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  • 本公开内容涉及钙钛矿太阳能电池生产及相关用途、产品和太阳能电池。本发明提供了溶液作为墨以在墨印刷操作中在钙钛矿太阳能电池的生产中的中间产品的表面上提供经由干燥可转化为钙钛矿太阳能电池的功能层的表面膜的用途,其中墨印刷操作采用具有至少100个...
  • 本发明涉及显示装置的制造装置及显示装置的制造方法。根据一个实施方式,制造装置具备:蒸镀腔室,其具备构成为向用于搬送显示装置用的处理基板的搬送路径放射材料的蒸镀源;计测部,其相对于上述蒸镀腔室而言配置在上述处理基板的搬送方向的下游侧,其中,上...
  • 提供一种玻璃镀膜工艺以及钙钛矿叠层太阳能电池。所述玻璃镀膜工艺适用于在钙钛矿叠层太阳能电池的玻璃基底的外表面镀膜,所述玻璃镀膜工艺包括步骤:将K9玻璃基底的表面清洁;为磁控溅射设备的工艺腔选择两支Nb2O5靶、两支Si靶、以及RF离子源,全...
  • 光电转换器件以及其制造方法。本发明的实施方式涉及光电转换器件以及其制造方法。提供具有柔性且耐冲击性优异的光电转换器件以及其制造方法。根据实施方式,提供一种具备玻璃基板、光电转换元件和含树脂层的光电转换器件。玻璃基板的厚度为250μm以下,并...
  • 公开了一种有机电致发光器件及其电子设备。该有机电致发光器件包含阴极、阳极,以及设置在阴极与阳极之间的第一有机层和发光层,第一有机层设置在阳极和发光层之间,第一有机层和发光层彼此不同且都包含具有式1结构的第一有机材料,该有机电致发光器件能够提...
  • 本申请提供一种有机电致发光器件和电子装置,该有机电致电致发光器件包括阴极、阳极以及有机层。所述有机层包括有机发光层;所述有机发光层包含具有式1所示结构的第一有机化合物。
  • 本发明涉及热电转换技术领域,具体涉及一种离子‑电子复合热电器件制备方法及热电器件。一种离子‑电子复合热电器件制备方法,包括如下步骤:将p型和n型电子热电粒子交替排列在第一基板的基板电极上,覆盖第二基板至热电粒子上,将热电粒子两端分别与第一基...
  • 本发明涉及热电偶技术领域,具体为一种薄膜型热电偶及其热压合机构,包括展平机构,用于在热压合前展平置于所述下热压板上的薄膜热电偶件,所述展平机构包括两组展平组件和调节限位机构。本发明热压合机构通过展平、限位、消泡机构的协同作用,有效消除了薄膜...
  • 该发明公开了一种具有非线性温差‑电压的离子热电凝胶的制备方法,属于热电材料技术领域。本发明的离子热电凝胶采用聚偏氟二氟乙烯‑co‑六氟丙烯提供网格框架,[EMIM][DCA]和无机氯盐作为离子载体提供自由移动离子,可赋予离子热电凝胶高热电转...
  • 本发明公开了一种压电磁电双晶片传感结构及其仿真分析方法,涉及传感器设计与仿真技术领域。结构包括依次层叠的PZT5H压电层、AFC260合金弹性叶片层及PZT5H压电层,采用终端地地终端并联激励以诱导弯曲振动,并可通过附加质量在2327kHz...
  • 本发明涉及磁阻元件技术领域,公开一种柔性磁阻元件及其制备方法、磁阻传感器、电子设备。柔性磁阻元件的制备方法包括以下步骤:在硅基底的表面生长至少一磁阻阵列、焊盘、电极,该至少一磁阻阵列、焊盘及电极经耦接形成惠斯通电桥;对硅基底的背面进行减薄,...
  • 本申请公开一种面内可控生长的锗纳米线及其制备方法和应用包括:在硅锗衬底上获得条形平台结构;对所述具有条形平台结构的硅锗衬底进行预处理;在具有所述条形平台结构的所述硅锗衬底上方,采用分子束外延生长技术依次生长硅锗缓冲层、硅间隔层、纯锗层和硅盖...
  • 本发明的接收装置具备磁性元件,该磁性元件具备第1铁磁性层、第2铁磁性层、和被所述第1铁磁性层和所述第2铁磁性层夹着的间隔层,包含具有光强度变化的光信号的光照射至所述第1铁磁性层,以基于来自所述磁性元件的输出电压,接收所述光信号的方式构成,照...
  • 本发明提供了一种量子芯片的制备方法,包括以下步骤:S1、在衬底上形成第一金属层;S2、根据预设的超导电路版图刻蚀所述第一金属层,形成超导电路图案;S3、根据预设的约瑟夫森结图形版图,在步骤S2处理后的工件表面依次形成绝缘层和第二金属层,形成...
  • 本发明公开了一种带热传递层的阻变存储器及其制备方法,属于半导体存储器件技术领域。所述阻变存储器包括底电极、阻变功能层和顶电极,其中阻变功能层在刻蚀成型后,其侧壁被包裹一层导热率高、电导率低且化学性质稳定的材料,构成热传递层。该热传递层可在器...
  • 本发明公开基于二维TiSe2/Sc2CO2范德华异质结构的铁电隧道结及其设计方法,属于纳电子技术领域;铁电隧道结,包括:依次连接的左电极、中心散射区和右电极;所述左电极与右电极分别由TiSe2/Sc2CO2范德华异质结构向左和向右周期性重复...
  • 本发明属于忆阻器技术领域,特别涉及一种流体忆阻器及其制备方法和应用。本发明的流体忆阻器包括基体,基体具有孔隙;石墨烯层,石墨烯层设于基体的一侧表面,石墨烯层在孔隙处破损,且破损边缘向孔隙内褶边;流体A,流体A设于石墨烯层一侧区域;流体B,流...
  • 本申请提出一种晶片型薄膜电容及其制造方法。晶片型薄膜电容包含陶瓷基板、两个第一电极层、两个介电层、两个第二电极层、第一连接层和第二连接层。在陶瓷基板中,第一表面和第二表面每一者具有多个沟槽。第一电极层分别设置在第一表面及第二表面上,且填充至...
  • 本公开提供了一种基于转角二维材料的量子点图案化制备方法,涉及量子点生长技术领域。该方法包括:在至少两个衬底上分别制备具有范德华层状结构的二维材料;检测各二维材料的晶体取向,并在确定至少两个二维材料的晶体取向一致的情况下,以其中一个二维材料作...
  • 本申请公开了一种高取向金刚石晶圆的制备方法及高取向金刚石晶圆,制备方法包括准备基体衬底;对基体衬底进行预处理,预处理包括清洗基体衬底,以及在基体衬底表面进行金刚石晶种预植;将预处理后的基体衬底置入MPCVD设备中,以基体衬底的上表面作为金刚...
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