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  • 本发明涉及断路器技术领域,尤其是涉及一种混合式固态断路器。本发明提供的混合式固态断路器,包括:外壳、机械开关和固态开关,机械开关和固态开关均设置于外壳内,且机械开关与固态开关电连接形成混合式开关电路;混合式开关电路包括机械支路、电子电力支路...
  • 本发明公开了一种内置消弧结构及内置消弧结构的断路器,包括支持件和栅网组件,所述栅网组件安装在所述支持件的腔体内,通过所述支持件和栅网组件组成内置消弧结构,该内置消弧结构可拆卸的安装在断路器本体内的基座上。相对于现有技术,该内置消弧结构通过将...
  • 本发明涉及断路器技术领域,尤其是涉及一种触头系统的灭弧结构及断路器。本发明提供的触头系统的灭弧结构包括:灭弧室、动引弧件、第一产气件和第二产气件,触头系统包括短动触头;灭弧室设置有若干依次排列的灭弧栅片,动引弧件包括至少一个第一动引弧板,第...
  • 本发明涉及一种电阻型超导限流熔断装置及其工作方法,该超导限流熔断装置由不锈钢封装的第二代高温超导带材制成,该超导限流熔断装置在不锈钢封装层加工有狭颈,用于短路熔断。在正常工况下,超导限流熔断装置处于超导态,发热和损耗基本为零,在故障工况下,...
  • 本发明涉及熔断器技术领域,公开了一种可恢复式熔断器,包括外壳体,以及涂装在外壳体外侧的绝缘层,所述陶瓷绝缘管的外侧的上端位于外壳体的内侧设置有云母玻璃管,且在陶瓷绝缘管的外侧靠近云母玻璃管的下端分别设置有负热膨胀组件和受热膨胀组件,所述陶瓷...
  • 本发明公开了一种新能源储能熔断器,涉及熔断器技术领域。该种新能源储能熔断器,包括设置在跌落式熔断器本体上的高强度绝缘子、下金属箍、上金属箍和熔丝管,所述下金属箍的顶部固定连接有固定环,且固定环套设在熔丝管的侧壁,所述固定环的顶部通过升降机构...
  • 本发明提供一种高压大电流表面贴装熔断器,包括熔丝主体、封装部及一侧向内凹陷形成容置腔的绝缘外壳,封装部用于封闭容置腔的开口;熔丝主体包括两个导电电极及设置在导电电极之间的熔断部,熔断部位于容置腔内,导电电极伸出容置腔;容置腔中还填充有第一填...
  • 本公开涉及冷场发射器总成。公开了用于与超高真空和间歇性高温闪蒸兼容的机械稳定的长寿命冷场发射器总成的装置和方法。金属适配器焊接在六硼化物电极与金属细丝之间。一些实施方案使用钨细丝、钽适配器和具有纳米棒发射器尖端的LaB6微细棒电极。公开了其...
  • 本申请公开了一种用于超快诊断的小型脉冲展宽漂移管的制备方法及其脉冲展宽漂移管,该方法包括:1)钎焊前壳体、后壳体,前壳体进行填铟、化铟及车铟操作;2)点焊得到第一栅网组件、第二栅网组件、第三栅网组件;3)制备基底、导电膜层、封接膜层组装得到...
  • 一种玻璃电子管芯柱与玻壳封接装置及其封接方法,该装置包括设在机架上的空心立柱和轴套,在空心立柱内设有传动轴,在空心立柱上端设有空心支座,在空心支座内安装有上立轴,在空心支座上端设有气缸,其输出端与上立轴上端同轴连接;传动轴上端与上立轴传动连...
  • 本发明公开了一种回旋行波放大器输入耦合器,属于微波器件技术领域。本发明是矩形波导TE10模式转换到圆波导TE11模式的耦合器,其结构主要包括有输入矩形波导、电子束流通端、输出圆波导,矩形波导与圆波导相连,电子束流通端与输出圆波导完全连通。电...
  • 本发明公开了一种微波炉用磁控管,属于真空电子器件中的微波源技术领域。该磁控管包括:阳极组件、阴极组件、输入组件、输出组件、永磁体;其中,阳极组件的阳极叶片两端采用双端单环隔膜带替换现有的双端双环隔膜带。本发明磁控管在减少阳极材料和简化隔膜带...
  • 本发明涉及高速成像领域,解决了现有分幅成像系统存在电磁辐射干扰、尖端放电,以及空间分辨率受限导致成像质量差的技术问题。公开了一种高亮度抗辐射行波分幅成像系统及方法。该系统包括微带阴极、微通道板、荧光屏、图像传感器、脉冲磁场发生器以及微带传输...
  • 本发明涉及半导体加工设备技术领域,具体涉及一种栅网装置、离子源设备及离子源性能评估方法。该栅网装置包括导电组件、屏栅、加速栅、减速栅和栅网安装板,屏栅、加速栅和减速栅依次层叠且相互间隔绝缘设置,并均通过栅网安装板安装于外部离子源外壳的开口端...
  • 描述了带电粒子束系统,包括第一电子探测器、第二电子探测器以及位于第一电子探测器与第二电子探测器之间的第一扫描偏转器,其中第一扫描偏转器包括了包含截头圆锥形状的偏转器内表面。
  • 本申请提出一种样品载体夹具、电镜承载模组及样品载体安装工具,样品载体夹具包括第一限位件和第二限位件,第一限位件限定用于定位样品载体的限位区域,定义样品载体的观察方向为轴向,限位区域在轴向的两端开放,第二限位件与第一限位件卡合,第一限位件能够...
  • 本发明公开了一种控制驱动装置、控制驱动方法和离子源系统。控制驱动装置包括:高压电源、第一开关模块、控制模块、n个第二开关模块以及n个灯丝电源;灯丝电源的输入端与其对应的第二开关模块的第一端电连接,灯丝电源的输出端与其对应的磁控管的灯丝电连接...
  • 本申请提供了一种半导体器件的离子注入优化方法,涉及离子注入技术领域,该方法包括:基于离子束注入、等离子体注入组件等,接收并配置离子注入控制属性。结合设备型号、晶圆型号等因素,为控制属性设定容错阈值。通过分析晶圆注入日志,得到控制属性的偏差模...
  • 本申请公开一种下电极装置及半导体工艺设备,属于半导体技术领域。下电极装置包括下电极主体、第一隔离件和供气组件,其中,供气组件通过第一隔离件与下电极主体相连,下电极主体设有第一背气通道,第一隔离件设有第二背气通道,供气组件的输气管路通过第二背...
  • 提供了一种等离子体处理设备。该等离子体处理设备包括:双腔室系统,包括第一腔室和通过开口与第一腔室流体连接的第二腔室;第一气体喷射器,被配置为向第一腔室供应第一气体;格栅,位于第一腔室和第二腔室之间的开口处;第二腔室挡板;第二气体喷射器,被配...
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