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最新专利技术
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_安徽华晟新能源科技股份有限公司_202511120146.4
    本公开提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法，所述制备方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的第一侧形成第一功能层，所述第一功能层的材料包括半导体掺杂材料和本征材料；在所述半导体衬底的第二侧形成第二功能层，所述第一功能层的材料包括半导体...
    2025-11-23
  • 一种太阳能电池金属化方法及其应用
    一种太阳能电池金属化方法及其应用_TCL中环新能源科技股份有限公司_202511120374.1
    本发明提供了一种太阳能电池金属化方法及其应用，涉及太阳能电池的技术领域，该太阳能电池金属化方法包括：(a)在第一温度下，对待金属化电池片背面的主栅区域进行一次烧结，形成主栅；(b)在第二温度下，对待金属化电池片背面的正极区域进行二次烧结，形...
    2025-11-23
  • 一种无机钙钛矿薄膜、钙钛矿电池及制备方法
    一种无机钙钛矿薄膜、钙钛矿电池及制备方法_天合光能股份有限公司_202511122308.8
    本发明属于光伏领域，具体涉及到一种无机钙钛矿薄膜、钙钛矿太阳能电池及制备方法。本发明制备无机钙钛矿薄膜的方法包括：(1)共蒸镀第一无机原料和第二无机原料，得到无机骨架层前体；对无机骨架层前体进行第一次退火，形成无机骨架层；(2)在无机骨架层...
    2025-11-23
  • 一种基于异质结材料紫外响应的光电探测器的制备方法
    一种基于异质结材料紫外响应的光电探测器的制备方法_大连民族大学_202511128953.0
    本发明适用于光电响应材料技术领域，提供了一种基于异质结材料紫外响应的光电探测器的制备方法，该方法通过引入稀土离子代替铅离子点位合成双钙钛矿材料Cs2NaCeBr6，通过引入核壳结构将N型半导体材料TiO2包覆于钙钛矿材料表面，通过TiO2的...
    2025-11-23
  • 晶硅底电池的高钝化方法、晶硅底电池及其叠层太阳电池
    晶硅底电池的高钝化方法、晶硅底电池及其叠层太阳电池_淮安捷泰新能源科技有限公司_202511129869.0
    本发明公开了一种晶硅底电池的高钝化方法、晶硅底电池及其叠层太阳电池。高钝化方法包括提供晶硅基底；采用LPCVD进行热氧化，在晶硅基底上制备隧穿氧化硅层；在隧穿氧化硅层之上，依次进行第一本征硅层沉积、富磷层或富硼层沉积、第二本征硅层沉积；高温...
    2025-11-23
  • 汇流条焊接方法及汇流组件
    汇流条焊接方法及汇流组件_横店集团东磁股份有限公司_202511139571.8
    本发明涉及汇流条焊接技术领域，公开了汇流条焊接方法及汇流组件。汇流条焊接方法，包括：翻折汇流条的端部，形成具有第一引流槽的翻折结构；端部搭接在放置有焊料的导电片上，翻折结构位于焊料的一侧，并且第一引流槽的开口朝向焊料；焊接端部；其中，第一引...
    2025-11-23
  • 太阳能电池的制备方法、太阳能电池及生产设备
    太阳能电池的制备方法、太阳能电池及生产设备_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202511141672.9
    本申请公开了一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及生产设备，制备方法包括：提供一电池片，所述电池片的背光面形成有依次层叠的隧穿氧化层和多晶硅层；对所述电池片的背光面进行蓝光辐照处理；对经过所述蓝光辐照处理的所述电池片的背光面进行红外光辐照处...
    2025-11-23
  • 一种TOPCon太阳能电池及其制备方法
    一种TOPCon太阳能电池及其制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202511150458.X
    本发明公开了一种TOPCon太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池领域，在硅片背面形成隧穿氧化层/第一非晶硅层/第一PSG层/第二非晶硅层/第二PSG层的叠层结构，经过磷扩散后形成第一磷掺杂多晶硅层和第二磷掺杂多晶硅层，其中所述第一磷掺杂多...
    2025-11-23
  • 一种背接触太阳能电池及其制备方法
    一种背接触太阳能电池及其制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511153923.5
    本发明公开一种背接触太阳能电池及其制备方法。制备方法可包括：提供电池基体，其中，电池基体包括晶硅基体，以及在晶硅基体背面交替排列的第一导电区域和第二导电区域，以及位于相邻的第一导电区域和第二导电区域之间的隔离区域，第一导电区域与第二导电区域...
    2025-11-23
  • 一种铯铋溴纳米片阵列/氧化锌异质结光电材料及其制备方法和应用
    一种铯铋溴纳米片阵列/氧化锌异质结光电材料及其制备方法和应用_西北工业大学_202511156389.3
    本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种铯铋溴纳米片阵列/氧化锌异质结光电材料及其制备方法和应用。制备方法包括：在基底表面涂覆乙酸锌溶胶后干燥、退火，得到负载氧化锌膜层基底；采用反溶剂法在氧化锌膜层表面生长铯铋溴纳米片阵列层，得到异质结光电...
    2025-11-23
  • 电池制备方法、太阳能电池及光伏组件
    电池制备方法、太阳能电池及光伏组件_安徽阳光光能科技有限公司_202511156860.9
    本申请涉及光伏技术领域，公开了一种电池制备方法、太阳能电池及光伏组件，本申请的电池制备方法包括：提供基底；基底具有第一表面以及远离第一表面的第二表面，第一表面上形成有第一掺杂层；形成覆盖第二表面以及基底的侧壁的第二掺杂层；在覆盖侧壁的第二掺...
    2025-11-23
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_淮安捷泰新能源科技有限公司_202511159458.6
    本申请公开了一种太阳能电池及其制备方法，涉及光伏技术领域。本申请的太阳能电池的制备方法中，通过对激光光斑扫描速度的控制，使得后续在刻蚀曝光区域的第一掺杂硅层和第一介质层时，曝光区域的边缘刻蚀深度会较浅，中部刻蚀深度较深，使得第一沟槽能够具有...
    2025-11-23
  • 太阳能电池的制备方法及太阳能电池生产线
    太阳能电池的制备方法及太阳能电池生产线_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202511174936.0
    本申请实施例涉及光伏技术领域，并提供一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池生产线。该太阳能电池的制备方法包括：对N型硅基底的至少第一面进行制绒；在N型硅基底靠近第一面处形成硼掺杂扩散层，并在硼掺杂扩散层上整面形成第一掩膜层；图案化第一掩膜层；...
    2025-11-23
  • 一种太阳能电池的烧结方法
    一种太阳能电池的烧结方法_泰州中来光电科技有限公司_202511176939.8
    本发明涉及光伏技术领域，公开了一种太阳能电池的烧结方法，其是在硅基体样品表面的同极性副栅两端施加电压或电流，并控制电压或电流的施加时间≤120s、且施加的电压的绝对值≤30V(或者施加的电流的绝对值≤20A)，使副栅上产生大量的焦耳热，来利...
    2025-11-23
  • 一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池
    一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511394356.2
    本发明公开一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池。该制备方法可包括：在N型晶硅基体第一主表面的N型区域以及隔离区域形成N型载流子收集层和层叠于N型载流子收集层外侧的含有N型掺杂原子的第一掺杂硅玻璃层；在N型晶硅基体的第一主表面的P...
    2025-11-23
  • 太阳能电池及其制造方法、叠层电池以及光伏组件
    太阳能电池及其制造方法、叠层电池以及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511493866.5
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供一种太阳能电池及其制造方法、叠层电池以及光伏组件，至少有利于提高分片电池采用激光辅助烧结对接触电阻的提升收益。制造方法包括：提供电池片，电池片包括相对的第一表面和第二表面；在第一表面形成第一细栅，且在第二表...
    2025-11-23
  • 太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511496688.1
    本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件，太阳能电池的制备方法包括提供基底；在第一表面形成层叠的初始扩散层与第一玻璃层，在第二表面形成层叠的初始隧穿层、初始掺杂导电层与第二玻璃层；第一玻璃层位于初始扩散层远离基底的一侧，第二...
    2025-11-23
  • 太阳能电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511503788.2
    本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件。上述制备方法包括以下步骤：提供硅片；对硅片的表面进行激光扫描，形成间隔排布的多个沟槽以及分布叠加于沟槽的多个凹坑；对形成有沟槽以及凹坑的表面进行湿法刻蚀处理，使相邻的凹坑相连通，形成...
    2025-11-23
  • 太阳能电池制备方法、太阳能电池、叠层电池及光伏组件
    太阳能电池制备方法、太阳能电池、叠层电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511509825.0
    本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池制备方法、太阳能电池、叠层电池及光伏组件。制备方法包括：在基底的第一面制备隧穿氧化层；在隧穿氧化层沿厚度方向的表面以第一沉积条件沉积多晶硅，并由第一沉积条件逐渐减小到第二沉积条件；在第一掺...
    2025-11-23
  • 一种兼具低氧含量和低微缺陷含量的硅片及其应用和检测硅片的方法
    一种兼具低氧含量和低微缺陷含量的硅片及其应用和检测硅片的方法_上虞半导体材料研究中心_202511114298.3
    本发明属于太阳能光伏领域，具体涉及一种兼具低氧含量与低微缺陷含量的硅片及其应用和检测硅片的方法。一种兼具低氧含量和低微缺陷含量的硅片，当所述硅片中氧含量低于25ppma时, COP尺寸为100‑200nm，含量为1500‑2000个/片；当...
    2025-11-23
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