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一种特殊形貌AZO薄膜的制备方法
本发明涉及一种特殊形貌AZO薄膜的制备方法,其特征在于:(1)采用特殊形貌的玻璃或不锈钢材料作为衬底材料,对衬底材料进行清洗处理;(2)采用磁控溅射法直接在衬底上制备出具有特殊形貌的AZO薄膜。本发明具有如下优点:本发明以特殊形貌的材料为衬...
一种溅射装置及薄膜沉积方法
本申请涉及一种溅射装置及薄膜沉积方法,包括:载板、圆柱状可旋转阴极靶材及阳极结构,其中,载板用于放置待沉积基片;圆柱状可旋转阴极靶材设于载板上方;阳极结构包括多个调节单元,多个调节单元沿圆柱状可旋转阴极靶材的轴向方向依次排布,调节单元沿圆柱...
一种兼具耐磨与耐蚀性能的CoCrFeNi中熵合金涂层及其制备方法
本发明公开了一种兼具耐磨与耐蚀性能的CoCrFeNi中熵合金涂层及其制备方法,属于材料科学与表面工程技术领域。本方法首次提出通过能量输入窗口调控形成“梯度孔隙‑自然氧化‑致密膜”连续演化机制,通过中等能量输入实现涂层致密化及残余压应力引入,...
一种深振荡磁控溅射制备超硬且韧的复合涂层的方法
本申请提供了一种深振荡磁控溅射制备超硬且韧的复合涂层的方法,TiVSiN复合涂层技术领域,1)对基体进行预清洗;2)对基体进行离子清洗;3)采用深振荡磁控溅射沉积方法在基体上沉积形成过渡层;4)采用深振荡磁控溅射沉积方法,在过渡层上先调控高...
用于玻璃装饰物表面的高致密高结合力银膜及其制备方法
本发明涉及玻璃装饰物表面处理技术领域,具体公开了用于玻璃装饰物表面的高致密高结合力银膜制备方法,包括以下步骤:步骤一:制备活化层,采用等离子体活化技术,通入甲烷、TMS与空气的混合气体进行等离子体活化,在玻璃装饰物基底表面形成包含Si‑C‑...
一种半导体晶体用真空沉积设备
本发明公开了一种半导体晶体用真空沉积设备,涉及真空沉积技术领域,包括箱体;箱体内部的工作台上固定安装有多边形壳体;多边形壳体的内部设置有旋转上料组件;旋转上料组件包括旋转盘;旋转盘底部与旋转撑杆固定安装;旋转撑杆远离旋转盘的一端通过安装轴承...
一种外延片的ITO膜层磁控溅射方法
本发明公开了一种外延片的ITO膜层磁控溅射方法,包括:将外延片置于镀膜腔,在所述镀膜腔中通入氩气,并在磁控溅射ITO机台处于第一溅射功率和第一镀膜转速时,在所述外延片上制备ITO膜层的粘附层;在所述镀膜腔中通入氩气和氧气,并在磁控溅射ITO...
一种靶材组件的背板
本发明涉及一种靶材组件的背板,具体涉及靶材领域,所述靶材组件的背板包括:环形渐深过流区;所述环形渐深过流区的环宽为背板宽度的85‑90%;所述环形渐深过流区的深度h=L/tanα,L为对应位置所在深度直线至中心轴线的距离,α=30‑45°。...
黑色红外辐射窗口选择超材料及其制备方法与应用
本发明公开了一种黑色红外辐射窗口选择超材料及其制备方法与应用。所述制备方法包括:采用磁控溅射技术,依次在基底表面沉积反射层、红外选择性调控层、介质层、吸收层、减反层,从而制得黑色红外辐射窗口选择超材料。本发明设计了黑色红外辐射窗口选择超材料...
一种晶体谐振器溅射镀膜装置及晶体谐振器的制备方法
本发明公开了一种晶体谐振器溅射镀膜装置及晶体谐振器的制备方法,属于电子元器件领域,顺次包括底板、下电极掩模板、定位板、上电极掩模板和磁性盖板,定位板上设置有晶片定位凹槽,晶片安装在晶片定位凹槽中,上电极掩模板与下电极掩模板上均设置有电极孔,...
一种真空镀膜机工件定位机构
本发明公开了一种真空镀膜机工件定位机构,属于真空镀膜机技术领域,包括支撑组件以及安装在支撑组件上的滑动组件,滑动组件上安装有移动组件,移动组件上安装有定位组件,定位组件上安装有旋转组件,支撑组件上安装有翻转组件,支撑组件上安装有转动组件,滑...
一种高精度靶材位移控制的镀膜装置
本发明涉及高精度靶材位移控制的镀膜装置,包括支撑底座、靶位移控制装置、固设于支撑底座支撑面上的镀膜腔体,靶位移控制装置包括支撑支架、安装于支撑支架上的且整体悬空内置于镀膜腔体内的靶位移控制机构;支撑支架非接触式的被容置于支撑底座内部;还包括...
一种天然气发动机用活塞环及其加工方法
本发明公开了一种天然气发动机用活塞环及其加工方法,涉及活塞环加工技术领域,包括在真空室中对活塞环主体制备低摩擦涂层,出气结构使得反应气体从真空室的底部中心排出、过滤罩对出气结构进行防护,清理结构将过滤罩上的杂质清理至收集盒中;通过设置的真空...
连续镀膜系统以及连续镀膜方法
一种连续镀膜系统以及连续镀膜方法,其中连续镀膜系统包括:第一缓冲仓,用于接收待镀膜的器件;工艺仓,用于对所述器件进行镀膜,所述工艺仓设置于所述第一缓冲仓的下游;抽真空组件,至少用于对所述第一缓冲仓抽真空;其中,在所述第一缓冲仓的入口开放以接...
连续镀膜系统以及连续镀膜方法
一种连续镀膜系统以及连续镀膜方法,其中连续镀膜系统包括:第一缓冲仓,用于接收待镀膜的器件;至少一个工艺仓,用于对器件进行镀膜,至少一个工艺仓设置于第一缓冲仓的下游;抽真空组件,至少用于对第一缓冲仓抽真空;其中,在第一缓冲仓的入口开放以接收器...
一种基于反向包辊结构的真空卷绕镀膜设备
本发明涉及真空镀膜领域,特别是涉及一种基于反向包辊结构的真空卷绕镀膜设备,包括设备本体、两个转动杆、可变形支架、限位杆件和夹持件;设备本体内部设置为镀膜腔,镀膜腔的相对两端设置有设备腔,镀膜腔侧面设置有蒸发件,用于对靶材进行蒸发,设备腔内设...
一种增强传动零件表面硬度的方法
本发明公开了一种增强传动零件表面硬度的方法,包括:对传动零件进行清洗及烘干处理;将烘干后的传动零件置于真空室内,在传动零件的表面上镀一层金属过渡层;在所述金属过渡层的表面上镀一层DLC涂层。采用本发明的技术方案能够通过在传动零件的表面镀膜来...
一种螺纹杆的镀膜方法
本发明公开了一种螺纹杆的镀膜方法,包括:对待镀膜的螺纹杆进行刻蚀清洗处理;通过溅射在清洗后的螺纹杆的表面上形成过渡层;在所述过渡层的表面上沉积DLC涂层。采用本发明的技术方案通过对螺纹杆的表面镀膜,能够有效解决螺纹杆磨损而导致线性运动不准确...
一种切割刀具的镀膜方法
本发明公开了一种切割刀具的镀膜方法,包括:对切割刀具的刀片的表面进行清洗处理;在清洗后的刀片的表面上沉积硅过渡层;在所述硅过渡层的表面上沉积DLC层。采用本发明的技术方案通过在切割刀具的刀片表面镀膜,能够达到良好的切割效果,使得切割边缘更加...
一种大面积金刚石生长的腔体设计与等离子体调控方法
本申请公开了一种大面积金刚石生长的腔体设计与等离子体调控方法,包括:谐振腔壳体;微波馈入系统,设置于所述谐振腔壳体的顶部,用于向腔体内输入微波能量;包括微波入口、馈电天线外导体和馈电天线内导体;绝缘观察窗,水平设置于所述谐振腔壳体的中部,用...
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