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最新专利技术
  • 具有集成无源组件和半导体装置的微电子组合件
    具有集成无源组件和半导体装置的微电子组合件_德州仪器公司_202511335294.8
    本公开涉及具有集成无源组件和半导体装置的微电子组合件。实例设备包含：导电立柱凸块(图6A，625)，其位于多层电路衬底(602)的装置侧表面上，布置成安装无源组件；至少一个半导体裸片(614)，其倒装芯片安装到所述多层电路衬底的所述装置侧表...
    2026-04-19
  • 一种用于倒装工艺中的芯片压合方法及设备
    一种用于倒装工艺中的芯片压合方法及设备_南京屹立芯创半导体科技有限公司_202511709647.6
    本发明涉及一种用于倒装工艺中的芯片压合方法及设备，该方法包括如下步骤：S1、在芯片具有超细节距凸块的一侧设置非导电材料；S2、在载体的焊盘或凸块上与芯片的凸块进行倒装放置；S3、将步骤S2中的载体与芯片放置在一个可设置温度、压力及真空切换配...
    2026-04-19
  • 用于芯片封装不同高度金属BUMP的电镀方法
    用于芯片封装不同高度金属BUMP的电镀方法_成都奕成集成电路有限公司_202512025452.6
    本发明公开了用于芯片封装不同高度金属BUMP的电镀方法，涉及芯片技术领域，包括S1、在沉积了导电的种子层的重布线层表面涂覆光刻胶，形成PR层；S2、在PR层开设多个电镀孔，至少有两个电镀孔的直径不同；S3、利用电镀工艺在所有的电镀孔中沉积金...
    2026-04-19
  • 超声辅助大芯片热压键合头及热压键合方法
    超声辅助大芯片热压键合头及热压键合方法_上海骄成半导体设备技术有限公司_202512059414.2
    本发明的实施例提供了一种超声辅助大芯片热压键合头及热压键合方法，涉及半导体封装设备技术领域。旨在改善现有超声辅助键合技术功能单一，振动模式不可调，无法灵活适配大尺寸芯片键合中不同材料、不同界面结构或不同工艺阶段对能量作用方向的差异化需求的问...
    2026-04-19
  • 一种超声能量与压力协同耦合的超声键合工艺
    一种超声能量与压力协同耦合的超声键合工艺_江苏圣创半导体科技有限公司_202610263584.4
    本发明涉及高精度制造技术领域，尤其涉及一种超声能量与压力协同耦合的超声键合工艺，包括：基于引线材质匹配预设的键合压力目标值及超声功率范围；使压电陶瓷在超声功率范围内产生振动，经变幅杆放大后传输至劈刀；根据视觉系统定位焊点坐标，控制音圈电机驱...
    2026-04-19
  • 一种板级封装结构及其制作工艺
    一种板级封装结构及其制作工艺_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202610001678.4
    本发明公开了一种板级封装结构及其制作工艺，板级封装结构包括封装体及至少部分凸出于所述封装体表面的端子，所述端子的侧壁具有台阶状结构，所述台阶状结构的下部形成能够被焊料润湿的金属表面区域。本发明通过台阶状结构创造出可润湿性侧面，使得液态焊料能...
    2026-04-19
  • 一种基于有机改性硅酸盐聚合物键合制备的硅基复合物及其制备方法
    一种基于有机改性硅酸盐聚合物键合制备的硅基复合物及其制备方法_中国电子科技集团公司第二十六研究所_202610001428.0
    本发明公开了一种基于有机改性硅酸盐聚合物键合制备的硅基复合物及其制备方法，硅基复合物包括衬底基板和功能层晶圆，衬底基板和功能层晶圆通过键合层键合在一起，所述键合层为有机改性硅酸盐聚合物层。所述有机改性硅酸盐聚合物层的聚合物由前驱体分子通过聚...
    2026-04-19
  • 一种IGBT模块、焊接设备和封装焊接方法
    一种IGBT模块、焊接设备和封装焊接方法_杭州道铭微电子有限公司_202511702423.2
    本发明涉及半导体封装领域，具体公开了一种IGBT模块、焊接设备和封装焊接方法。其中的IGBT模块包括芯片单元和封装结构，所述的封装结构包括基板和电极引脚；所述的电极引脚包括一体设置的针体和针座，所述的针座与基板连接；所述的针体包括缓冲分段和...
    2026-04-19
  • 半导体封装及封装方法
    半导体封装及封装方法_江苏凯嘉电子科技有限公司_202511709103.X
    本发明涉及半导体技术领域，具体为半导体封装及封装方法，包括半导体封装本体，半导体封装本体的四周均安装有引脚，所述半导体封装本体的四个侧壁上均安装有延伸加固件，延伸加固件包裹引脚和半导体封装本体的连接节点，延伸加固件的顶部插接有夹持组件，夹持...
    2026-04-19
  • 塑封模具
    塑封模具_无锡华润安盛科技有限公司_202411388288.4
    本申请提供一种塑封模具，用于对半导体结构进行塑封。半导体结构的半导体子结构包括多个在第一方向上间隔排布的多个电气元件组及位于各电气元件组相对两侧的多个引脚。塑封模具包括第一子模具和第二子模具，第一子模具的第一对接面设有至少一个长条形的凹槽，...
    2026-04-19
  • 电子装置及其制造方法
    电子装置及其制造方法_群创光电股份有限公司_202510633876.8
    本公开提供一种电子装置及其制造方法。电子装置的制造方法包括以下步骤。提供基板结构，其中基板结构包括第一基板以及第二基板；提供第一抗翘曲层于基板结构的至少一侧上；形成第一电路结构于第一基板上；以及形成封装结构于第一电路结构上，其中第一基板设置...
    2026-04-19
  • 用于半导体模块装置的铆钉及其制造方法
    用于半导体模块装置的铆钉及其制造方法_英飞凌科技股份有限公司_202511342454.1
    公开了用于半导体模块装置的铆钉及其制造方法。一种用于形成用于半导体模块装置的铆钉(44)的方法包括：提供圆盘(444)，圆盘(444)包括孔或凹陷(446)；以及将管状部件(442)的第一端插入到孔或凹陷(446)中。
    2026-04-19
  • 阵列传感器元件的制造方法
    阵列传感器元件的制造方法_精工爱普生株式会社_202511385627.8
    本发明提供阵列传感器元件的制造方法，可实现下部电极层的低电阻化及金属化合物层的晶体取向性的提高这两者。阵列传感器元件的制造方法具有：第一工序，使用低电阻的第一金属在基板上成膜出下部电极层的第一层；第二工序，使第一层的表面氧化或氮化；第三工序...
    2026-04-19
  • 一种多层堆叠芯片封装方法
    一种多层堆叠芯片封装方法_江苏凯嘉电子科技有限公司_202511750804.8
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体为一种多层堆叠芯片封装方法，包括以下步骤：芯片预处理，基板制备，芯片定位放置，电气连接，封装材料填充，固化处理，在封装体表面制作多功能集成防护层；有益效果为：运用等离子体浸没离子注入技术形成具有梯度掺杂结构的...
    2026-04-19
  • 芯片封装散热结构的制备方法
    芯片封装散热结构的制备方法_江苏凯嘉电子科技有限公司_202511761268.1
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体为芯片封装散热结构的制备方法，采用纳米晶陶瓷基材作为外框主体，通过低温共烧陶瓷工艺将银钯合金电极嵌入陶瓷框体内部，形成具备梯度热膨胀系数的电极结构；有益效果为：采用纳米晶陶瓷基材作为外框主体，通过低温共烧陶瓷...
    2026-04-19
  • 一种功率芯片封装结构及工艺
    一种功率芯片封装结构及工艺_合肥矽迈微电子科技有限公司_202511951492.7
    本发明公开了一种功率芯片封装结构及工艺，包括以下步骤：贴装刷胶：晶圆划片为裸片单元，将裸片正面朝向载板间隔均匀的贴装，在裸片背面分别粘附胶层，包封料包封裸片和胶层，并暴露出胶层顶面；一次电镀：在暴露胶层顶面的包封料上第一次电镀，形成焊盘一，...
    2026-04-19
  • 一种二极管自动生产用一贯机
    一种二极管自动生产用一贯机_山东智盛电子器件有限公司_202512022237.0
    本发明涉及二极管生成设备技术领域，提出了一种二极管自动生产用一贯机，包括第一基座，第一基座的一侧平行设置有第二基座，第二基座与第一基座之间固定安装有输送带，输送带的皮带上设置有若干模座，第一基座的顶部固定连接有第一安装架，第一安装架的内侧设...
    2026-04-19
  • 一种半导体加工用灌封模具
    一种半导体加工用灌封模具_苏州智联芯航半导体有限公司_202512042635.9
    本发明涉及半导体灌封相关技术领域，具体为一种半导体加工用灌封模具，包括台面、下模台、下模体和上模体，台面的左右侧均固定安装有导轨，且台面的前后侧均固定安装有丝杠安装座和导杆安装座，丝杠安装座之间转动安装有传动丝杠，传动丝杠通过台面后侧的伺服...
    2026-04-19
  • 一种防止功率器件散热片溢料压伤的方法
    一种防止功率器件散热片溢料压伤的方法_华羿微电子股份有限公司_202610003628.X
    本发明公开一种防止功率器件散热片溢料压伤的方法，涉及功率器件封装的技术领域，该方法包括：放大塑封模具与功率器件框架的散热片部位之间的配合间隙，直至配合间隙大于或等于第一预设阈值，形成溢料容纳槽；塑封模具包括上模具和下模具，功率器件框架在上模...
    2026-04-19
  • 用于功率器件的钝化方法
    用于功率器件的钝化方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610003827.0
    一种用于功率器件的钝化方法，包括：形成衬底和位于所述衬底上的半导体器件；在所述衬底和所述半导体器件上形成介质层；在所述介质层上形成互连层，所述互连层具有缝隙；在形成所述互连层之后，进行氢钝化处理，所述氢钝化处理中，氢经所述缝隙扩散至所述衬底...
    2026-04-19
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