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最新专利技术
  • 并行或周期性蚀刻以及方向性沉积
    并行或周期性蚀刻以及方向性沉积_应用材料股份有限公司_202480026746.1
    一种蚀刻和沉积系统包括：制程腔室，包含用于支撑基底的平台；反应性离子蚀刻(RIE)源，适配于产生离子束并将离子束导入制程腔室中以蚀刻基底；第一等离子体增强化学气相沉积(PECVD)源，位于RIE源的第一侧上，第一PECVD源适配于产生第一自...
    2025-11-21
  • 锥光晶圆定向装置以及包括其的离子植入器
    锥光晶圆定向装置以及包括其的离子植入器_应用材料股份有限公司_202480027007.4
    离子植入器，包括产生离子束的离子源、一组将离子束沿着与参考平面垂直的束轴引导至基板的束线元件、容纳接收离子束的基板的制程腔室，以及锥光系统。锥光系统可包括：将光引导至基板位置的照明光源、第一偏光片组件，包含第一偏光片元件和配置在第一偏光片元...
    2025-11-21
  • 用于离子束质量分析的装置、系统和技术
    用于离子束质量分析的装置、系统和技术_应用材料股份有限公司_202480024148.0
    一种装置可包括设置于会聚离子束总成的下游的电动质量分析(EDMA)总成。EDMA总成可包括第一级，第一级包括：第一上部电极，设置于束轴线上方；以及第一下部电极，设置于束轴线下方且与第一上部电极相对。EDMA总成亦可包括第二级，第二级设置于第...
    2025-11-21
  • 用于IMR/PTR-MS的中空阴极辉光放电试剂离子源
    用于IMR/PTR-MS的中空阴极辉光放电试剂离子源_爱奥尼肯分析股份有限公司_202480024085.9
    本发明涉及一种用于离子分子反应‑质谱(IMR‑MS)和/或质子转移反应‑质谱(PTR‑MS)的装置和用于操作装置的方法，用于通过经由特定类型的试剂离子的化学电离来分析用于至少一种被分析化合物的气体，该装置包括：试剂离子源，具有中空阴极辉光放...
    2025-11-21
  • 半导体器件的制造方法以及接合晶片
    半导体器件的制造方法以及接合晶片_三菱电机株式会社_202380095859.2
    本公开的目的在于，在再次利用晶片的半导体器件的制造中，提高生产率并且抑制晶片破裂。本公开所涉及的半导体器件的制造方法具备：(a)通过在厚度方向上分割多个SiC晶片(13、17)的每一个，从各SiC晶片(13、17)得到不包含器件构造(12、...
    2025-11-21
  • 硬罩幕与光致抗蚀剂中修饰开口以达到预期临界尺寸的方法
    硬罩幕与光致抗蚀剂中修饰开口以达到预期临界尺寸的方法_应用材料股份有限公司_202480026966.4
    修改光罩中的开口以达成期望的临界尺寸的方法，此方法包括在光罩上执行预植入以将掺杂材料植入光罩，其中光罩的材料致密化且开口放大，引导第一基态光束朝向开口的第一横向侧以在第一横向侧上沉积材料层，以及引导第二基态光束朝向与第一横向侧相对的开口的第...
    2025-11-21
  • 用于减少后连续渗透合成缺陷的方法
    用于减少后连续渗透合成缺陷的方法_应用材料公司_202480026981.9
    本文所公开的实施例描述了用于处理基板的方法。在一个实例中，处理膜堆叠的层的方法包括预处理形成在基板上的膜堆叠的底层的表面，并通过在靠近膜堆叠的处理环境中加热含甲基材料以在膜堆叠的光致抗蚀剂层中形成金属氧化物。膜堆叠包括布置在底层顶部上并与底...
    2025-11-21
  • 通过混合工艺于高深宽比结构中制造硅化物的方法
    通过混合工艺于高深宽比结构中制造硅化物的方法_应用材料公司_202480024143.8
    本公开案涉及一种通过使用多步沉积工艺在高深宽比结构中选择性形成硅化物的方法。将第一前体气体输送至设置在维持在第一工艺压力下的工艺腔室的处理区域内的表面，其中所述基板在第一温度下维持持续第一时间段。在所述第一时间段已经过去后输送所述净化气体持...
    2025-11-21
  • 用于导电特征的室温物理气相沉积的低能量底层
    用于导电特征的室温物理气相沉积的低能量底层_应用材料公司_202480027361.7
    本揭露的实施例通常涉及在基板上形成电导特征的方法。在一个实施例中，该方法包括在基板的开口处透过物理气相沉积(PVD)形成第一导电层。第一导电层的厚度小于20埃。该方法进一步包括透过PVD在第一导电层上形成第二导电层。第一导电层和第二导电层是...
    2025-11-21
  • 保护片和电子器件的制造方法
    保护片和电子器件的制造方法_日东电工株式会社_202480021910.X
    本发明提供保护片等，所述保护片具备保护层，所述保护层待贴合于具有保护对象面的电子器件的所述保护对象面、或连结多个所述电子器件而得到的电子器件连结体的保护对象面，浸渍于25℃的水中180秒后的所述保护层的质量减少率WW为0质量％以上且30质量...
    2025-11-21
  • 接合体及接合体的制造方法
    接合体及接合体的制造方法_日本碍子株式会社_202380094498.X
    一种接合体，该接合体具有：压电材料基板11；支撑基板13，其接合于压电材料基板；以及外周加工部，其是使压电材料基板11及支撑基板13的外周部相对于压电材料基板11的主表面倾斜而得到的，外周加工部包括：压电材料基板11面对的第一倾斜面、以及位...
    2025-11-21
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202480021449.8
    基板处理方法包括：准备基板，所述基板具有第一主面以及朝向与所述第一主面的朝向相反的第二主面，并且在所述第一主面具有起伏；以及进行所述基板的所述第一主面的激光加工。基板处理方法包括：在所述激光加工之前获取所述第一主面的起伏的映射数据；基于所述...
    2025-11-21
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202480021450.0
    基板处理方法包括以下处理：准备基板，所述基板具有第一主面以及朝向与所述第一主面的朝向相反的第二主面，并且在所述第一主面具有起伏；以及进行所述基板的所述第一主面的激光加工。基板处理方法包括以下处理：在所述激光加工之前获取所述第一主面的起伏的映...
    2025-11-21
  • 基板处理装置及基板处理方法
    基板处理装置及基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480023339.5
    本发明提供一种无论基板的主面的湿润性如何，均能抑制处理液被挡板溅起而附着于基板的主面的技术。基板处理装置具备基板保持部(2)、喷嘴(3)、挡板(7)、挡板升降驱动部(8)及控制部(90)。喷嘴(3)向由基板保持部(2)保持的基板(W)的主面...
    2025-11-21
  • 具有提升的表面纯度的含硅及锗材料的选择性蚀刻
    具有提升的表面纯度的含硅及锗材料的选择性蚀刻_应用材料公司_202380097434.5
    示例性半导体处理方法可包括将含氧前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。基板可容纳在处理区域内。第一层含硅及锗材料、第二层含硅及锗材料、及含硅材料层可设置在基板上。方法可包括使基板与含氧前驱物接触。接触可氧化第二层含硅及锗材料的至少部分。方法...
    2025-11-21
  • 等离子体处理装置和终点检测方法
    等离子体处理装置和终点检测方法_东京毅力科创株式会社_202480026054.7
    一种等离子体处理装置，其具备测定发光强度的分光计，基于由上述分光计计测的计测结果，控制蚀刻的终点检测的控制部，上述控制部在将包含硅和氧的第1层与包含硅和氮的第2层交替层叠的层叠膜利用等离子体蚀刻时，执行以下步骤：(a)由上述分光计取得上述氧...
    2025-11-21
  • 选择性蚀刻氮化硅的方法
    选择性蚀刻氮化硅的方法_应用材料公司_202480026950.3
    本公开内容的实施例针对选择性蚀刻工艺。工艺包括使前驱物流入含有基板的半导体处理腔室中，前驱物包括卤素间化合物、含卤素物质、伪卤素物质中的一者或多者、卤素间化合物、含卤素物质或伪卤素物质中的一者或多者与胺或膦的混合物，或卤素间化合物、含卤素物...
    2025-11-21
  • 选择性蚀刻氮化硅的方法
    选择性蚀刻氮化硅的方法_应用材料公司_202480027260.X
    本发明的实施例关于选择性蚀刻处理。处理包括蚀刻化学(含氟前驱物与第一气体混合物的等离子体)，及钝化化学(含硫前驱物与第二气体混合物的等离子体)。在一实施例中，含硫前驱物与第二气体混合物以含硫前驱物与第二气体混合物的比例在从0.01至5的范围...
    2025-11-21
  • 绝缘膜形成材料、半导体装置的制造方法及半导体装置
    绝缘膜形成材料、半导体装置的制造方法及半导体装置_艾曲迪微系统股份有限公司_202480026473.0
    一种具有感光性的绝缘膜形成材料，其为包含(A)聚酰亚胺前体、(B)溶剂和(C)填料的绝缘膜形成材料，将所述绝缘膜形成材料成型而成的绝缘膜的i线透射率为5%~40%。
    2025-11-21
  • 外延膜缺陷确定
    外延膜缺陷确定_应用材料公司_202480027568.4
    一种方法包括以下步骤：由处理设备获得包括外延膜的基板的第一图像数据。所述方法进一步包括以下步骤：向所述第一图像数据应用频域过滤器以获得经过滤的图像数据。所述方法进一步包括以下步骤：通过对所述经过滤的图像数据执行特征检测，确定所述第一图像数据...
    2025-11-21
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