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最新专利技术
  • 一种用于集成电路裂纹检测的电路结构及方法
    一种用于集成电路裂纹检测的电路结构及方法_小华半导体有限公司_202511861424.1
    本发明提供一种用于集成电路裂纹检测的电路结构及方法。所述电路结构包括交叉对称结构检测环，所述交叉对称结构检测环包括两条对称的通路结构，每条通路结构由顶层金属和底层金属或前道工艺电阻交替对称组成；以及差分检测电路，其连接至所述交叉对称结构检测...
    2026-03-16
  • 使用碳掩模图案制造半导体器件的方法
    使用碳掩模图案制造半导体器件的方法_爱思开海力士有限公司_202510689215.7
    本公开涉及使用碳掩模图案制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：形成目标层；在目标层之上形成改性前碳层；通过执行改性工艺和图案化工艺对改性前碳层进行改性和图案化以形成改性后碳掩模图案；以及通过使用改性后碳掩模图案作为刻蚀掩模执行...
    2026-03-16
  • 一种基于剥离工艺的超薄磁性掩模版制作方法
    一种基于剥离工艺的超薄磁性掩模版制作方法_上海澜矽昌科技有限公司_202511817857.7
    本发明公开了一种基于剥离工艺的超薄磁性掩模版制作方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括硅基晶圆预处理后旋涂双层光刻胶，经光刻形成“倒梯形”图形；采用 PVD 倾斜沉积 NiFe 磁性层，NMP 超声去胶保留 NiFe 图形；CMP 研磨 ...
    2026-03-16
  • 半导体结构的制备方法及半导体结构
    半导体结构的制备方法及半导体结构_原集微(上海)电子有限公司_202610129683.3
    本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供第一基底，第一基底包括第一衬底和依次层叠于第一衬底上的第一二维半导体层、第一绝缘层，提供第二基底，第二基底包括第二衬底和依次层叠于第二衬底上的第二二维半导体层、第二绝缘层，将第二基底...
    2026-03-16
  • 一种晶圆片加工工艺及加工工装
    一种晶圆片加工工艺及加工工装_浙江启真量子科技有限公司_202511758714.3
    本发明涉及半导体加工技术领域，公开一种晶圆片加工工艺及加工工装。其中晶圆片加工工艺包括以下步骤：S1、获取两个预处理后的预处理晶圆片，预处理晶圆片包括接触面和非接触面，将两个预处理晶圆片的接触面贴合后形成晶圆片组；S2、将晶圆片组放置于加工...
    2026-03-16
  • 一种晶圆的热处理装置及方法、晶圆
    一种晶圆的热处理装置及方法、晶圆_浙江启真量子科技有限公司_202511759875.4
    本发明公开了一种晶圆的热处理装置及方法、晶圆，涉及半导体制造技术领域。该晶圆的热处理装置用于对减薄后的晶圆进行应力优化。晶圆包括中部区域和环设于中部区域周向的边缘区域。热处理装置包括热处理炉和工装治具；工装治具设于热处理炉内，用于承载晶圆。...
    2026-03-16
  • 一种具有垂直互连结构的半导体器件及其制备方法
    一种具有垂直互连结构的半导体器件及其制备方法_润新微电子(大连)有限公司_202511614183.0
    本发明公开了一种具有垂直互连结构的半导体器件及其制备方法，所述半导体器件形成在衬底上，所述衬底上具有一个或多个器件单元，所述器件单元的四周或相邻的器件单元之间具有隔离槽，每个所述器件单元包括设置在所述衬底上的外延层，每个所述器件单元内开设有...
    2026-03-16
  • 优化接触孔轮廓的方法及半导体结构
    优化接触孔轮廓的方法及半导体结构_上海华力集成电路制造有限公司_202511714241.7
    本发明公开了一种优化接触孔轮廓的方法及一种半导体结构，属于半导体制造技术领域。该方法包括：在基底上，通过通入含硅前驱体气体和含碳前驱体气体，沉积形成作为刻蚀减速层的第一无定形硅层；在该第一无定形硅层上，通过停止通入含碳前驱体气体并继续通入含...
    2026-03-16
  • 基于相同基础芯片和光刻偏移参数制备多层堆叠用不同芯片的方法
    基于相同基础芯片和光刻偏移参数制备多层堆叠用不同芯片的方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202610129824.1
    本发明公开了一种基于相同基础芯片和光刻偏移参数制备多层堆叠用不同芯片的方法，所述方法包括：采用第一掩膜版，在N片具有相同结构的基础芯片上制作相同孔结构，获得N片有相同孔结构的基础芯片，所述基础芯片包括第一基础芯片、第二基础芯片，……，第N基...
    2026-03-16
  • 基于光刻设备的多层堆叠芯片及多层堆叠方法
    基于光刻设备的多层堆叠芯片及多层堆叠方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202610130675.0
    本发明公开了一种基于光刻设备的多层堆叠芯片及多层堆叠方法，包括：采用第一掩膜版对N片相同结构的基础芯片制作相同基础连接垫。更换为第二掩膜版；采用第一基础芯片，设置第一掩膜版偏移距离，和/或第一基础芯片光刻机载台的第一偏移距离，曝光后制作第一...
    2026-03-16
  • 基于相同基础芯片和不同连接结构制备多层堆叠用不同芯片的方法
    基于相同基础芯片和不同连接结构制备多层堆叠用不同芯片的方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202610130801.2
    本发明公开了一种基于相同基础芯片和不同连接结构制备多层堆叠用不同芯片的方法，所述方法包括：采用第一掩膜版在第一基础芯片上光刻制作第一连接结构，以获得第一芯片；采用第二掩膜版在第二基础芯片上光刻制作第二连接结构，以获得第二芯片；重复上述步骤多...
    2026-03-16
  • 一种封装结构和相应的制备方法
    一种封装结构和相应的制备方法_长电科技管理有限公司_202511637377.2
    本发明涉及半导体封装技术领域，本发明公开了一种封装结构和相应的制备方法，包括：基板；位于所述基板上方的芯片；位于所述芯片上方的中介层；其中，所述芯片的内部具有导电通孔，所述导电通孔连接所述芯片的正面且暴露于所述芯片的背面，所述芯片的背面具有...
    2026-03-16
  • M0A层金属互连线线端开路OPC方法及器件
    M0A层金属互连线线端开路OPC方法及器件_上海华力集成电路制造有限公司_202511767498.9
    本发明公开了一种M0A层金属互连线线端开路OPC方法，包括以下步骤：S1，识别修整对象，在M0A层版图中识别被两根金属互连线长线夹持的孤立金属互连线的线端图形；S2，对识别出的线端图形执行OPC re‑target操作，通过改变线端图形的几...
    2026-03-16
  • 一种顶层金属层结构、生成方法以及半导体器件
    一种顶层金属层结构、生成方法以及半导体器件_粤芯半导体技术股份有限公司_202610124523.X
    本申请实施例公开了一种顶层金属层结构、生成方法以及半导体器件。本申请实施例提供的技术方案通过将顶层金属层上的顶层金属呈蛇形布置，并在顶层金属在蛇形布置的转角内角设置为第一倒角，在顶层金属在蛇形布置的转角外角设置为第二倒角，可有效减少顶层金属...
    2026-03-16
  • 基于相同基础芯片的多层堆叠芯片及多层堆叠方法
    基于相同基础芯片的多层堆叠芯片及多层堆叠方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202610130899.1
    本发明公开了一种基于相同基础芯片的多层堆叠芯片及多层堆叠方法，包括：第一芯片，采用第一掩膜版在第一基础芯片上光刻制作第一连接垫获得；第二芯片，采用第二掩膜版在第二基础芯片上光刻制作第二连接垫获得；以此类推；第N芯片，采用第N掩膜版在第N基础...
    2026-03-16
  • 一种半导体器件的制备方法及半导体器件
    一种半导体器件的制备方法及半导体器件_广州增芯科技有限公司_202511845802.7
    本发明提供了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，在半导体衬底的顶硅层内制备浅沟槽和有源区的基础上，额外刻蚀埋氧层，以露出底硅层表面和有源区内的部分顶硅层底面。再通过外延工艺自对准并贴敷于暴露出的底硅层表面和顶硅层部分底面的紧密的散热膜，将...
    2026-03-16
  • 一种SMDF封装结构及其封装方法
    一种SMDF封装结构及其封装方法_苏州亿芯微电子技术有限公司_202511546715.1
    本发明公开了一种SMDF封装结构及其封装方法，包括：带底侧电极与顶侧电极的半导体芯片；含顶部芯片贴装区和底部外露散热焊盘的散热导电底板；设于芯片底侧电极与底板贴装区之间，实现芯片固定及热电连接的芯片贴装层；电连接芯片顶侧电极的导电连接块；第...
    2026-03-16
  • 散热结构、散热模块及电子装置
    散热结构、散热模块及电子装置_财团法人工业技术研究院_202510047848.8
    本发明公开一种散热结构、散热模块及电子装置。散热结构包括基底以及多个弯曲鳍片，其中弯曲鳍片并列地设置于基底上，每一个弯曲鳍片具有多个波峰，而所述波峰中任意二个相邻的波峰之间具有间距，且所述间距中的至少二个不相同。
    2026-03-16
  • 嵌入式功率模块总成及具有其的车辆
    嵌入式功率模块总成及具有其的车辆_中国第一汽车股份有限公司_202511573076.8
    本发明提供了一种嵌入式功率模块总成及具有其的车辆。嵌入式功率模块总成包括：多个铜箔层；芯片，芯片为多个，多个芯片设置于多个铜箔层之间，多个芯片中的部分芯片设置于铜箔层的上桥区域，另一部分的芯片设置于铜箔层的下桥区域；散热基座，多个芯片通过散...
    2026-03-16
  • 集成功率器件及集成功率器件的制备方法
    集成功率器件及集成功率器件的制备方法_浙江晶能微电子有限公司_202511656511.3
    本申请提供一种集成功率器件及集成功率器件的制备方法，所述集成功率器件包括芯片模块和散热模块。芯片模块包括芯片层和功能层。所述芯片层包括至少一个芯片。所述功能层包括第一功能层和第二功能层，所述第一功能层和所述第二功能层分别位于所述芯片层的两侧...
    2026-03-16
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