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最新专利技术
  • 一种高双面率背接触电池及制备方法和应用
    一种高双面率背接触电池及制备方法和应用_福建省金石能源股份有限公司_202511596426.2
    本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种高双面率背接触电池及制备方法和应用，包括：S101、对硅片双面进行一次制绒，之后清洗，一次制绒后的绒面金字塔高度记为T1；S102、在硅片背面依次形成第一半导体层和掩膜层；S103、形成间隔排布的第...
    2025-12-24
  • 一种高精度掩膜对位的背接触电池制备方法及其电池
    一种高精度掩膜对位的背接触电池制备方法及其电池_福建省金石能源股份有限公司_202511596429.6
    本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种高精度掩膜对位的背接触电池制备方法及其电池，包括：S103、对硅片背面进行抛光或二次制绒处理；S104、在硅片背面沉积本征非晶硅层；S105、采用硬质掩膜板先与硅片背面的预设第一半导体区对位，形成第...
    2025-12-24
  • 光伏电池栅线的制备方法
    光伏电池栅线的制备方法_苏州新维度微纳科技有限公司_202511609689.2
    本发明公开了一种光伏电池栅线的制备方法，包括：制备转移模板，所述转移模板包括相背设置的第一表面和第二表面，且所述第一表面设有凹陷设置的压印腔；向所述压印腔中填充导电浆料，并对导电浆料进行结构固化以获得导电结构层；在光伏电池表面制备改性层；将...
    2025-12-24
  • 一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件
    一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511576793.6
    本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件，太阳能电池具有基底和设置于基底一侧的发射极，发射极包括沿远离基底的厚度方向依次设置的第一扩散区、第二扩散区和第三扩散区；第一扩散区掺杂有镓元素，第二扩散区掺杂有硼元素和镓...
    2025-12-24
  • 太阳电池及其制备方法
    太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202410924419.X
    本公开提供了一种太阳电池及其制备方法。该太阳电池包括半导体衬底、第一掺杂层和第二掺杂层。半导体衬底具有相对设置的迎光面和背光面，背光面远离迎光面的一侧设置有第一掺杂层和第二掺杂层，第一掺杂层和第二掺杂层交替设置，第一掺杂层的掺杂类型为第一掺...
    2025-12-24
  • 太阳电池及其制备方法
    太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202411252005.3
    本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。上述的太阳电池包括衬底，以及依次层叠设置于衬底至少一个表面上的掺杂硅材料层和金属电极。掺杂硅材料层和金属电极的接触面具有绒面结构，绒面结构包括多个金字塔结构。接触面包括第一子接触面和第二子接触面，第一子接...
    2025-12-24
  • 一种太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202411066874.7
    本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，其中太阳电池包括正极细栅和负极细栅，正极细栅的外表面设置有导电保护层，导电保护层中包括第一金属材料，第一金属材料中的金属元素对应的氢氧化物在25℃时的溶解度为1.1×10‑6g/100g H2...
    2025-12-24
  • 一种GeO2自驱动紫外探测器电极阵列结构
    一种GeO2自驱动紫外探测器电极阵列结构_宁波大学_202510965888.0
    本发明公开了一种GeO2自驱动紫外探测器电极阵列结构，包括衬底、二氧化锗膜层和金属电极。二氧化锗膜层设置在衬底的表面。金属电极包括多个，各金属电极均设置在二氧化锗膜层的表面，各金属电极呈阵列排布，同一行的各金属电极的尺寸呈顺序增大设置，同一...
    2025-12-24
  • 太阳能电池、电池串、电池组件和光伏系统
    太阳能电池、电池串、电池组件和光伏系统_山东爱旭太阳能科技有限公司_202511163604.2
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池、电池串、电池组件和光伏系统，在太阳能电池中，第一边缘汇流结构连接第一焊盘以及第一焊盘和第一边缘之间的第一细栅。第一边缘汇流结包括位于第一焊盘和第一边缘之间的至少一根第一汇流线和至少一根第...
    2025-12-24
  • 一种太阳能电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511203351.7
    本发明公开了一种太阳能电池组件及光伏系统。该太阳能电池包括：太阳能电池，背面胶膜和正面胶膜；太阳能电池包括：第一电极和第二电极；第一电极和第二电极设置于太阳能电池的背面；背面胶膜设置于太阳能电池的背面，且覆盖第一电极和第二电极；正面胶膜设置...
    2025-12-24
  • 光伏电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件
    光伏电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511592907.6
    本申请涉及光伏电池领域，提供一种光伏电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件，其中光伏电池包括：基底；掺杂层，掺杂层设置在基底至少一侧表面，掺杂层包括：第一区域，第一区域沿第一方向连续延伸，若干第一区域沿第二方向依次间隔设置；第一方向和第二方向...
    2025-12-24
  • 背接触电池、光伏组件及背接触电池的制备方法
    背接触电池、光伏组件及背接触电池的制备方法_晶科能源(海宁)有限公司_202511606375.7
    本申请涉及光伏技术领域，特别是涉及背接触电池、光伏组件及背接触电池的制备方法。该背接触电池包括硅基体，硅基体包括正面和背面；背面依次交替设置有多个第一区域和多个第二区域，第一区域和第二区域通过间隙相互隔离，第一区域上设置有第一半导体层，第二...
    2025-12-24
  • 一种光伏组件及其制造方法
    一种光伏组件及其制造方法_晶科能源(海宁)有限公司_202511606730.0
    本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种光伏组件及其制造方法。光伏组件包括电池串组、沿第二方向延伸的第二互联条和互联部。在第一方向上，相邻的电池串之间通过电连接件电性连接。在电池串的厚度方向上，第二互联条位于电池串的背光面，第二互联条与电...
    2025-12-24
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202410913262.0
    本申请涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池包括：硅基底，硅基底表面具有纹理结构，纹理结构为金字塔型结构；沿背离硅基底方向依次设置有钝化层和减反射层，减反射层背离钝化层的表面也具有纹理结构，在减反射层的...
    2025-12-24
  • 钝化接触结构及其制备方法、太阳电池及其制备方法、光伏组件
    钝化接触结构及其制备方法、太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202411182955.3
    本发明公开了一种钝化接触结构及其制备方法、太阳电池及其制备方法、光伏组件，该钝化接触结构包括介质层和掺杂层，其中，掺杂层包括：叠层设置于介质层上的第一掺杂多晶硅层；叠层设置于第一掺杂多晶硅层背离介质层一侧的氮氧化硅层；叠层设置于氮氧化硅层背...
    2025-12-24
  • 一种背接触太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种背接触太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202411198164.X
    本申请涉及背接触太阳电池技术领域，尤其涉及一种背接触太阳电池及其制备方法、光伏组件。该背接触太阳电池，包括硅衬底、透光胶粘层以及透光保护膜。硅衬底具有受光面，受光面上设置有绒面结构。透光胶粘层设置在绒面结构背离硅衬底的一面并填充绒面结构。透...
    2025-12-24
  • 光伏组件
    光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511232385.9
    本公开提供了一种光伏组件，其包括太阳电池和紫外吸收层，所述紫外吸收层设置于所述太阳电池的至少一侧。太阳电池包括设置于迎光面的氧化铝层，紫外吸收层设置于太阳电池的迎光面之上，紫外吸收层对于300nm~320nm波段的紫外光的平均透过率≤20%...
    2025-12-24
  • 背接触电池及其制备方法、光伏组件
    背接触电池及其制备方法、光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511543679.3
    本申请涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种背接触电池及其制备方法、光伏组件，能够简化制备工艺，背接触电池包括：半导体基底，包括第一表面和第二表面，第一表面包括第一区域、第二区域及第三区域，在第一区域的表面形成有掺杂晶硅区，第三区域位于第一区...
    2025-12-24
  • 太阳能电池及其制备方法和光伏组件
    太阳能电池及其制备方法和光伏组件_天合光能股份有限公司_202511600030.0
    本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及太阳能电池及其制备方法和光伏组件。一种太阳能电池，包括：基底、第一堆叠结构和第二堆叠结构，基体具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；第一堆叠结构设置于第一区域，包括：沿逐渐远离基底的方向依次层...
    2025-12-24
  • 一种基于双光阻材料的内埋元件载板及其制造方法
    一种基于双光阻材料的内埋元件载板及其制造方法_芯爱科技(南京)有限公司_202511595960.1
    本发明提供的一种基于双光阻材料的内埋元件载板及其制造方法，属于电子封装技术领域。该内埋元件载板包括：埋入式线路层，具有相对的第一侧与第二侧；第一绝缘层，采用第一光敏材料覆盖于所述埋入式线路层的第一侧；第一盲孔，形成于第一绝缘层中；电子元件，...
    2025-12-24
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