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最新专利技术
  • 等离子体处理设备
    等离子体处理设备_三星电子株式会社_202510150119.5
    提供了一种等离子体处理设备。该等离子体处理设备包括：双腔室系统，包括第一腔室和通过开口与第一腔室流体连接的第二腔室；第一气体喷射器，被配置为向第一腔室供应第一气体；格栅，位于第一腔室和第二腔室之间的开口处；第二腔室挡板；第二气体喷射器，被配...
    2025-12-20
  • 用于刻蚀腔室清洁的金属板设计及清洁方法
    用于刻蚀腔室清洁的金属板设计及清洁方法_深圳市矩阵多元科技有限公司_202511044171.9
    本发明提供用于刻蚀腔室清洁的金属板设计及清洁方法，涉及等离子清洗技术领域，包括以下步骤，在铝板四边设计低溅射产额金属薄膜，控制其宽度与厚度，使其适用于溅射调控与遮蔽，通过绝缘压板压紧使其部分暴露，经惰性气体等离子体轰击后沉积覆盖潜在颗粒，边...
    2025-12-20
  • 一种具备换频功能的等离子体活化-键合设备及方法
    一种具备换频功能的等离子体活化-键合设备及方法_矽赫微科技(上海)有限公司_202511115063.6
    本发明涉及半导体制备与键合工艺领域，提出一种具备换频功能的等离子体活化‑键合设备，主要包括真空腔体、射频电源系统、相对设置的两个导轨、电极与晶圆固定部件，和进气口/出气口。射频电源系统控制两个电极分别接高频、低频电源，并且进行电源换频，对固...
    2025-12-20
  • 石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法
    石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202511483554.6
    本发明涉及一种石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法，应用于半导体加工设备技术领域。其中，保护方法包括：采用氯基等离子体选择性去除石英部件表面既有的金属化合物钝化层；随后，沉积新的金属化合物钝化层，利用新的金属化合物钝化层提供抗...
    2025-12-20
  • 石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法
    石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202511483557.X
    本发明涉及一种石英部件及保护方法、等离子体设备及等离子体处理方法，应用于半导体加工设备技术领域。其中，保护方法包括：采用溴基等离子体选择性去除石英部件表面既有的金属化合物钝化层；随后，沉积新的金属化合物钝化层，利用新的金属化合物钝化层提供抗...
    2025-12-20
  • 一种快速自动阻抗匹配系统及匹配方法
    一种快速自动阻抗匹配系统及匹配方法_盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司_202511494145.6
    本发明涉及一种快速自动阻抗匹配系统及匹配方法，属于半导体设备制造技术领域，所述快速自动阻抗匹配系统包括可调频射频电源模块、射频电缆模块、匹配器模块和腔室负载模块，所述可调频射频电源集成VI传感器，用于实时测量输出电压|V|、电流|I|及相位...
    2025-12-20
  • 一种低噪声、高灵敏质谱仪法拉第杯
    一种低噪声、高灵敏质谱仪法拉第杯_海南核电有限公司_202511039447.4
    本发明涉及质谱设备领域，尤其涉及一种低噪声、高灵敏质谱仪法拉第杯。所述法拉第杯，包括：矩形的外壳，一侧开口；抑制栅极，设置于外壳内，靠近开口处；收集器，设置于外壳内，与抑制栅极相邻；外壳的开口处设置有狭缝挡板；所述收集器通过绝缘内衬固定，与...
    2025-12-20
  • 一种用于原位质谱仪的全自动智能进样系统
    一种用于原位质谱仪的全自动智能进样系统_闽都创新实验室_202510889153.4
    本申请公开了一种用于原位质谱仪的全自动智能进样系统，属于检测装置技术领域。该系统搭配螺旋副进给式采样管，该采样方式隐蔽、便携，且可以很好地保护采样样品，非常适用于各类外出采样任务，针对于对包裹、行李、行人、环境等进行的毒品采样，或者针对食品...
    2025-12-20
  • 一种基于分子束取样的笼式双光电离源质谱装置
    一种基于分子束取样的笼式双光电离源质谱装置_中国科学技术大学_202511277130.4
    本发明提供了一种基于分子束取样的笼式双光电离源质谱装置，包括光电离单元，光电离单元包括第一壳体、真空紫外灯和同步辐射光连接部；第一壳体为具有第一内腔的中空结构，第一内腔中形成有光电离区；第一壳体上设有与第一内腔连通的连接孔，连接孔的轴线经过...
    2025-12-20
  • 复合Si/Al缓冲层及其制备方法和应用
    复合Si/Al缓冲层及其制备方法和应用_江苏第三代半导体研究院有限公司_202410598171.2
    本发明公开了一种复合Si/Al缓冲层及其制备方法和应用。复合Si/Al缓冲层的制备方法包括：制作形成复合缓冲层结构前体的步骤，所述复合缓冲层结构前体包括层叠设置的两个以上Al层和一个以上Si层，其中一个所述Si层分布在相邻两个所述Al层之间...
    2025-12-20
  • 一种超薄HfO2介电薄膜及其制备方法和应用
    一种超薄HfO2介电薄膜及其制备方法和应用_深圳大学_202510881480.5
    本发明提供了一种超薄HfO2介电薄膜及其制备方法和应用。本发明在配制前驱体溶液采用的溶剂为乙醇和水的混合溶剂，乙醇‑水混合体系的前驱体溶液相较于全水体系的前驱体溶液能有效减少因剧烈水解导致的缺陷，同时比全乙醇体系的前驱体溶液更易获得完整的H...
    2025-12-20
  • 一种高品质碳化硅剥离衬底及其制备方法
    一种高品质碳化硅剥离衬底及其制备方法_上海天岳半导体材料有限公司_202510911257.0
    本申请提供了一种高品质碳化硅剥离衬底及其制备方法，涉及碳化硅半导体材料技术领域。高品质碳化硅剥离衬底表面翘曲Warp不大于100μm，表面粗糙度Ra<15μm，表面损伤层中的裂纹台阶高度差不大于30μm。降低了减薄时砂轮损耗，能够提高加工效...
    2025-12-20
  • 一种降低晶圆表面金属新增的处理方法
    一种降低晶圆表面金属新增的处理方法_深圳市重投天科半导体有限公司_202511097000.2
    本发明提供了一种降低晶圆表面金属新增的处理方法，包括以下步骤：S1将待清洗晶圆在第一清洗液中进行清洗；S2将得到的晶圆进行冲洗后在第二清洗液中进行清洗；S3将得到的晶圆进行冲洗后在第三清洗液中进行清洗；S4将得到的晶圆进行冲洗后在第四清洗液...
    2025-12-20
  • 一种去除半导体晶圆表面颗粒物污染的清洁方法
    一种去除半导体晶圆表面颗粒物污染的清洁方法_中国工程物理研究院应用电子学研究所_202511120886.8
    本发明公开了一种去除半导体晶圆表面颗粒物污染的清洁方法，涉及半导体清洁技术领域。本发明中去除半导体晶圆表面颗粒物污染的清洁方法在于先涂布特定有机溶液，再在水中浸泡，通过特定有机溶液在水中发生固相分离的原理，有效地粘附并去除晶圆表面的污染颗粒...
    2025-12-20
  • 一种SiC复合衬底的制备方法及SiC复合衬底
    一种SiC复合衬底的制备方法及SiC复合衬底_苏州龙驰半导体科技有限公司_202511492997.1
    本申请提供一种SiC复合衬底的制备方法及SiC复合衬底。制备方法包括如下步骤：对单晶SiC衬底进行H离子注入，形成氢注入单晶SiC衬底；在支撑衬底之上，胶接连接氢注入单晶SiC衬底，使得氢注入单晶SiC衬底和支撑衬底之间的连接为软连接；在H...
    2025-12-20
  • 一种半导体结构的制作方法
    一种半导体结构的制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511492160.7
    本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法至少包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成无定形碳层；将沉积无定形碳层后的衬底放入等离子腔室内，在预设温度和预设功率下，通入氢气和氩气预...
    2025-12-20
  • 一种隐切阻断及双刀四切的切割方法
    一种隐切阻断及双刀四切的切割方法_华天科技(南京)有限公司_202511125594.3
    本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种隐切阻断及双刀四切的切割方法，通过对来料产品背面预减薄，去除Wafer背面防氧化镀层, 减少隐切时能量反射，使硅面激光能量反射稳定，使用隐切设备的环切功能对产品边缘一周台阶处进行环切，达到阻隔裂纹向w...
    2025-12-20
  • 一种晶圆的制造方法及设备
    一种晶圆的制造方法及设备_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511025878.5
    本申请提供一种晶圆的制造方法及设备，具体涉及半导体技术领域。针对晶锭分片在碱性环境下的重刻蚀工艺中体铜污染与刻蚀参数存在较为复杂的非线性关系而导致难以确定合适的刻蚀参数的技术问题，本申请通过测试出随刻蚀温度值的增加，体铜残留测试值先减少后增...
    2025-12-20
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202510573568.0
    本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够控制氮化膜的蚀刻量。本公开的一个方式的基板处理方法包括：工序(a)，准备在表面具有氮化膜的基板；工序(b)，将所述基板暴露在从包含氢气和氧气的第一处理气体生成的等离子体中；工序(c)，向所述基板...
    2025-12-20
  • 晶圆的刻蚀方法
    晶圆的刻蚀方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511505955.7
    本申请涉及一种晶圆的刻蚀方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括衬底、依次层叠形成于所述衬底一侧的外延层、第一氧化层、第一硬掩膜层，及贯穿所述第一氧化层和所述第一硬掩膜层并延伸至外延层内的浅沟槽隔离结构；于所述衬底远离所述外延层的一侧形成多孔介质...
    2025-12-20
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