
    2026-02-06
  • 一种晶圆电化学抛光减薄装置
    一种晶圆电化学抛光减薄装置_熠铎科技(苏州)有限公司_202511117987.X
    本发明涉及抛光减薄装置技术领域，具体地说，涉及一种晶圆电化学抛光减薄装置，包括内设处理腔的处理箱，处理箱的上端面安装有升降块，升降块的两端安装有滑动的弯折杆，两个弯折杆的一端伸入处理腔内设置，位于处理腔内的两个弯折杆间安装有底板，底板的上端...
    2026-02-06
  • 一种高质量CeAuSb2单晶的自助熔剂生长方法
    一种高质量CeAuSb2单晶的自助熔剂生长方法_中国工程物理研究院材料研究所_202511090875.X
    本发明公开了一种高质量CeAuSb2单晶的自助熔剂生长方法，通过对原料化学配比及生长工艺流程的优化，有效攻克了现有技术在制备CeAuSb2单晶过程中面临的易被氧化、单晶质量差、缺陷多、单晶尺寸受限等难题，实现了高质量、大尺寸单晶样品的稳定生...
    2026-02-06
  • 一种垂直梯度冷凝法生长碳镁共掺蓝宝石晶体的方法
    一种垂直梯度冷凝法生长碳镁共掺蓝宝石晶体的方法_中国人民解放军军事科学院防化研究院_202511148276.9
    本发明提出一种垂直梯度冷凝法生长碳镁共掺蓝宝石晶体的方法，以α‑Al2O3、石墨和氧化镁或铝镁尖晶石为原材料，采用垂直梯度冷凝法生长出大尺寸(Φ50mm)α‑Al2O3 : C, Mg晶体，与采用现有技术制备的α‑Al2O3 : C, Mg...
    2026-02-06
  • 一种减小单晶光纤生长温度梯度的装置及方法
    一种减小单晶光纤生长温度梯度的装置及方法_之江实验室_202511160945.4
    本发明公开一种减小单晶光纤生长温度梯度的装置，包括加热、送料组件、提拉及减小温度梯度组件；加热组件发射激光并将光束聚焦于原料棒顶部，形成局部加热区；送料组件和提拉组件均包括位移台和电机，减小温度梯度组件包括上、下保温结构，上、下保温结构分别...
    2026-02-06
  • 单晶硅生长装置
    单晶硅生长装置_新美光(苏州)半导体科技有限公司_202511469282.4
    本发明涉及一种单晶硅生长装置，包括：坩埚；侧部加热器，其包括多个加热片；多个加热片沿坩埚的周向依次分布，以形成包围腔，坩埚插设于包围腔中；通过调节加热片的位置，以调节包围腔的横向尺寸。本发明的单晶硅生长装置，对侧部加热器的结构进行优化，能够...
    2026-02-06
  • 单晶硅制备方法和硅片
    单晶硅制备方法和硅片_晶科能源股份有限公司_202511106577.5
    本申请实施例涉及半导体材料制备技术领域，提供一种单晶硅制备方法和硅片，包括：在晶体位于等径阶段的第一时段时，根据晶体的结晶潜能降低加热器的功率，得到第一功率；在晶体位于等径阶段的第二时段时，控制加热器按照第一功率运行；在晶体位于等径阶段的第...
    2026-02-06
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