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最新专利技术
  • 导电结构、半导体装置及其制造方法
    导电结构、半导体装置及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411207189.1
    本发明公开一种导电结构、半导体装置及其制造方法，其中该导电结构包括第一导电层、第二导电层、绝缘层以及导电插塞。第二导电层位于第一导电层上，且第二导电层至少覆盖第一导电层的第一部分。绝缘层覆盖第一导电层及第二导电层。导电插塞从绝缘层上方穿过绝...
    2026-03-19
  • 半导体存储器结构及其形成方法
    半导体存储器结构及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202411406837.6
    本申请实施例提供一种半导体存储器结构及其形成方法，半导体存储器结构包含第一主动区、相邻于第一主动区的第二主动区、围绕第一主动区和第二主动区的隔离结构、横跨第一主动区延伸的第一位线结构、以及延伸至第二主动区中的接触插塞。隔离结构包含第一绝缘材...
    2026-03-19
  • 形成存储器装置的方法
    形成存储器装置的方法_南亚科技股份有限公司_202411482354.4
    本公开的一些实施方式提供一种形成存储器装置的方法，包括在介电质结构上形成光阻、穿过光阻形成介电质结构中的沟槽以暴露嵌入介电质结构中的栅极电极、通过灰化气体移除光阻，其中灰化气体具有将硅晶圆的表面氧化成厚度薄于的氧化层的氧化能力。方法还包括形...
    2026-03-19
  • 电气结构及其制备方法
    电气结构及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510233415.1
    本申请公开一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底；一第一绝缘层，经配置在该基底的一第一表面上；一第二绝缘层，经配置在该第一绝缘层上；以及一电气接点，延伸穿过该第一绝缘层及该第二绝缘层，以与该基底的该第一表面电性连接，...
    2026-03-19
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510520169.8
    一种半导体器件，包括：存储单元阵列区域，包括与字线和位线连接的存储单元；以及外围电路区域，包括第一半导体元件和第二半导体元件。第一半导体元件和第二半导体元件中的每一个包括：鳍结构，在衬底上沿第一方向延伸；栅极结构，沿垂直于第一方向的第二方向...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510974797.3
    一种半导体装置可以包括：位线，其在第一方向上延伸；第一半导体竖直部分，其位于位线上并在竖直方向上延伸；第一字线，其与第一半导体竖直部分相邻；栅极绝缘图案，其在第一半导体竖直部分和第一字线之间；以及接触图案，其位于第一半导体竖直部分的上表面上...
    2026-03-19
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202511032597.2
    示例半导体存储器装置可包括：第一导线，在与基底垂直的第一方向上延伸；第一栅电极，在基底上在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第一半导体图案，从第一导线延伸到第一栅电极；第二栅电极，在基底上与第一栅电极间隔开，并且在第二方向上延伸；以及接触件，...
    2026-03-19
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202511040999.7
    本申请涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件可包括高集成度的存储单元，并且制造半导体器件的方法可包括形成模堆叠，该模堆叠包括垂直堆叠在衬底之上的多个模层；在模堆叠中形成牺牲层；蚀刻牺牲层并形成多个牺牲层图案和多个孔形开口；形成填充孔形开口的...
    2026-03-19
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司_202511130944.5
    本发明涉及一种半导体存储装置，是在金属半导体绝缘膜电场效应晶体管的电性浮体中储存多数载子以存储数据。通过将与浮体电容耦合的板线按每一字符线分离并配线成平行于字符线，而通过对于板线施加电压，从而沿着字符线一并执行多数载子的擦除操作。半导体存储...
    2026-03-19
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202511131214.7
    一种半导体存储器件，可以包括：垂直半导体图案，垂直半导体图案在第一方向上延伸；多条位线，多条位线位于垂直半导体图案的下表面上，位线中的每一者在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及多个第一栅极结构，多个第一栅极结构位于垂直半导体图案的第一侧表...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202511143129.2
    一种半导体装置可包括：多个沟道，在基底的第一区域上，所述多个沟道在与基底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开，并且基底包括第一区域和第二区域；栅极结构，至少部分地围绕所述多个沟道中的每个；位线，与所述多个沟道中的每个的第一端部接触，位线在竖直...
    2026-03-19
  • 半导体器件
    半导体器件_爱思开海力士有限公司_202511193053.4
    公开了一种半导体器件，其包括：基板；垂直图案，其包括半导体区域且在垂直于基板的一个表面的方向上延伸；以及字线，其设置为与垂直图案的侧表面接触且在平行于基板的一个表面的方向上延伸。字线可以包括：第一子字线，其邻近基板设置；第二子字线，其位于第...
    2026-03-19
  • 半导体器件
    半导体器件_福建省晋华集成电路有限公司_202511881205.X
    本申请提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；字线，位于衬底内；隔离结构，位于衬底上并与字线对应，隔离结构包括：第一介质层，第一介质层中包括一缝隙；第一氧化层，保形覆盖第一介质层的缝隙，第一氧化层界定一凹陷，凹陷包括上凹陷和下凹陷，其中...
    2026-03-19
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202610121167.6
    本公开提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备，该制造方法包括在衬底上形成堆叠结构；在堆叠结构中形成沿第一方向排布的多个初始隔离结构，初始隔离结构沿第二方向延伸；其中，至少一个初始隔离结构中存在空腔；在初始隔离结构沿第二方向的相对两侧中的...
    2026-03-19
  • 半导体结构、形成方法、半导体器件及存储系统
    半导体结构、形成方法、半导体器件及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411155738.5
    本公开提供一种半导体结构、形成半导体结构的方法、半导体器件及存储系统，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：包括沿第一方向交替堆叠的导电层和第一介质层的第一堆叠结构；包括沿第一方向交替堆叠的第二介质层和第一介质层的第二堆叠结构；沿第一方向设...
    2026-03-19
  • 存储器装置
    存储器装置_铠侠股份有限公司_202510268155.1
    本发明可提高集成度。一实施方式的存储器装置具备：衬底、第1半导体层及第2半导体层，在第1方向上互相隔开并依序排列；多个第1布线层，在衬底与第1半导体层之间，在第1方向上互相隔开排列，且包含第1层；多个第2布线层，在第1半导体层与第2半导体层...
    2026-03-19
  • 半导体装置和制造半导体装置的方法
    半导体装置和制造半导体装置的方法_三星电子株式会社_202510657731.1
    提供了一种制造半导体装置的方法和半导体装置。半导体装置制造方法包括：通过在基底上交替地形成牺牲层和模塑层来形成模制堆叠件；在模制堆叠件上形成光致抗蚀剂图案，同时暴露模制堆叠件的部分；以及去除模制堆叠件的所述部分以形成延伸到模制堆叠件中的接触...
    2026-03-19
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_铠侠股份有限公司_202510136731.7
    实施方式提供一种能够降低存储器孔宽度的偏差的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备基板、层叠膜和柱状部。层叠膜设置在基板的上方，具有在与基板的上表面相交的第一方向上交替层叠的多个绝缘层和多个电极层。柱状部沿第一方向贯通层叠膜。多个...
    2026-03-19
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411140875.1
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括沿着垂直于衬底方向堆叠的一个或多个存储单元阵列：存储单元包括：第一晶体管、第二晶体管和浮栅；所述第一晶体管包括第一半导体层、第一栅极、第二栅极；所述第二栅极沿着垂直于所述衬底方向延伸，所述...
    2026-03-19
  • SONOS存储器制造方法
    SONOS存储器制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202411180344.5
    本发明公开了一种SONOS存储器制造方法，先在栅介质层表面沉积多晶硅层，光刻刻蚀形成两两间隔的选择管栅极多晶硅及存储管栅极多晶硅，再通过光刻只打开在左右相邻选择管栅极多晶硅之间区域，然后在离子注入时，离子注入区域就会限定在左右相邻选择管栅极...
    2026-03-19
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